Power Semiconductors
SiC / GaN / IGBT vendor dynamics, supply chain, and procurement risk
Power Integrations实现业界首个2200V GaN
Power Integrations于2026年8月5日发布业界首个2200V规格PowiGaN技术。目标应用涵盖AI数据中心1500V配电、电动汽车辅助电源、光伏逆变器等，标志着GaN进军长期由SiC主导的高压领域。
Navitas与Magnachip：3300V SiC授权
Navitas于2026年7月23日宣布，向Magnachip授权GeneSiC Gen4/Gen5技术，覆盖1200V、2300V及3300V以上。Magnachip将把技术转移至韩国自有晶圆厂实现内制化。目标是电网基础设施、工业电气化和储能等高压市场，而非仅限EV，显示SiC竞争正从汽车扩展至电力与工业领域。
SiC/GaN 2026：中国OEM需求
经历减值周期后，SiC/GaN正在需求和技术两端转向。onsemi向NIO的900V化和Geely的SEP系统供应EliteSiC，并与Innoscience合作GaN；Toshiba推出新栅极驱动，ROHM量产TSC3PAK。
电网稳定用功率半导体实用指南：STATCOM、HVDC、FACTS
对用于STATCOM和HVDC系统的功率半导体的全面概述，这些系统因可再生能源并网而需求增长。涵盖三菱电机的±450MVAr应用业绩、英飞凌的4500V IGBT模块、LCC与VSC技术选型以及采购见解。
Wolfspeed：第5代SiC，比导通电阻最高降27%
Wolfspeed于2026年6月9日发布第5代SiC技术，较竞争对手的1200V方案将比导通电阻（RSP）最高降低27%。覆盖1200V/750V、基于已量产就绪的200mm平台，面向车载牵引逆变器、工业电源与EV充电基础设施。
下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略
随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。
GaN市场：Navitas业绩与印度量产启示
Navitas Semiconductor 2026年第一季度业绩超出预期，股价大幅上涨，印证了其GaN技术的市场成功。
GaN-on-Si与工业电力电子的下一个十年
GaN-on-Si正在650V以下中低压应用领域取代硅器件。在EV车载充电器领域奠定基础后，这一技术正持续向工业电机控制、电信电源和工业UPS延伸。本文梳理各应用场景的导入趋势与关键采购考量。
SiC模块封装技术趋势——下一代封装如何重新定义热设计
SiC功率模块的性能瓶颈往往源于封装而非器件本身。从硅凝胶封装向环氧树脂和陶瓷封装的转变，以及双面冷却结构的采用，是决定下一代SiC系统竞争力的封装与组装技术趋势。
宽禁带半导体制造成本趋势——解读SiC与GaN的成本曲线
向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。
AI服务器电源：GaN采用标准
决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。
主要半导体厂商在SiC、GaN与IGBT领域的投资策略比较
EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。