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行业市场结构、技术动向与企业战略分析——以经核实的事实数据为依据。

Power SemiconductorsSustainabilityEV MarketData Center PowerAdvanced Packaging实务解说新闻专题
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我们持续追踪的5个主题。每个主题页汇总了核心论点与相关文章。

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Power Semiconductors

82 篇

SiC / GaN / IGBT vendor dynamics, supply chain, and procurement risk

最新DG Matrix：SST输出功率翻倍至400kW

Sustainability

65 篇

Decarbonization, circular economy, and supply chain due diligence

最新欧盟：10亿欧元工业热脱碳拍卖

EV Market

20 篇

Real-demand transition, market bifurcation, charging/V2G, and battery supply chains

最新美国货主联盟订购2500辆电动卡车

Data Center Power

28 篇

AI data center power demand, 800V HVDC, GaN/SiC devices, and transformer/grid bottlenecks

最新IEA：现有电网可接入330GW

Advanced Packaging

8 篇

AI back-end packaging — CoWoS/HBM/chiplets, ABF & glass substrates, OSAT, and equipment/material supply chains

最新先进封装：AI芯片的后段工艺

热门文章

按最近90天的搜索流量排序。

  1. 1DC液冷的OCP标准化高密度AI让液冷成为前提，OCP正推进液冷标准化。梳理Cold Plate、CDU、液浸、门式换热器、热再利用、UQD规格、冷却液指南及NVIDIA/Meta/Dell/Intel参与。
  2. 2OCP Diablo：分离式电源机架OCP提出的Diablo分离型sidecar电源机架，将机架内48V直流提高到±400/800V直流，目标是支撑100kW到1MW级AI机架，并连接NVIDIA的800V生态系统。
  3. 3800VDC推进计划：Vertiv、富士康领跑NVIDIA主导的800VDC电源架构推进时间表：Vertiv计划于2026年下半年推出产品，富士康在台湾高雄K-1基地率先落地实施，Kyber机柜将于2027年开始出货。
  4. 4AQG 324 汽车功率模块认证实用指南本文总结了 ZVEI/ECPE AQG 324 标准中关于湿度、功率循环、热冲击和振动的测试要求，探讨了 SiC MOSFET 在认证过程中面临的具体挑战，以及如何满足主机厂（OEM）的额外要求。
  5. 5800V DC机架与48V/400V比较本文比较AI数据中心供电电压：传统机架内48V直流，以及正在迁移的±400V/800V直流(HVDC)。从电流、损耗、电力密度、OCP和NVIDIA的方向，整理何时选择哪种方式。

Data Center Power · 新闻

IEA：现有电网可接入330GW

IEA在2026年9月的报告中测算，借助动态增容等三项技术，最多可在不扩容的情况下向现有电网接入330GW的电源、储能和负荷，相当于约1,000亿美元的电网扩容。推广的障碍在于监管与组织而非技术。

IEApower gridgrid-enhancing technologies
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新闻

美国货主联盟订购2500辆电动卡车

美国非营利机构Catalyst Mobility与Smart Freight Centre于2026年9月22日宣布，货主联盟ZET SCALE订购了2,500辆电动Class 8卡车，规模几乎使美国电动Class 8保有量翻倍，主要OEM选定Tesla。

EV MarketZET SCALETesla Semi

新闻

欧盟：10亿欧元工业热脱碳拍卖

欧盟委员会于2026年9月24日公布支持工业过程热脱碳的IF26 Heat Auction（预算10亿欧元）最终条件。投标预计12月上旬开启，范围扩大至80℃以上，SMR等核能首次纳入。

SustainabilityEUInnovation Fund

新闻

DG Matrix：SST输出功率翻倍至400kW

美国DG Matrix于2026年9月24日宣布，采用ST的SiC器件，将多端口固态变压器Interport的输出功率从200kW翻倍至400kW。功率模块占地面积基本不变，效率超过98.5%。

Power SemiconductorsDG MatrixSTMicroelectronics

新闻

EFRAG公开修订版ESRS的XBRL草案

EFRAG于2026年9月17日公开面向修订版ESRS的XBRL分类标准草案并启动公众意见征询，截止日期为2026年11月11日。最终版将于2026年底前提交ESMA与欧盟委员会。

SustainabilityEFRAGESRS

新闻

SEC提议废止股东提案规则14a-8

美国SEC于2026年9月16日提议废止《证券交易法》下的Rule 14a-8。若获通过，股东提案的可否将交由州法与各公司章程决定。同时提议修改Rule 14a-4(c)并废止年报寄送义务。

SustainabilitySECESG

专题

先进封装：AI芯片的后段工艺

AI加速器的性能不再只由前段制程决定。从TSMC的CoWoS、带宽翻倍且能效改善40%以上的HBM4、铜-铜直接键合的混合键合，到IBIDEN约5,000亿日元的基板投资，以一手资料梳理先进封装的全貌。

Advanced Packagingadvanced packagingCoWoS

新闻

onsemi推出EPP，功率密度3〜5倍

onsemi于2026年9月16日发布Embedded Power Platform（EPP）。该架构以硅晶圆作为封装基底并集成多颗裸片，功率密度最高达现有方案的3〜5倍，面向汽车、工业与AI数据中心。

Power Semiconductorsonsemipackaging

新闻

欧洲议会表决将CBAM扩至下游产品

2026年9月15日，欧洲议会全会以464票赞成、50票反对通过将CBAM适用范围扩展至下游产品的修正案。范围将延伸至紧固件、线材、弹簧与家居用品，规避认定门槛亦被下调。

SustainabilityCBAMEU

新闻

Resonac成功制备300mm SiC单晶

Resonac于2026年9月15日宣布成功实现300mm（12英寸）SiC单晶的生长与加工。该公司目前主力供应150mm，200mm刚开始出货，此次成果吸收了日本NEDO绿色创新基金的研发成果。

Power SemiconductorsSiCResonac

新闻

英国CBAM认定16项碳定价制度

英国政府公布截至2026年6月19日的UK CBAM合格碳定价制度清单，认定日本GX-ETS、印度CCTS、中国全国碳市场、韩国K-ETS等16项制度。免费配额覆盖的排放不在减免范围内，且该清单为非穷尽性。

SustainabilityCBAMUK

新闻

Amkor将亚利桑那基地扩至120亿美元

Amkor宣布亚利桑那先进封装与测试园区二期，总投资额扩大至120亿美元。一期3.3万平方米洁净室的客户承诺已超出产能上限。二期计划2027年底动工、2029年底竣工，用工规模预计超过3500人。

Advanced PackagingAmkorOSAT

新闻

中国七部门将800V直流写入算力设施政策

中央网信办等七部门印发《促进数字化绿色化协同转型发展实施方案（2026-2030年）》，明确探索算力设施800V高压直流供电架构并推动超百千瓦单机柜部署。同时规定可再生能源消费比例与AI大模型资源消耗披露。

Data Center Power800VDCChina

新闻

德环境署分析EU ETS 2的MSR改革

德国联邦环境署于2026年3月公布比较EU ETS 2市场稳定储备（MSR）七种改革方案的分析报告。MSR释放越宽松价格越低，但累积排放随之增加，排放上限的环境完整性因而受损。

SustainabilityEU ETScarbon pricing

新闻

Navitas首批美国产Gen5 GaNFast出货

Navitas于2026年9月开始首批出货由GlobalFoundries佛蒙特州工厂制造的第五代GaNFast。产线为200mm GaN-on-Si，自2025年11月签署长期战略合作起约十个月实现量产。目标应用涵盖AI基础设施与国家安全领域。

Power SemiconductorsNavitasGlobalFoundries

新闻

Flex以44亿美元收购EPC Power

Flex于2026年9月3日签署以44亿美元收购EPC Power Corp.的最终协议。EPC Power拥有包含数字整流器和固态变压器的800V DC数据中心电力架构，并在四年内将美国本土制造规模扩大约十倍。交易预计于2026年第四季度完成。

Data Center PowerFlex800VDC

新闻

Infineon收购C2i强化垂直供电

Infineon于2026年8月24日宣布收购C2i Semiconductors。C2i拥有包括基板集成电压调节器（SIVR）在内的垂直供电架构专长。该交易旨在加速Infineon从电网到核心的软件定义电力架构战略。

Power SemiconductorsInfineonAI data center

新闻

Türkiye公布ETS实施规则

Türkiye环境、城市化与气候变化部于2026年8月27日在第33353号官报公布ETS规则并即日生效。规则以气候法第7552号为依据，规定MRV程序、拍卖型一级市场及TÜRKAK认可的核查机构。

SustainabilityETScarbon pricing

新闻

Delaware要求数据中心100%电力自给

Delaware通过HB233和HB445，要求大型能源使用设施承担全部新增输配电成本并适用单独费率，且须在投运10年内确保相当于年用电量100%的新增电源。该州年用电量为1,130万MWh，而一座拟建数据中心预计为870万MWh。

Sustainabilitydata centerregulation

新闻

大统领令14420号：监管外国电力设备

特朗普总统于2026年8月26日签署大统领令14420号，就大宗电力系统宣布国家紧急状态。命令明确指出AI、数据中心和先进制造快速扩张提高了电力依赖；对象为输电层级设备，地方配电设施不在范围内。

Data Center Powergridregulation

新闻

Amazon考虑在8,000英亩AI园区接入电网

Amazon表示，正考虑将得州GW Ranch 8,000英亩AI园区的自备发电转为front-of-the-meter并网服务。电力将由Pacifico Energy燃气电站提供；TCEQ许可文件显示其规模为5,000MW、35台机组。

Data Center PowerAmazongrid

新闻

Innoscience：All-GaN 140W与1kW AC-DC方案

Innoscience于2026年6月29日同步发布All-GaN AC-DC电源参考设计：面向笔记本电脑和游戏机的140W方案，峰值效率96.21%、功率密度31.86W/in³；面向工业和机器人的1kW方案，分别为97.1%和60.6W/in³。

Power SemiconductorsGaNAC-DC

新闻

欧盟发布10份CBAM实施指引

欧盟委员会于2026年8月14日发布CBAM正式期实施指引10份。正式制度自2026年1月1日起适用，年进口量超50吨的进口商须取得授权CBAM申报人资格。证书价格与EU ETS拍卖价挂钩，生产国已支付的碳价可予扣减。

SustainabilityCBAMEU

新闻

PJM为AI数据中心大负荷制定电网规则

美国最大级电网运营商PJM，正为可靠接入AI数据中心等大负荷制定一系列规则。2026年1月公布整合计划，2月27日向FERC申请延长容量拍卖价格区间与加速并网，并提供自带电源与加速并网通道。我们以一手来源梳理电网约束的新阶段。

Data Center Powerdatacenter-powerPJM

新闻

三星SDI完全收购GM电池合资厂

三星SDI收购GM在SynergyCells合资公司49.99%的股份，成为其在北美首个全资工厂。EV需求低于预期是直接原因，印第安纳州New Carlisle工厂（35亿美元、27〜36GWh）转向ESS。三星SDI与GM继续共同开发下一代方形电芯。我们以一手来源梳理电池供给重组。

EV Marketev-marketbattery

新闻

理想汽车在哈萨克斯坦启动海外首个生产

理想汽车于2026年7月16日与Allur集团签署谅解备忘录，将在哈萨克斯坦科斯塔奈本地组装L系列车型。7月20日在阿拉木图发布全新理想L9，标志着其中国境外首次市场首发。

EV MarketLi AutoKazakhstan

新闻

上汽通用中国合资延长至2047年

据中国国务院新闻办公室，通用汽车与上汽集团将合资协议延长至2047年。上汽通用计划到2030年推出30款以上新能源车型，别克Electra E7将于2026年10月开启首次海外出口。上汽集团累计产销已达1亿辆。

EV MarketGMSAIC

新闻

Power Integrations实现业界首个2200V GaN

Power Integrations于2026年8月5日发布业界首个2200V规格PowiGaN技术。目标应用涵盖AI数据中心1500V配电、电动汽车辅助电源、光伏逆变器等，标志着GaN进军长期由SiC主导的高压领域。

Power SemiconductorsGaNPowiGaN

新闻

Nextpower完成收购Zigor电源业务

Nextpower于2026年7月30日完成收购Zigor电力转换业务及Apex Power资产。公司将加速美国多基地制造，计划2027年初开始交付，12个月内实现超10GW产能上线。

Power SemiconductorsNextpowerZigor

新闻

SSBJ手册修订，部分合规披露指引

日本可持续发展标准委员会（SSBJ）于2026年7月31日将《未完全符合SSBJ准则全部规定时的披露》手册修订为Ver.2.0，契机是5月发布的提醒公告。该手册并非SSBJ准则本身，不具法律约束力。

SustainabilitySSBJdisclosure

新闻

印度EU FTA设立CBAM专属附件

印度-欧盟FTA于2026年1月达成，合计市场规模24万亿美元，印度99.5%的出口获得优惠关税待遇。据报道协定还设有CBAM专属附件，规定了欧盟认证核查机构及中小企业能力建设方面的合作。

SustainabilityCBAMIndia

新闻

全球EV销量Q2反弹35%

据IEA官方报告，2026年Q2全球EV销量环比增长35%、同比增长4%，上半年90多个国家实现同比增长。美国因税收抵免到期同比下降25%，中国超100万辆出口EV尚未计入销量。

EV MarketIEAEV sales

新闻

RIR Power迈向印度首家SiC垂直整合

1969年创立的RIR Power Electronics于2025年9月品牌重塑，成为印度首家垂直整合SiC半导体制造商。投资618克若尔卢比在奥里萨邦建设SiC电源园区，2026年7月在NSE上市，目标FY2027实现量产。

Power SemiconductorsRIR Power ElectronicsSiC

实务解说

800VDC推进计划：Vertiv、富士康领跑

NVIDIA主导的800VDC电源架构推进时间表：Vertiv计划于2026年下半年推出产品，富士康在台湾高雄K-1基地率先落地实施，Kyber机柜将于2027年开始出货。

Data Center Power800VDCdata center

新闻

DOE输电研究：数据中心重绘电网地图

DOE公布2026年《国家输电需求研究》草案，明确指出数据中心、制造业扩张和大型工业负荷是输电紧张的主要原因。美国数据中心用电量将从2023年的176TWh、占总电力4.4%，升至2028年的325–580TWh、最高12%。本文梳理正变得与半导体同样关键的电网瓶颈。

Data Center PowerDOEtransmission

新闻

Navitas与Magnachip：3300V SiC授权

Navitas于2026年7月23日宣布，向Magnachip授权GeneSiC Gen4/Gen5技术，覆盖1200V、2300V及3300V以上。Magnachip将把技术转移至韩国自有晶圆厂实现内制化。目标是电网基础设施、工业电气化和储能等高压市场，而非仅限EV，显示SiC竞争正从汽车扩展至电力与工业领域。

Power SemiconductorsNavitasMagnachip

新闻

STMicroelectronics 2026年Q2：SiC双位数增长与数据中心上调

STMicroelectronics 2026年Q2营收34.9亿美元，同比增长26%，毛利率34.8%。公司预计在6英寸向8英寸晶圆转换的支撑下，2026年全年SiC营收将实现双位数增长，并将AI数据中心营收目标上调至2026年超过10亿美元、2027年超过20亿美元。Q3指引为37.0亿美元，预计Q4将超过40亿美元。

Power SemiconductorsSTMicroelectronicsSiC

新闻

EFRAG：中小企业ESRS意见征集

EFRAG于2026年7月启动中小企业可持续披露标准公开协商。核心包括面向CSRD范围外企业的自愿标准VSME，以及面向上市中小企业的LSME，后者自2026年1月生效并有两年过渡期。标准旨在以统一格式减轻因大型企业Scope 3要求而被迫披露的中小供应商负担。

SustainabilityEFRAGESRS

新闻

GaN专利战：Infineon的ITC胜诉与Wolfspeed起诉

Infineon在美国ITC最终确认针对Innoscience GaN产品的进口和销售禁令，成为欧洲IP将亚洲产品排除出美国市场的首个大型案例。Wolfspeed也以专利侵权起诉Navitas。GaN霸权之争中的专利战，正直接变成采购风险。

Power SemiconductorsGaNpower semiconductors

新闻

先进封装的地缘政治：美国CHIPS与欧盟

先进封装成为国家战略的焦点。美国商务部通过CHIPS NAPMP为先进封装确定总额14亿美元，Amkor在亚利桑那投资约20亿美元（补贴最高4亿美元）。欧盟以欧洲芯片法案提出2030年20%全球份额，并于2026年6月提出Chips Act 2.0。我们以一手来源梳理美欧的政策之争。

Advanced Packagingadvanced packaginggeopolitics

新闻

SiC固态变压器：AIDC部署启动

SiC固态变压器（SST）已进入商业阶段。为光能源累计出货SST超过100台，并在两座基地确保超过40GW产能。Delta发布的SST可在1m²内提供MW级供电、节省超过50%空间，Eaton则提供2.5MW的MV SST 2.0。本文以一手信息梳理从中压到800VDC直接变换的现状。

Power SemiconductorsSiCsolid-state transformer

新闻

AI计算受电力左右：从FLOPS到MW

AI超算竞争轴正从性能（FLOPS）转向电力与效率。TOP500首位LineShine以CPU-only设计在42.2MW下达到2.198EF，Microsoft Fairwater则走向分布式AI superfactory。本文用TOP500和官方一手数据梳理从FLOPS到MW的转变。

Data Center Powerdata centerAI

新闻

SiC投资：EU批准6.59亿欧元，中国完成融资

2026年7月14日，欧盟委员会批准向德国四座半导体设施提供6.59亿欧元国家补助。其中，SiC外延晶圆企业Element 3-5获得3.53亿欧元，Vishay的功率MOSFET工厂获得2.14亿欧元。据报道，中国的芯聚能和芯粤能在D轮融资中募得超过7亿元。欧洲和中国的公共与私人资本正加速流向SiC供应链。

Power SemiconductorsSiCEU Chips Act

新闻

CATL：将在欧洲部署5GWh钠离子储能

CATL与荷兰Alfen签署MOU，将在欧洲部署5GWh钠离子储能系统Tener Sodium。该系统支持30MWh以上容量、1%自耗电率，RTE较LFP约提高2%。中国将对锂离子电池征收2%消费税，同时将钠离子和全固态电池的免税延续至2028年底。本文梳理商业化与政策的同步推进。

EV Marketsodium-ionCATL

新闻

混合键合设备之争

芯粒密度由键合技术决定。Applied Materials与Besi共同开发业界首个集成键合机，并取得Besi 9%股权以强化合作。SÜSS MicroTec推出将W2W/D2W集成于一个集群的全球首个平台。我们以一手来源梳理美欧主导的铜直接键合（混合键合）前沿。

Advanced Packagingadvanced packaginghybrid bonding

新闻

印度半导体：CG Semi启动OSAT量产

CG Semi于2026年7月4日在Gujarat州Sanand的G1 OSAT设施启动商业生产。该设施年产能最高3亿颗，G1和G2五年投资超过₹760亿。

Power Semiconductorspower semiconductorsIndia

新闻

纽约州：暂停新建50MW以上数据中心

2026年7月14日，纽约州对新建50MW以上超大规模数据中心的州环境许可发布全美首个最长一年的暂停令。NYISO并网排队中滞留约12GW的数据中心负荷。前一天，Meta宣布将Hyperion扩展至5GW、投资超过500亿美元。本文梳理监管与扩张同时推进的美国现状。

Data Center Powerdata centerregulation

新闻

功率半导体：Infineon扩产与onsemi售厂

Infineon于2026年7月2日在德累斯顿启用全球最大级功率半导体工厂，投资50亿欧元并创造约1,000个岗位；onsemi则通过Fab Right战略出售两座工厂。本文基于一手信息梳理扩产与轻资产化并行的设备战略分化。

Power Semiconductorspower semiconductorsInfineon

实务解说

数据中心液冷运维要求

AI服务器进入液冷前提后，设计者要关注的不只是方式选择，更是运维要求。本文梳理TCS回路140-450kPa运行压力、ASHRAE W1-W5冷却液温度等级、IEC 62368-1漏液测试和传感器要求。

Data Center Powerliquid coolingdata center

新闻

ABF基板：AT&S与IBIDEN大扩产

受AI需求推动而趋紧的ABF/IC基板进入大扩产。AT&S与AMD等达成协议，转用Kulim工厂，将投资从€4亿翻倍至€10〜12亿，并上调营收展望至45〜55%。IBIDEN三年投入约5,000亿日元。我们以一手来源梳理支撑先进封装的基板供给。

Advanced Packagingadvanced packagingABF substrate

新闻

中国制EV的全球份额与欧洲

中国制EV的全球存在感正在提高。IEA称，2025年先进经济体销售EV中15%、超过90万辆为中国制造，2035年或超过四分之一。欧洲2026年1月BEV份额也达到20%。

EV MarketEVChina

新闻

CoWoS/2.5D封装：TSMC与Intel

TSMC的CoWoS（2.5D）支撑AI加速器性能，并扩展至车规认证、2027年的System-on-Wafer与2026年的COUPE(CPO)。Intel则在Fab 9整合Foveros量产、EMIB与ASAT。我们以一手来源梳理AI半导体主战场从前道转向后道封装的格局。

Advanced Packagingadvanced packagingCoWoS

新闻

玻璃基板的崛起：Intel与SKC

有机基板将在本十年末触及微缩极限。下一步是玻璃基板。历经十年研究，Intel面向2030年代，以超低平坦度提升互连密度与多芯粒集成。SKC（Absolics）在美国佐治亚州建成全球首条量产线，速度提升40%、获7500万美元补贴。我们以一手来源梳理AI后道的下一代基板。

Advanced Packagingadvanced packagingglass substrate

新闻

HBM4：供应链与JEDEC标准

SK hynix于2025年9月完成HBM4开发，带宽翻倍、能效提升40%、采用2048 I/O。JEDEC标准JESD270-4界定2 TB/s与32通道。Micron在2026年量产2.8 TB/s、36GB 12H，并提供48GB 16H样品。我们以一手来源梳理AI内存主角HBM4的供应链与标准。

Advanced Packagingadvanced packagingHBM

新闻

SiC/GaN 2026：中国OEM需求

经历减值周期后，SiC/GaN正在需求和技术两端转向。onsemi向NIO的900V化和Geely的SEP系统供应EliteSiC，并与Innoscience合作GaN；Toshiba推出新栅极驱动，ROHM量产TSC3PAK。

Power Semiconductorspower semiconductorsSiC

实务解说

NERC与AI大负荷电网规则

NERC将包含数据中心、加密资产和水电解在内的“计算负荷”，认定为不同于传统工业负荷的可靠性问题。50MW负荷块可在250ms内急变，2026年底前首个可靠性标准也在推进，阈值、要求和时间线正成为选址战略核心。

Data Center PowerNERC大规模负荷

新闻

EU采纳修订ESRS

欧盟委员会于2026年7月采纳修订版ESRS，将必填数据点削减60%以上，预计单家公司报告成本下降30%以上。对CSRD范围外中小企业新设自愿报告标准，并反映EFRAG技术建议和利益相关方咨询结果。

SustainabilityESRSCSRD

新闻

BYD 6月NEV40万辆，出口17万

BYD官方披露，2026年6月NEV销量为403,472辆，同比增长约5.5%，其中出口达175,349辆。上半年累计为1,808,511辆，同比下降15.72%，国内市场继续放缓。PHEV与BEV接近持平，商用车增长24.7%。

EV MarketBYDNEV

新闻

FERC启动DC大口负荷接入改革

美国FERC于2025年10月发布大口负荷接入ANOPR，并计划在审查3,500页以上意见后于2026年6月前回应。PJM夏季峰值负荷预计15年增加70GW。

Data Center Powergrid interconnectiondata center

实务解说

CATL凝聚态电池：500Wh/kg

CATL官方信息显示，凝聚态电池能量密度达到500Wh/kg，采用仿生凝聚态电解质，并计划推出车规级量产版本。过去10年R&D投入超过800亿元。

EV Marketsolid-state batteryCATL

新闻

Na-ion电池获证Li-ion同等

Cell Reports Physical Science于2026年6月以开放获取论文拆解分析Hina量产钠离子电池。120个电芯阻抗离散度为5.3%，-20℃下放电能量仍超过80%，商用18650达到110Wh/kg。

EV Marketsodium-ionbattery

实务解说

DC液冷的OCP标准化

高密度AI让液冷成为前提，OCP正推进液冷标准化。梳理Cold Plate、CDU、液浸、门式换热器、热再利用、UQD规格、冷却液指南及NVIDIA/Meta/Dell/Intel参与。

Data Center Powerliquid coolingOCP

实务解说

西方EV市场结构变化

西方EV市场并不一致。美国Tesla份额从2020年的60%降至2024年的38%，英国ZEV义务要求新注册22%为BEV/FCEV，EU则由HEV占比最高，结构差异明显。

EV MarketEV marketZEV mandate

实务解说

电网稳定用功率半导体实用指南：STATCOM、HVDC、FACTS

对用于STATCOM和HVDC系统的功率半导体的全面概述，这些系统因可再生能源并网而需求增长。涵盖三菱电机的±450MVAr应用业绩、英飞凌的4500V IGBT模块、LCC与VSC技术选型以及采购见解。

Power SemiconductorsSTATCOMHVDC

实务解说

DC效率指标：PUE与WUE

梳理AI推动电力需求增长的数据中心效率指标：The Green Grid的PUE（电力使用效率）、WUE（水使用效率）、部分PUE、废热再利用，以及PUE/WUE/CUE等xUE体系。

Data Center PowerPUEWUE

实务解说

美国联网汽车规则实务

美国联网汽车规则于2025年3月17日生效，禁止中俄VCS部件销售和进口；既有车型有MY2027/MY2030期限，合规声明需提前60天提交，违规最高罚100万美元。

EV Marketconnected vehiclesupply chain

实务解说

水电解功率半导体实用指南：绿氢与碳化硅(SiC)/绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

用于绿氢生产的电解水系统功率电子器件概览。介绍了兆瓦级SiC的应用、电网规范合规性、安森美(onsemi)/英飞凌(Infineon)的PFC/DC-DC解决方案，以及关于资本支出(CAPEX)/运营支出(OPEX)的见解。

Power Semiconductors绿氢电解水

新闻

SBTi：发布企业净零标准V2.0

2026年6月11日，科学碳目标倡议（SBTi）发布了修订版《企业净零标准V2.0》。新标准废除一刀切方式，引入多种目标设定选项与实施层级，对大企业课以对进行中排放的阶段性责任，并强化实施透明度。重心从目标设定转向实施与持续改进。

SustainabilitySBTi净零

实务解说

新兴EV市场与中国车渗透

2024年中国掌握全球EV生产七成以上、销售约三分之二并扩大出口。巴西中国车占85%以上，泰国则通过EV 3.5要求本地BEV生产，显示新兴市场正在开放与本地化之间寻找平衡。

EV MarketEV marketChina NEV

实务解说

全球EV市场分化：中国与EU

2025年中国NEV占新车51.6%以上，出口同比增长90.4%。另一方面，EU的BEV份额在2026年升至19.7%，同时对中国BEV征收最高35.3%的关税。本文基于一手信息梳理全球EV市场分化。

EV MarketEV marketChina NEV

实务解说

全球EV市场规模与2030展望

全球EV销量2024年超过1,700万辆、占比20%以上，2025年预计超过2,000万辆、占比25%以上。现行政策下2030年也将超过40%，消费者支出和150kW充电器同步扩大。

EV MarketEV marketmarket size

实务解说

800V DC机架与48V/400V比较

本文比较AI数据中心供电电压：传统机架内48V直流，以及正在迁移的±400V/800V直流(HVDC)。从电流、损耗、电力密度、OCP和NVIDIA的方向，整理何时选择哪种方式。

Data Center Power800VDCpower architecture

实务解说

数据中心变压器为何长交期

基于一次资料梳理拖慢AI数据中心通电的变压器长交期。大型变压器交期从2021年约50周翻倍至2024年平均120周，价格上涨80%，美国厂家新订单甚至等待5年。CISA、DOE、NERC资料显示，按单生产、并网队列和大规模负荷新规则构成三重壁垒。

Data Center Powertransformergrid interconnection

新闻

CBAM强化：欧盟理事会就下游产品扩围达成一致

2026年6月12日，欧盟理事会就将碳边境调节机制（CBAM）扩展至特定下游产品并强化防规避措施达成一致。此举承接2025年12月欧盟委员会提案，欧洲议会全会通过预计在2026年9月，最终立法预计在2026年底至2027年。

SustainabilityCBAM欧盟

实务解说

800V DC是否划算：收益与代价

本文速览AI数据中心800V直流供电的利点和课题：端到端效率最高提升5%、PSU减少、高密度化，以及绝缘、直流开断、SiC/GaN选型和部件交期对设计与采购的影响。

Data Center Power800VDCdata center

实务解说

数据中心能源系统化

AI数据中心已难只依赖电网，正转向自备发电、BESS和需求响应。本文基于EPRI、EIA、Google、Baker Hughes等一次信息，区分各方案的方向性与落地程度。

Data Center Powerdata centerenergy storage

实务解说

DLC与液浸：数据中心液冷区别

将数据中心液冷分为direct liquid cooling（DLC/direct-to-chip）与immersion cooling（single-phase、two-phase）两大系统，快速解释cold plate局部回收热量、介电液体浸没、适用性、维护差异，以及基于一手和学术资料的选择视角。

Data Center Powerliquid coolingdata center

实务解说

液冷时代的数据中心电源设计

高密度AI机柜转向液冷后，冷却方式会改变电源、SiC/GaN器件、Tj余量和设施效率的设计前提。本文基于NVIDIA、CoolIT、OCP和学术资料，整理液冷对电源与功率器件设计的影响。

Data Center Powerliquid coolingdata center

实务解说

OCP Diablo：分离式电源机架

OCP提出的Diablo分离型sidecar电源机架，将机架内48V直流提高到±400/800V直流，目标是支撑100kW到1MW级AI机架，并连接NVIDIA的800V生态系统。

Data Center PowerOCP800VDC

专题

800V HVDC：AI数据中心供电转型

随着AI服务器单机架迈向1MW，NVIDIA正推动从机架内48/54V直流转向800V直流（HVDC）。减少转换级数可使端到端效率最高提升5%，但绝缘、直流开断和保护设计难度也会上升。

Data Center Powerdata center800VDC

专题

数据中心：变压器短缺与电网瓶颈

AI数据中心的约束已从半导体转向电力基础设施。EPRI指出，美国数据中心到2030年可能占全国用电量9-17%，而依赖电网的项目在部分地区受电最长可能等待10年。

Data Center Powerdata centergrid

新闻

onsemi：全面进入GaN各电压段

onsemi在PCIM 2026推出GaN平台“GaNEXUS”，并宣布与GlobalFoundries合作650V GaN、与Innoscience合作40-200V GaN。两者均预计2026年上半年提供样品，应用包括AI数据中心电源。

Data Center PowerGaNonsemi

实务解说

EV充电功率半导体：OBC与DC快充

面向OBC（车载充电器）和DC快充基础设施，SiC/GaN采用正在加速。本文整理损耗降低30%、功率密度提升50%、400V向800V迁移、V2X支持和ASIL-D功能安全要点。

Power SemiconductorsOBCEV充电

新闻

Wolfspeed：第5代SiC，比导通电阻最高降27%

Wolfspeed于2026年6月9日发布第5代SiC技术，较竞争对手的1200V方案将比导通电阻（RSP）最高降低27%。覆盖1200V/750V、基于已量产就绪的200mm平台，面向车载牵引逆变器、工业电源与EV充电基础设施。

Power SemiconductorsWolfspeedSiC MOSFET

实务解说

AQG 324 汽车功率模块认证实用指南

本文总结了 ZVEI/ECPE AQG 324 标准中关于湿度、功率循环、热冲击和振动的测试要求，探讨了 SiC MOSFET 在认证过程中面临的具体挑战，以及如何满足主机厂（OEM）的额外要求。

Power SemiconductorsAQG324汽车功率模块

实务解说

ESG可持续缩略语速查

整理CBAM、SSBJ、TCFD、TNFD、ESRS等55个可持续发展缩略语，按披露、评级、国际框架、碳定价、目标、人权、产品、自然八类说明正式名称、义务属性、时间表和制造业影响。

Sustainability可持续发展ESG

专题

IGBT与SiC MOSFET的区别：如何选型

IGBT与SiC MOSFET有何不同，在哪些用途下应选哪一个？本文从器件结构（双极对单极）、导通与开关损耗、耐压与频率范围、成本，以及EV、工业、光伏、数据中心电源等按用途的选型加以梳理。

Power SemiconductorsIGBTSiC MOSFET

新闻

NBIM：要求ESRS与ISSB单一报告

管理2万亿美元资产的挪威主权财富基金管理机构NBIM，要求欧盟允许企业用一份报告同时满足ESRS和ISSB（包括IFRS S1/S2）。ISSB已在42个管辖区采用，覆盖全球GDP约60%。

SustainabilityISSBESRS

实务解说

TNFD建议实践指南：LEAP方法论与披露实践

一份组织TNFD四大支柱框架、LEAP方法论（定位、评价、评估、准备）、价值链披露以及与自然SBT（基于科学的自然目标）整合的实践指南。

SustainabilityTNFD自然相关风险

新闻

印度半导体：OSAT与设计内制化

Tata正在阿萨姆邦Jagiroad投资27000亿卢比、超过30亿美元建设印度首座半导体组装测试设施TSAT。投运后预计日产能最高4800万颗芯片，并带动超过27000个直接和间接就业岗位。

Power Semiconductors印度半导体OSAT

实务解说

欧盟分类法条例实务指南：4项标准、6大目标与信息披露义务

一份实务指南，涵盖了(欧盟) 2020/852条例的4项分类资格标准、6大环境目标、营业额/资本支出/运营支出的信息披露义务，以及授权法案的时间表。

Sustainability欧盟分类法绿色金融

新闻

CDP：环境披露首次加入海洋主题

CDP将从2026年6月15日当周起，在气候、森林、水、生物多样性和塑料之后，首次把海洋纳入第六个披露主题。全球贸易约90%依赖海运，新问题将覆盖目标设定和供应商参与。

SustainabilityCDPESG

实务解说

V2G与智能充电进展到哪一步

2025年全球电网级储能增长40%至108GW，欧洲负电价趋于常态。电动车通过智能充电与V2G成为分布式能源资产的方向已经显现，但标准化（ISO 15118-20）与监管、质保等壁垒使普及仍处早期阶段。本文区分potential与deployed加以梳理。

EV MarketV2G智能充电

新闻

美国联网汽车规则：供应链重构

美国商务部（BIS）的联网汽车最终规则于2025年3月17日生效。软件自车型年2027、硬件自2030起禁止中俄相关供应。本文着眼于其为分阶段生效而非全面禁止，梳理对供应链的影响与应确认的要点。

EV Market联网汽车美国监管

新闻

中国NEV：价格战降温、出口激增

据CAAM，中国2025年NEV销量达1,649万辆、同比增长28.2%，NEV出口翻倍至262万辆。与此同时，降价车型数量由147降至106，价格战降温。结合BYD的崛起与欧盟确定反补贴税，本文梳理转向出口主导增长的中国NEV市场。

EV Market中国NEV电动车出口

新闻

印度BRSR：强制适用于前1000家公司

印度ESG披露制度BRSR（Business Responsibility and Sustainability Report）的FY26报告季正在推进。SEBI在2021年5月10日回函中引入该制度，要求市值前1000家上市公司基于NGRBC 9原则披露信息。包括银行在内的上市公司正在提交报告。

Sustainability印度BRSR

实务解说

电池成本与BEV分界点

电池价格下降正在移动BEV与内燃机车的成本边界。IEA显示，中国电池价格2024年下降约三成，BEV在中国已具价格优势，但在德国和美国仍高于同级别内燃机车，原因在于地区成本差异。

EV Market电池成本BEV

新闻

ASE：开发自动310mm方形PLP产线

ASE于2026年5月26日宣布开发出业界首条自动310mm方形面板级封装（PLP）产线。可用面积最高96,100mm²，FOCoS支持2/2µm、FOCoS-Bridge支持8/8µm线宽/间距，并计划于2027年上半年开始生产。

Power SemiconductorsASE面板级封装

新闻

Entegris/Inpria：EUV MOR光刻胶交叉许可

Entegris与JSR旗下Inpria就EUV光刻用金属氧化物光刻胶（MOR）专利签署非独占交叉许可协议。协议覆盖配方、前驱体合成和超高纯度过滤三大领域，并将终结正在进行的专利无效审判IPR2025-00267。

Power SemiconductorsEntegrisJSR

专题

全球电动车销量2026：走向两极分化的市场

2024年全球电动车销量超过1,700万辆、同比增长25%，新车占比超过20%。但增长并不均衡：中国超过1,100万辆、新兴市场增长约40%，而欧洲持平。本文以一手数据梳理减值与目标下调背后的市场两极分化。

EV Market电动车市场电动汽车

实务解说

欧盟电池法规：产品碳足迹 (PCF) 报告实务

梳理基于欧盟 (EU) 2023/1542 法规第 7 条的产品碳足迹 (PCF) 报告、2027 年 2 月电池护照的合规要求，以及 ISO 14067、PEFCR 与范围 3 第 11 类之间的关联。

Sustainability欧盟电池法规碳足迹

新闻

美国SEC：提议全面撤回气候披露规则

美国证券交易委员会（SEC）于2026年5月29日正式提议全面撤回2024年3月制定的气候披露规则。该规则覆盖GHG排放、气候风险管理和极端天气财务影响三项内容；SEC认为其超越法定权限。该规则自2024年4月起已暂停实施。

SustainabilitySEC气候披露

新闻

TDK：micro POL“FS3303”开始量产

TDK于2026年5月19日开始量产面向AI边缘设备的超小型micro POL DC-DC模块“FS3303”。该模块尺寸2.5x2.5mm、高1.2mm，输出3A，峰值效率约95%，输入2.7-6V、输出0.4-3.3V，支持低电压电源轨。

Power SemiconductorsTDKmicro POL

新闻

加州SB253：强制披露Scope 1-3

加利福尼亚州SB 253要求年收入超过10亿美元且在州内经营的企业每年披露Scope 1-3排放。CARB于2026年2月正式批准相关法规，并将首年Scope 1/2报告期限设定为2026年8月10日。州外及美国境外企业也可能受到影响。

Sustainability加利福尼亚州SB253

新闻

Microchip：发布3.3kV SiC模块HV-D3

Microchip于2026年5月26日发布3.3kV SiC功率模块“HV-D3 mSiC”。凭借6kV绝缘，在13.8kV、34.5kV电网连接中，相比低耐压SiC可将串联器件数量约减半，并以100-300A覆盖AI数据中心固态变压器（SST）应用。

Power SemiconductorsMicrochipSiC

实务解说

Scope 2：基于市场和基于位置的核算方法

解释了GHG协议《2015年范围2指南》所要求的双重报告、8项质量准则、PPA纳入条件以及日本基于市场的排放因子的确认方法。

Sustainability范围2GHG协议

新闻

AIXTRON：Q1订单增30%上调全年指引

AIXTRON发布2026年第一季度初步业绩，订单量达约1.71亿欧元（同比+30%），增长主要由数据中心光通信需求激增驱动。公司将2026财年全年营收指引从约5.20亿欧元上调至约5.60亿欧元。

Power SemiconductorsAIXTRONMOCVD

新闻

WFE：发布转型股权原则与绿色股权扩展

世界交易所联合会（WFE）于2026年5月26日发布《WFE过渡期股权原则草案》。该框架界定了交易所如何对尚未实现绿色化、但正处于迈向气候目标转型路径上的企业进行分类，旨在引导资本流向过渡期融资领域。

SustainabilityWFE过渡期融资

新闻

东芝：1200V SiC MOSFET样片大幅提升性能

东芝电子元件及存储装置株式会社于2026年5月20日开始发货1200V沟槽栅SiC MOSFET 'TW007D120E'的测试样品。该器件的品质因数Rds(on)×Qgd较现有产品提升约52%，公司将目标市场定位于AI数据中心电源及可再生能源设备。

Power Semiconductors东芝SiC MOSFET

新闻

越南：180号法令，2026年施行森林碳交易

越南政府颁布第180/2026/ND-CP号法令，对森林碳信用交易规定了底价、农业农村发展部核查要求及防止重复计算锁定机制。随着2026年7月执法的开始，拥有1487万公顷森林资源支撑的东南亚领先碳市场正式奠定其监管基础。

Sustainability越南森林碳

新闻

三菱电机：1200V NX IGBT损失减少19%

Mitsubishi Electric has begun sample shipments of its 8th-generation NX-type 1200V IGBT modules in May 2026. The new modules reduce power loss by up to 19% compared to the previous generation, targeting adoption in industrial inverters, UPS systems, and solar power generation systems.

Power SemiconductorsMitsubishi ElectricIGBT

新闻

TISFD：发布Beta 0.1版社会不平等披露框架

不平等与社会相关财务披露工作组（TISFD）于2026年5月26日发布Beta 0.1版。该框架以影响、依赖、风险与机遇四个维度整理人力资本、人权与不平等披露，并与TCFD、TNFD保持衔接。

SustainabilityTISFDsocial disclosure

实务解说

中国制IGBT：低价30%的TCO与质量评估

斯达半导体毛利率压缩6个百分点，中车时代电气半导体板块同样面临利润率压力——中国IGBT的低价格究竟是结构性竞争力，还是阶段性价格攻势？综合AEC-Q101认证成本、设计变更工时及供应风险，从全生命周期成本（TCO）维度重新评估采购决策。

Power SemiconductorsIGBT中国半导体

新闻

罗姆：750V SiC MOSFET在BBU中替代IGBT

ROHM的TOLL封装750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」于2025年9月进入量产阶段，正在AI服务器BBU（电池备用单元）应用中迅速普及。本文介绍其采用背景及关键规格。

Power SemiconductorsROHMSiC MOSFET

新闻

新西兰：NZ CS 1气候披露及三种情景

概述受XRB制定的新西兰气候准则约束的主体范围，以及NZ CS 1下的三情景分析要求。对比欧盟CSRD与IFRS S2，审视该框架的设计特点。

SustainabilityXRB新西兰

实务解说

双重实质性评估：CSRD IRO实施

CSRD第一波已于2024财年开始ESRS报告，而第二波和第三波则受2025年4月延期规定的影响。考虑到2025年12月的Omnibus I，我们将IRO识别和IMA/FMA确定拆解为实际操作流程。

SustainabilityCSRD双重实质性评估

新闻

日本金融厅：SSBJ独立保证与鉴证制度化

2026年5月19日，日本金融厅修订了SSBJ通知，将其生效日期与ISSA 5000采用日期（3月13日）对齐。5月25日，新成立的鉴证小委员会召开首次会议，标志着日本可持续信息披露独立鉴证框架的正式化迈出了具体一步。

SustainabilitySSBJISSA5000

新闻

印度SEBI/NISM：签署ESG/BRSR合作备忘录

由印度SEBI设立的NISM与隶属于企业事务部的IICA于2026年5月19日签署谅解备忘录。三家机构将合作推进ESG和BRSR信息披露能力建设，并支持中小微企业进入资本市场。

SustainabilitySEBIBRSR

新闻

世行：2026碳定价趋势与GHG 29%覆盖

根据世界银行于2026年5月19日发布的年度报告，包括碳税和排放交易体系（ETS）在内的87项碳定价工具已覆盖全球29%的温室气体排放，2025年政府碳定价收入超过1070亿美元。日本GX-ETS等新市场正陆续启动。

Sustainability碳定价世界银行

新闻

AI数据中心：安森美与英飞凌业绩回升信号

综合onsemi 2026年第一季度与英飞凌2026财年第二季度财报的共同趋势。随着AI数据中心电力需求急速扩张，汽车应用市场持续复苏。本文拆解设计与采购团队需掌握的双轴结构性转变。

Data Center Poweronsemi英飞凌

实务解说

Scope 3一次数据采集实践：向供应商收集什么以及如何收集

供应链排放量平均是直接运营排放量的11.4倍。本文基于GHG协议供应商参与指南及环境省指南（v1.0），系统梳理了应向哪些供应商收集一次数据、收集哪些内容，以及供应链追溯的深度边界。涵盖层级结构、集中度优先原则，以及针对中小型供应商的应对方法。

SustainabilityScope 3供应商参与

实务解说

SiC功率模块热设计实践：从结温、TIM、封装选择到液冷设计

SiC功率模块关键热设计要点的实践概览。涵盖TIM热阻主导性、实际液冷流量示例、顶部散热与双面散热封装对比，以及功率循环测试标准——面向设计与采购工程师编写。

Power SemiconductorsSiC热设计

专题

CBAM制度解读：范围与证书

CBAM已于2026年1月正式适用于钢铁、铝、化肥、水泥、氢和电力。本文梳理授权申报人、与EU ETS挂钩的证书、50吨小额豁免、2027年9月30日首次年度申报、2027年2月证书销售、Omnibus简化、2025年末实施规则和第三国碳价抵扣。

SustainabilityCBAM碳边境调节机制

实务解说

IGBT转SiC：通过小型化评估总拥有成本

决定从IGBT切换到SiC的关键标准，不是器件级别的成本比较，而是SiC所实现的散热系统与无源元件小型化如何改变整体系统BOM成本和产品规格。本文整理了针对不同应用场景的决策框架，以及作为过渡方案的混合SiC解决方案。

Power SemiconductorsIGBTSiC

实务解说

CSRD/CSDDD：日企务实应对与行动指南

企业可持续发展报告指令（CSRD）与企业可持续发展尽职调查指令（CSDDD）自2025年至2026年起开始直接影响日本企业。本指南系统梳理了《综合法案I》修订后的适用范围、供应链层级传导义务、实务应对步骤，以及与SSBJ准则的协调对接。

SustainabilityCSRDCSDDD

新闻

ESRS 2.0：EFRAG建议与简化要点公开

欧盟委员会已发布《欧洲可持续发展报告准则》（ESRS 2.0）2.0版草案，面向公众征询意见。该草案与欧洲财务报告咨询组（EFRAG）的技术建议保持一致，并为企业进一步简化了相关要求。

Sustainability可持续发展报告法规

新闻

德国：50亿欧元CCfD支持工业脱碳

In spring 2026, the European Commission formally approved €5 billion in state aid for Germany's industrial decarbonization program 'Klimaschutzverträge (Climate Protection Contracts).' Targeting three sectors where European carbon costs weigh most heavily — steel, chemicals, and cement — the scheme's core mechanism addresses the barriers that prevent companies from committing to decarbonization investments.

SustainabilitydecarbonizationCBAM

实务解说

GX-ETS：2026年度强制合规与核算指南

日本GX排放权交易制度（GX-ETS）将于2026年4月作为强制性制度正式启动，适用对象为年度CO₂排放量超过10万吨的GX联盟成员企业（约300至400家）。本指南涵盖合规第一年的端到端运营流程，包括排放源盘点、计算方法选择、第三方核查，以及与SSBJ信息披露的一体化设计。

SustainabilityGX-ETS排放权交易

实务解说

人权尽职调查实务流程——中型制造商应优先采取的6个步骤

将CSDDD与《供应链尽职调查法》（LkSG）所要求的人权尽职调查整理为6个可操作步骤，专为中型制造商设计。从政策制定、风险图谱梳理到申诉机制建立与信息披露，逐步说明各阶段所需记录的内容，帮助企业通过欧盟商业伙伴审计，全程以实务运营视角进行解析。

Sustainability人权尽职调查CSDDD

新闻

英飞凌：AI与宽禁带业务助Q2业绩上调

上调全年业绩指引，是半导体制造商慎之又慎的决策。在这个屡屡被库存修正和需求误判打个措手不及的行业，向上修订展望不仅会波及股价，更会在整个供应链中产生连锁反应。本文解读英飞凌科技在2026财年第二季度财报中做出这一判断的背景。

Power Semiconductors英飞凌氮化镓

实务解说

下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略

随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。

Power SemiconductorsGaNSiC

实务解说

SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南

Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。

Power SemiconductorsSiCWolfspeed

新闻

世界银行：碳定价政策目前覆盖全球约三分之一的排放量

据世界银行数据，碳定价政策目前覆盖全球约三分之一的温室气体排放量。这是碳定价作为气候变化减缓措施被广泛采用的重要指标。

Sustainability碳定价排放量

实务解说

CBAM申报实务流程：日本出口商必须准备的步骤与提交数据

在欧盟碳边境调节机制（CBAM）下，欧盟进口商承担直接申报义务，而日本制造商则负责计算并提供内嵌排放数据。本文从实务角度系统整理了各利益相关方的职责划分、申报工作流程及提交数据要求——涵盖过渡期内的季度报告，以及2026年起的年度申报与证书上缴。

SustainabilityCBAM欧盟法规

新闻

CBAM影响：印度铝出口减少41.7%

欧盟CBAM全面实施后，印度非合金铝对欧出口在一年内骤降41.7%。本文基于首批将碳成本转化为实际贸易成本的定量数据，深入分析制造商当前面临的结构性风险。

SustainabilityCBAM印度

新闻

碳化硅晶圆地缘政治：斗山收购SK Siltron意味着什么

韩国斗山宣布以约5万亿韩元收购SK Siltron全部100%股权。我们分析其垂直整合战略，该战略在碳化硅业务计提414亿韩元减值损失及1.2万亿韩元契约违约问题的背景下仍推进落实，并将其置于日韩供应链合作的宏观框架下加以解读。

Power Semiconductors碳化硅碳化硅晶圆

新闻

SSBJ/CBAM：2026年日企披露与碳成本

2026年2月内阁府令修订案确立了SSBJ强制披露的法律依据，而CBAM亦于同年1月正式全面执行。企业能否以供应链排放数据为共同基础，构建应对两项法规的一体化方案，将成为决定其竞争优势的关键。

SustainabilitySSBJISSB

新闻

印度半导体：塔塔-ASML合作与首座工厂

In May 2026, Tata Electronics and ASML signed a memorandum of understanding, bringing India's first advanced semiconductor fab closer to reality. From the $11 billion Dholera fab to the participation of Japanese firms including ROHM, India's supply chain buildout is moving from 'vision' to 'execution.'

Power SemiconductorsIndiasemiconductor fab

新闻

Cyient发布印度首款GaN功率IC

Cyient推出650V GaN功率IC，面向AI、电信、快速充电及电动出行应用。这些IC提升了功率效率，有助于改善下一代应用的整体性能。

Power SemiconductorsGaN功率IC

新闻

GaN市场：Navitas业绩与印度量产启示

Navitas Semiconductor 2026年第一季度业绩超出预期，股价大幅上涨，印证了其GaN技术的市场成功。

Power SemiconductorsGaN财务业绩

新闻

罗姆FY2025：SiC业务损失1584亿日元

ROHM在截至2025年3月的财年中，其功率半导体业务记录了1,936亿日元的减值损失，导致净亏损达1,584亿日元，主要归因于SiC业务的固定资产减值。

Power Semiconductors功率半导体SiC

新闻

SSBJ：2027年4月适用及供应商3项准备

日本可持续准则委员会（SSBJ）披露标准（适用于2027年4月财年）即将生效。本文梳理电子元件及功率半导体供应商在强制实施前需要完成的三项具体准备，以及如何从自身Scope 1/2数据的审计就绪性出发采取行动。

Sustainability可持续发展披露AI

实务解说

BRSR Core采购实务指南——印度中型上市企业的准备现状

BRSR Core的分阶段推进将在FY26-27覆盖印度前1,000家上市企业。采购从业人员需要了解印度上市中型企业须履行的信息披露义务，以及企业实际的应对动向。本文梳理了框架结构与企业实战应对案例。

SustainabilityBRSR印度

新闻

过渡期结束后的CBAM：日本钢铁与化工出口企业必须应对的课题

欧盟碳边境调节机制（CBAM）已于2026年1月全面实施。涵盖钢铁、铝、化肥、水泥、氢能、电力六大行业，日本出口企业面临计算并申报内含排放量的义务。本文梳理合规现状与关键实务课题。

SustainabilityCBAM欧洲

实务解说

从CDP响应记录解读日本中型制造企业的ESG披露成熟度

CDP响应历史可在采购评估中作为代理指标，用于衡量企业Scope 1和2数据收集基础设施与ESG披露成熟度。本文梳理日本CDP响应的实际状况，并探讨如何解读未响应企业的披露准备程度。

SustainabilityCDPESG披露

实务解说

循环经济：欧盟法规改变制造业资源循环

欧盟CEAP、电池法规和生态设计法规正在改变产品设计、废弃物管理和再生材料采购要求。本文梳理面向欧盟产品的制造业所需的循环设计行动、数据准备与供应链协同主要重点。

Sustainability循环经济欧盟法规

新闻

CSRD/CSDDD：欧盟客户合规要点

CSRD和CSDDD即便不直接适用，也可能通过欧洲客户的调查问卷、合同条款和披露请求传导至制造业供应链。本文梳理欧盟供应链合规的主要传导渠道、时间表与优先行动。

SustainabilityCSRDCSDDD

新闻

数据中心电力需求与功率器件趋势——2026年的核心议题

生成式AI投资推动数据中心电力消耗急剧增长。随着效率要求日益严格，基于SiC和GaN的UPS及PSU设计正逐步成为主流。本文分析电力基础设施中功率器件需求的演变趋势及其对采购的影响。

Data Center Power数据中心功率半导体

实务解说

EcoVadis评分提升实践：应对采购评估四大维度

EcoVadis是被西方主要企业广泛采用的ESG评分平台，用于供应商评估。评估涵盖四个维度——环境、劳工与人权、道德规范及可持续采购。本文说明各评分段的含义，并梳理达到Silver门槛（50分）的具体步骤。

SustainabilityEcoVadis采购评估

实务解说

ESG数据管理实践：如何设计收集、汇总与披露的基础设施

随着ESG披露义务的推进，构建数据收集、汇总和报告的基础设施已成为紧迫的运营需求。本文从构建披露就绪系统的角度，探讨电子表格管理的局限、专用工具的选择标准，以及如何设计内部数据流。

SustainabilityESG数据披露基础设施

实务解说

欧洲OEM：SiC采购战略转向

大众、宝马、Stellantis等欧洲主要OEM正在重构SiC采购战略。在垂直整合、长期合同、多元化采购并行的背景下，本文分析对一级供应商的影响、竞争轴心及应对方向。

Power SemiconductorsSiC欧洲OEM

实务解说

GaN-on-Si与工业电力电子的下一个十年

GaN-on-Si正在650V以下中低压应用领域取代硅器件。在EV车载充电器领域奠定基础后，这一技术正持续向工业电机控制、电信电源和工业UPS延伸。本文梳理各应用场景的导入趋势与关键采购考量。

Power SemiconductorsGaN功率半导体

新闻

2026年绿氢成本趋势：制造成本现状与采购启示

受可再生能源价格下降和电解槽规模化双重驱动，绿氢生产成本呈下降趋势，但截至2026年，与灰氢之间仍存在3至4倍的成本差距。本文梳理生产、运输和需求端的挑战，并阐明日本制造企业直接面临的情景。

Sustainability绿氢脱碳

新闻

GX-ETS第二阶段对中型供应商的连锁影响

2026年4月实施的GX-ETS第二阶段，影响并不局限于约300至400家直接监管企业。大型企业为减排所承担的成本结构，将不可避免地通过供应链要求向中小型制造商传导。本文梳理影响将从哪些渠道传来。

SustainabilityGX-ETS日本

实务解说

人权尽职调查的实践：日本制造商的核心课题

在日本《商业与人权国家行动计划（2021—2025年）》和欧盟CSDDD压力的双重背景下，覆盖整个供应链的人权尽职调查已成为日本制造商的实际课题。本文梳理基本结构——识别什么、如何应对、披露什么——并明确应对优先级。

Sustainability人权尽职调查供应链

专题

IGBT市场格局转变——中国制造商如何重塑采购格局

BYD Semiconductor、斯达半导体、CRRC时代电气等中国IGBT制造商正在快速提升国内自给率并加速进军全球市场。价格竞争加剧和产能过剩隐忧正在重塑与欧日供应商的竞争格局。本文分析采购层面的影响。

Power SemiconductorsIGBT中国半导体

实务解说

印度绿色制造转型：PLI计划与BRSR带来的双重变革

印度通过PLI强化制造业实力，同时推进BRSR Core分阶段强制披露。本文从全球供应商评估角度，梳理PLI竞争力、BRSR准备程度与再生能源采购可行性主要重点。

Sustainability印度PLI

新闻

内部碳定价：制造商如何将碳成本嵌入商业决策

ICP（内部碳价）是企业在碳税、ETS等外部监管之前自行设定碳排放价格并将其纳入投资决策的机制。将ICP概念应用于设备升级、供应商评估和产品设计，可从结构上将碳风险嵌入商业决策。本文梳理实施方式与实践选项。

Sustainability内部碳价碳定价

实务解说

J-Credit：制造业二氧化碳减排活用实务

J-Credit制度允许制造商将节能设备导入、可再生能源利用及森林管理所带来的CO2减排量转换为认证信用额度，进而用于GX-ETS合规抵消或Scope 2减排证明。本文梳理对制造业最实用的方法论及申请流程中的关键注意事项。

SustainabilityJ-Credit节能

实务解说

功率模块一级供应商竞争力比较

本文从产品阵容、SiC能力、供应产能和价格竞争力四个维度，对Infineon、onsemi、STMicro、Mitsubishi Electric、Fuji Electric和ROHM六家领先功率模块供应商进行基准评测，供采购来源选择参考。

Power Semiconductors功率模块供应商比较

实务解说

PCF计算实务：从哪里开始，在哪里停止

来自客户的PCF（产品碳足迹）数据请求正在增加。本文梳理基于ISO 14067和GHG Protocol产品标准的计算结构、如何设定务实优先级，以及常见的难点所在。

SustainabilityPCFLCA

实务解说

再生能源：J-Credit、非化石证书与PPA比较

降低Scope 2排放的主要选项有三种：J-Credit、非化石证书（FIT和非FIT）以及PPA。由于三者在成本、实施难易度及RE100等倡议适用性方面各有不同，企业须根据自身情况选择合适的组合。本文梳理各选项特征并提供选择框架。

Sustainability可再生能源采购J-Credit

实务解说

SBTi中小企业计划实践：与标准路径的差异及申请方法

SBTi（科学碳目标倡议）为中小型企业（SME）提供简化的承诺路径。本文梳理其与标准路径的差异、申请所需准备工作及日本企业的实际案例，供已收到主要客户SBTi承诺要求的中型制造商参考。

SustainabilitySBTiSME

实务解说

制造业Scope 3实务：分类测量与优先级设定方法

GHG Protocol将Scope 3分为15个类别。制造商披露价值链排放时，应优先关注的类别取决于所在行业和供应链结构。本文基于排放量权重和测量难度，梳理优先级设定方法。

SustainabilityScope 3GHG Protocol

新闻

SiC需求迎来拐点——EV放缓如何开启工业市场机遇

EV需求增长放缓促使SiC市场预测下调。与此同时，工业设备、太阳能和数据中心的需求扩张超出预期，需求多元化正成为结构性转变。本文探讨这一变化对供应商需求组合评估的影响。

Power SemiconductorsSiCEV

实务解说

SiC模块封装技术趋势——下一代封装如何重新定义热设计

SiC功率模块的性能瓶颈往往源于封装而非器件本身。从硅凝胶封装向环氧树脂和陶瓷封装的转变，以及双面冷却结构的采用，是决定下一代SiC系统竞争力的封装与组装技术趋势。

Power SemiconductorsSiC功率模块

实务解说

太阳能逆变器功率器件选型逻辑

太阳能功率调节系统（PCS）根据应用类型和输出规模，选择性地使用Si IGBT、SiC MOSFET和GaN-on-Si。本文梳理器件选型的决策标准、主要供应商定位及关键采购考量。

Power Semiconductors太阳能发电功率调节系统

专题

SSBJ披露标准：日本强制披露准备全貌

SSBJ标准已于2025年3月确定；2026年2月内阁府令修订确认，Prime市场市值3万亿日元以上企业自2027年3月期起强制适用。

SustainabilitySSBJESG披露

实务解说

TCFD气候风险财务影响评估：量化制造商的转型风险与实物风险

基于TCFD框架的气候风险披露，要求估算转型风险和实物风险对财务报表的影响。这一工作对于SSBJ和ISSB标准合规同样不可或缺。本文从制造商视角，梳理概念方法与具体影响路径。

SustainabilityTCFD气候风险

新闻

TNFD：自然相关风险披露框架及其对制造商的适用

TNFD（自然相关财务披露工作组）于2023年发布最终建议，建立了一套涵盖生物多样性、水资源、土地和海洋四大自然领域风险披露的框架。本文梳理这一常被称为"TCFD自然界版本"的框架如何应用于制造商供应链评估。

SustainabilityTNFD生物多样性

新闻

宽禁带半导体制造成本趋势——解读SiC与GaN的成本曲线

向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。

Power SemiconductorsSiCGaN

实务解说

AI数据中心电源：设计趋势全面解析

运行GPT-4的单个服务器机架功耗，从2020年平均10-15kW飙升至搭载最新AI加速器的机架超过100kW，配备NVIDIA H100的高密度机架单体接近70kW，而下一代Blackwell架构预计将进一步突破120kW。

Data Center PowerAI serverdata center

实务解说

AI服务器电源：GaN采用标准

决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。

Power SemiconductorsAI serverGaN

新闻

BYD Semiconductor扩大SiC量产规模

2024年，BYD旗下半导体子公司BYD Semiconductor宣布扩大1200V SiC MOSFET量产线，以提高EV逆变器的自供率。这一举措的意义不仅在于垂直整合本身，更体现了全球最大EV制造商谋求控制功率半导体上游的战略意图。

Power SemiconductorsBYDEV

实务解说

中国SiC制造商：选型标准

许多团队在是否采用中国SiC制造商的问题上存在内部分歧，部分人员提出质量担忧，另一部分则强调无法回避的成本因素。然而，以"因是中国就不采用"或"因便宜就采用"来回答这一问题过于简单化；真正需要探讨的是验证框架——即如何通过确认具体内容来做出合理决策。

Power SemiconductorsChinaSiC

实务解说

EV功率半导体应用选型矩阵

单台逆变器搭载的SiC功率模块成本是传统Si基模块的2至3倍，然而EV制造商正在加速向SiC过渡，因为整体系统效率的提升和体积的减小抵消了更高的零部件成本；但并非简单地"使用SiC"，EV功率转换系统分为多个应用场景，各有不同的……

Power SemiconductorsEVpower module

实务解说

电动汽车SiC逆变器：损耗计算与效率提升

EV逆变器转换效率提升1%即可带来数公里的续航差异；当设计工程师面临超越目录值、追求实际效率提升的挑战时，首先遇到的问题是"计算哪些损耗、如何计算"。若不能正确分解损耗构成，即便采用SiC，也可能无法获得预期的效率改善。

Power SemiconductorsEVSiC

实务解说

EV应用中SiC与GaN的选择：如何挑选合适材料

800V电池系统的采用正在加速，保时捷Taycan、现代IONIQ 6和起亚EV6等车型均从传统400V架构升级至双倍电压，以缩短充电时间并提升驾驶效率，这一趋势直接影响功率器件的选择，SiC与GaN的细分格局正在形成。

Power SemiconductorsEVGaN

新闻

Fuji Electric发布下一代IGBT

2020年代中期，随着硅IGBT即将过时的声音日益增多，Fuji Electric发布了下一代IGBT。公司将其定位为"第8代"，据报道该产品在开关损耗和导通电压方面相比传统型号实现了显著改善，有望在EV逆变器领域引发变革。

Power SemiconductorsIGBT富士電機

实务解说

GaN功率半导体：高效率与小型化的双重优势

如果你曾为在逆变器设计中将功率转换效率提升哪怕一个百分点而苦苦钻研，那么数据本身就能告诉你GaN（氮化镓）带来了什么改变：硅基MOSFET的开关频率上限在数十kHz，而GaN可轻松应对数MHz级别的频率，从而缩小无源器件（电感、电容）的体积。

Power SemiconductorsGaNpower semiconductor

实务解说

SiC与GaN时代，IGBT是否仍有价值？

功率转换市场的格局正在深刻变化：SiC功率器件全球市场预计在2030年代前后迎来快速扩张，GaN的应用范围也从家电延伸至数据中心电源。在此背景下，硅基IGBT究竟是否已经过时？

Power SemiconductorsIGBTSiC

实务解说

工业变频器中SiC可靠性评估的关键要点

在工业变频器设计中考虑采用SiC MOSFET时，讨论的焦点往往集中在损耗和开关速度上。然而，在实际应用中更为根本且常被忽视的问题是：器件能否在负载短路时存活。EV与工业设备的应用特性有所不同，工业变频器对运行持续性要求极高，设备意外短路时的可靠保护能力直接影响系统整体可靠性。

Power SemiconductorsSiCindustrial

新闻

Infineon CoolSiC产品系列更新解读

作为SiC MOSFET市场的领导者，Infineon正在持续更新其CoolSiC产品系列。此举不仅仅是产品增补，而是涵盖电压范围扩展和栅极结构改进的战略行动，对整个行业具有深远意义。

Power SemiconductorsInfineonSiC

新闻

Infineon与SK Siltron签署SiC晶圆供应协议

2025年，Infineon与SK Siltron签署了多年期SiC晶圆供应协议，这一举动象征着SiC供应链的结构性转变——通过单一长期合同锁定晶圆采购，将决定功率半导体的竞争力。

Power SemiconductorsInfineonSK Siltron

新闻

日本功率半导体三社整合进展

自2025年以来被反复报道的"日本功率半导体三社整合"概念，作为经济产业省支持的国家主导重组举措备受关注；然而追踪相关企业的动向，整合的轮廓仍然模糊，有必要厘清当前局势中已确定的事项与尚未确定的事项。

Power SemiconductorsJapanmarket restructuring

新闻

三菱电机：与Coherent开发8英寸SiC衬底

Mitsubishi Electric与光学元件及半导体材料领域领先企业Coherent达成协议，将联合开发8英寸（200mm）SiC晶圆，这标志着从当前6英寸（150mm）主流的重要转变，将通过增加每片晶圆的芯片数量从根本上改变制造成本结构。

Power Semiconductors8-inch SiCCoherent

新闻

onsemi SiC业务业绩展望

进入2025年，普遍观点认为onsemi的SiC业务增长未达市场预期，以EV逆变器为主的SiC业务正面临欧美电气化步伐放缓的逆风，全年预测出现多次下调。然而公司在SiC投资战略上依然坚定不移，这种"坚守阵地"的姿态值得深入分析。

Power SemiconductorsSiConsemi

实务解说

功率半导体市场重组图谱 2026

尽管多家调研机构预测全球SiC功率半导体市场2025年将达到约30亿美元、2030年将突破100亿美元，但行业当前的焦点已从"增长"转向"重组"——问题不再是"谁将占领市场"，而是"谁能存活下去"。

Power SemiconductorsGaNSiC

实务解说

功率半导体供应商评估基础

一个准备大批量生产EV逆变器的设计团队，在选择SiC MOSFET供应商时遭遇了第一道难关："我们不知道该对比哪些数据手册。"单纯并排比较规格表远远不够——测量条件不同，数字的含义截然不同，而各家公司提供的可靠性数据格式又参差不齐，根本无法直接比较。

Power SemiconductorsSiCproduction

新闻

Renesas收购Transphorm GaN业务

Renesas Electronics已同意收购GaN-on-SiC垂直GaN结构先驱Transphorm，这笔预计于2025年完成的交易将从根本上改变其功率半导体产品组合。

Power SemiconductorsGaNM&A

新闻

瑞萨：与Wolfspeed签10年SiC晶圆供应协议

Renesas Electronics与Wolfspeed签署了一份为期十年的SiC晶圆长期供应协议，这一前所未有的合作期限本身，已足以说明该协议在半导体行业的重要性，也标志着SiC晶圆采购已超越买方市场的范畴。

Power SemiconductorsRenesasSiC

实务解说

ROHM第五代SiC MOSFET的导入评估

随着下一代SiC MOSFET的问世，许多企业正在追问："我们想评估第五代产品，但从哪里入手？"鉴于ROHM第四代产品已实现低导通电阻（RonA）与高短路耐受能力的兼顾，第五代的评估不能止步于器件规格本身，还必须涵盖与保护电路的兼容性和热设计裕量。

Power SemiconductorsROHMSiC

实务解说

主要半导体厂商在SiC、GaN与IGBT领域的投资策略比较

EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。

Power SemiconductorsGaNIGBT

实务解说

SiC 8英寸晶圆供应体系建设现状

SiC功率半导体晶圆尺寸正从6英寸（150mm）向8英寸（200mm）迁移，但"迁移已启动"与"稳定供应体系建立"之间仍存在显著差距；从设计和采购视角评估8英寸晶圆供应链时，迁移进度是核心变量。

Power Semiconductors8-inch SiCSiC

实务解说

SiC与GaN商业机会评估框架

"SiC还是GaN"这一下一代功率半导体的经典命题，在业界被反复提及，但提问方式本身略显简单化。两者同为宽禁带半导体，却在最佳电压范围、开关特性和成本结构上截然不同。答案不在于"哪个更优"，而在于"针对哪种应用、哪个电压范围、以何种时间维度进行评估"。

Power SemiconductorsGaNSiC

实务解说

SiC 栅极驱动器选型关键要点

随着 SiC MOSFET 的普及加速，栅极驱动器的选型越来越直接决定设计品质；核心在于 SiC 器件芯片面积小、电流密度高，短路时温度上升速度远快于硅（Si）器件，因此保护电路的设计思路必须与 Si 时代有所不同。

Power SemiconductorsSiCgate driver

实务解说

SiC 模块与分立器件：选型标准

在逆变器设计初期一旦决定采用 SiC，紧接而来的问题便是选用模块还是分立器件。这一看似仅为实现形式的选择，实际上从根本上影响系统性能、PCB 面积、保护电路设计以及采购灵活性。

Power SemiconductorsSiCpower module

实务解说

SiC 晶圆价格趋势与 2026 年展望

2024 年 SiC 功率半导体市场需求增速低于预期，促使部分厂商调整生产计划。这一"平台期"局面直接影响从器件设计成本核算到采购策略重构的一系列决策，并引发了晶圆价格走势的疑问。要讨论 2026 年的展望，须先理解 SiC 晶圆价格居高不下的结构性原因。

Power SemiconductorsSiCSiC wafer

实务解说

应对 SiC 晶圆采购风险

随着 SiC 功率半导体的加速普及，设计完成后确保晶圆稳定供应正日益成为最大瓶颈——无论设计阶段选定了多优秀的器件，没有晶圆就无法量产。要管理供应链风险，须从结构上理解"瓶颈在哪个环节、以何种方式发生"，这是决策的起点。

Power SemiconductorsSiCSiC wafer

新闻

ST意法：Ampere用SiC模块2026年量产

STMicroelectronics与Ampere（EV动力总成设计公司，非原Oracle旗下的Arm架构服务器设计商）据报正就下一代EV牵引逆变器用SiC功率模块展开合作，目标2026年实现量产；这一公告内容直接，却折射出"SiC全面导入阶段"驱动下的行业整合动向。

Power SemiconductorsAmpereEV

新闻

STMicroelectronics SiC新工厂：量产进展

STMicroelectronics通过逐步扩建意大利卡塔尼亚的SiC功率半导体工厂来承接EV和工业需求，考量其投资规模与时机，以及SiC业务面临的盈利变现压力，这一举措所蕴含的意义远不止产能扩充。

Power SemiconductorsEVSTMicroelectronics

新闻

Toshiba三栅极IGBT实现40%损耗削减

Toshiba发布全新"三栅极IGBT"结构，相较传统产品可实现最高40%的损耗削减；这40%的改善不只是代际规格升级，在工业设备、轨道交通和大型逆变器等IGBT主战场，即使1%的损耗降低也直接关系到系统冷却成本和年度电费开支。

Power SemiconductorsIGBTToshiba

实务解说

Wolfspeed：重组后SiC采购风险变化

Wolfspeed emerged from Chapter 11 in September 2025. While the risk of financial insolvency has been resolved, the Mohawk Valley Fab continues to run at utilization rates in the low 20s, shifting the fundamental risk from 'bankruptcy concern' to 'utilization-rate dependency.' Drawing on the strategic equity relationship with Renesas and Q3 FY2026 results, this article reexamines the evaluation criteria for SiC procurement.

Power SemiconductorsSiCWolfspeed