主题

Power Semiconductors

SiC / GaN / IGBT vendor dynamics, supply chain, and procurement risk

下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略

随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。

Navitas Semiconductor 2026年第一季度业绩超出预期，股价大幅上涨，印证了其GaN技术的市场成功。

GaN-on-Si正在650V以下中低压应用领域取代硅器件。在EV车载充电器领域奠定基础后，这一技术正持续向工业电机控制、电信电源和工业UPS延伸。本文梳理各应用场景的导入趋势与关键采购考量。

SiC功率模块的性能瓶颈往往源于封装而非器件本身。从硅凝胶封装向环氧树脂和陶瓷封装的转变，以及双面冷却结构的采用，是决定下一代SiC系统竞争力的封装与组装技术趋势。

向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。

决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。

EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。