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Renesas收购Transphorm GaN业务
Renesas Electronics已同意收购GaN-on-SiC垂直GaN结构先驱Transphorm，这笔预计于2025年完成的交易将从根本上改变其功率半导体产品组合。
Renesas与Wolfspeed签署十年期SiC晶圆供应协议
Renesas Electronics与Wolfspeed签署了一份为期十年的SiC晶圆长期供应协议，这一前所未有的合作期限本身，已足以说明该协议在半导体行业的重要性，也标志着SiC晶圆采购已超越买方市场的范畴。
下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略
随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。
SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南
Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。
宽禁带半导体制造成本趋势——解读SiC与GaN的成本曲线
向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。
EV应用中SiC与GaN的选择：如何挑选合适材料
800V电池系统的采用正在加速，保时捷Taycan、现代IONIQ 6和起亚EV6等车型均从传统400V架构升级至双倍电压，以缩短充电时间并提升驾驶效率，这一趋势直接影响功率器件的选择，SiC与GaN的细分格局正在形成。
SiC与GaN时代，IGBT是否仍有价值？
功率转换市场的格局正在深刻变化：SiC功率器件全球市场预计在2030年代前后迎来快速扩张，GaN的应用范围也从家电延伸至数据中心电源。在此背景下，硅基IGBT究竟是否已经过时？
主要半导体厂商在SiC、GaN与IGBT领域的投资策略比较
EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。
SiC与GaN商业机会评估框架
"SiC还是GaN"这一下一代功率半导体的经典命题，在业界被反复提及，但提问方式本身略显简单化。两者同为宽禁带半导体，却在最佳电压范围、开关特性和成本结构上截然不同。答案不在于"哪个更优"，而在于"针对哪种应用、哪个电压范围、以何种时间维度进行评估"。
AI服务器电源：GaN采用标准
决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。