Power Semiconductors

电网稳定用功率半导体实用指南：STATCOM、HVDC、FACTS

对用于STATCOM和HVDC系统的功率半导体的全面概述，这些系统因可再生能源并网而需求增长。涵盖三菱电机的±450MVAr应用业绩、英飞凌的4500V IGBT模块、LCC与VSC技术选型以及采购见解。

水电解功率半导体实用指南：绿氢与碳化硅(SiC)/绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

用于绿氢生产的电解水系统功率电子器件概览。介绍了兆瓦级SiC的应用、电网规范合规性、安森美(onsemi)/英飞凌(Infineon)的PFC/DC-DC解决方案，以及关于资本支出(CAPEX)/运营支出(OPEX)的见解。

IGBT与SiC MOSFET的区别：如何选型

IGBT与SiC MOSFET有何不同，在哪些用途下应选哪一个？本文从器件结构（双极对单极）、导通与开关损耗、耐压与频率范围、成本，以及EV、工业、光伏、数据中心电源等按用途的选型加以梳理。

Mitsubishi Electric has begun sample shipments of its 8th-generation NX-type 1200V IGBT modules in May 2026. The new modules reduce power loss by up to 19% compared to the previous generation, targeting adoption in industrial inverters, UPS systems, and solar power generation systems.

中国制IGBT：低价30%的TCO与质量评估

斯达半导体毛利率压缩6个百分点，中车时代电气半导体板块同样面临利润率压力——中国IGBT的低价格究竟是结构性竞争力，还是阶段性价格攻势？综合AEC-Q101认证成本、设计变更工时及供应风险，从全生命周期成本（TCO）维度重新评估采购决策。

罗姆：750V SiC MOSFET在BBU中替代IGBT

ROHM的TOLL封装750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」于2025年9月进入量产阶段，正在AI服务器BBU（电池备用单元）应用中迅速普及。本文介绍其采用背景及关键规格。

IGBT转SiC：通过小型化评估总拥有成本

决定从IGBT切换到SiC的关键标准，不是器件级别的成本比较，而是SiC所实现的散热系统与无源元件小型化如何改变整体系统BOM成本和产品规格。本文整理了针对不同应用场景的决策框架，以及作为过渡方案的混合SiC解决方案。

IGBT市场格局转变——中国制造商如何重塑采购格局

BYD Semiconductor、斯达半导体、CRRC时代电气等中国IGBT制造商正在快速提升国内自给率并加速进军全球市场。价格竞争加剧和产能过剩隐忧正在重塑与欧日供应商的竞争格局。本文分析采购层面的影响。

太阳能逆变器功率器件选型逻辑

太阳能功率调节系统（PCS）根据应用类型和输出规模，选择性地使用Si IGBT、SiC MOSFET和GaN-on-Si。本文梳理器件选型的决策标准、主要供应商定位及关键采购考量。

Fuji Electric发布下一代IGBT

2020年代中期，随着硅IGBT即将过时的声音日益增多，Fuji Electric发布了下一代IGBT。公司将其定位为"第8代"，据报道该产品在开关损耗和导通电压方面相比传统型号实现了显著改善，有望在EV逆变器领域引发变革。

SiC与GaN时代，IGBT是否仍有价值？

功率转换市场的格局正在深刻变化：SiC功率器件全球市场预计在2030年代前后迎来快速扩张，GaN的应用范围也从家电延伸至数据中心电源。在此背景下，硅基IGBT究竟是否已经过时？

主要半导体厂商在SiC、GaN与IGBT领域的投资策略比较

EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。