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Power Semiconductors

SiC / GaN / IGBT vendor dynamics, supply chain, and procurement risk

AI服务器电源：GaN采用标准

决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。

许多团队在是否采用中国SiC制造商的问题上存在内部分歧，部分人员提出质量担忧，另一部分则强调无法回避的成本因素。然而，以"因是中国就不采用"或"因便宜就采用"来回答这一问题过于简单化；真正需要探讨的是验证框架——即如何通过确认具体内容来做出合理决策。

一个准备大批量生产EV逆变器的设计团队，在选择SiC MOSFET供应商时遭遇了第一道难关："我们不知道该对比哪些数据手册。"单纯并排比较规格表远远不够——测量条件不同，数字的含义截然不同，而各家公司提供的可靠性数据格式又参差不齐，根本无法直接比较。

随着下一代SiC MOSFET的问世，许多企业正在追问："我们想评估第五代产品，但从哪里入手？"鉴于ROHM第四代产品已实现低导通电阻（RonA）与高短路耐受能力的兼顾，第五代的评估不能止步于器件规格本身，还必须涵盖与保护电路的兼容性和热设计裕量。

"SiC还是GaN"这一下一代功率半导体的经典命题，在业界被反复提及，但提问方式本身略显简单化。两者同为宽禁带半导体，却在最佳电压范围、开关特性和成本结构上截然不同。答案不在于"哪个更优"，而在于"针对哪种应用、哪个电压范围、以何种时间维度进行评估"。

在逆变器设计初期一旦决定采用 SiC，紧接而来的问题便是选用模块还是分立器件。这一看似仅为实现形式的选择，实际上从根本上影响系统性能、PCB 面积、保护电路设计以及采购灵活性。