パワー半導体
パワー半導体 市場レポート 2026：SiC/GaNサプライヤー比較
パワー半導体の市場調査レポート 2026年版。Infineon・STMicro・ロームなど主要SiC/GaNサプライヤーの製品競争力、量産実績、価格低下余地、供給継続性を比較し、調達判断に使える指標をPDF・Markdown・JSONLで整理。
このレポートで把握できること
14社
日系、米国系、欧州系、中国系の主要プレイヤーを横断。
SiC / GaN / Si IGBT
次世代材料だけでなく、既存Si技術の残り方も整理。
PDF + Markdown + JSONL
読む・共有する・LLMに直接投入する用途をそれぞれの形式でカバー。
2026-2030
短期イベントと中期の量産・コスト変化を分けて確認。
市場構造の変化
200mm SiCウェハ移行
コスト競争力の再編
日本3社の統合協議（ローム・東芝D&S・三菱電機）
供給継続性の論点
中国勢の拡張（BYD・CRRC・Silan）
価格圧力の増大
- 需要はEV一辺倒から、データセンター・産業用途へ分散し始めた。
- 200mm SiCウェハ移行が、各社のコスト競争力の順位を塗り替える。
- 日本3社の統合協議と中国勢の拡張で、供給網と価格の前提が動く。
基板調達と供給継続性
SiC基板をどう確保するか
自社完結 ↓ 外部・契約依存
完全垂直統合（基板から内製）
供給リスク最小・ダイコスト優位
マルチソース調達
特定サプライヤーへの依存を分散
戦略提携・長期契約
契約で継続性を確保、相手先の動向に連動
基板専業（供給元）
調達側はセカンドソースを要検討
- 垂直統合勢（onsemi・BYD半導体）は基板から内製し、コストと供給の両面で優位。
- Infineonはマルチソースで特定の基板メーカーへの依存を分散する。
- 提携・長期契約組は継続性を確保する一方、相手先の財務・歩留まりに連動する。
提供形式
社内共有や印刷に使いやすい固定レイアウト版。
Markdown
LLMへの投入、社内メモ化、比較表の再利用に向く編集可能なテキスト版。
JSONL
ファクトデータを1行1レコードで構造化。RAGやAPIパイプラインへの直接投入に対応。
収録内容（章構成）
クリックで各章の詳細1エグゼクティブサマリー需要回復、200mmウェハ移行、日本3社統合、中国勢拡張という大きな変化を、最初に全体像として整理します。
- EV需要の短期変動と、データセンター・産業用途への需要分散
- 200mm SiCウェハ移行がコスト競争力に与える影響
- 日本3社統合協議と中国メーカー台頭による業界構造の変化
- 需要、技術、供給、政策を並べた主要判断ポイント
2市場規模・構造パワー半導体市場を用途、地域、材料転換の観点で分解し、どこに成長余地と価格圧力があるかを確認します。
- 2024年時点の市場規模推計と2030年代に向けた成長レンジ
- xEV、産業・再エネ、AIデータセンター、民生・ICTなど用途別の構造
- AIデータセンター向けGaN電源需要の立ち上がり
- 日本、米国、欧州、中国、東南アジアの地域別投資・政策動向
3技術動向：SiC・GaN・Si IGBTSiCだけでなく、GaNとSi IGBTも含めて、材料ごとの生き残り領域と採用時の確認点を整理します。
- Si IGBT第7世代以降の延命領域と、SiCに置き換わりにくい用途
- SiC MOSFETの6インチから8インチへの移行、歩留まり、基板調達リスク
- GaN on SiとGaN on SiCの経済性、AIサーバー電源での採用可能性
- 短絡耐量、認証、ゲート酸化膜、パッケージ寄生インダクタンスなど信頼性論点
4業界再編・M&A・提携動向買収、統合協議、経営再建、共同開発を、単発ニュースではなく業界構造の変化として読みます。
- ローム・東芝デバイス&ストレージ・三菱電機の統合協議
- Infineon、Renesas、onsemi、STMicroelectronicsなどの技術・供給網強化
- 垂直統合とファブレス化の二極化
- 統合後のPMI、製品ライン整理、供給継続性への影響
5主要メーカー個別分析対象企業ごとに、製品領域、技術ポジション、量産体制、リスクを比較できるように整理します。
- 日系、米国系、欧州系、中国系メーカーのポジション比較
- SiC、GaN、Si IGBT、モジュールのどこに強みがあるか
- 用途別ベンダー選定マトリクス
- 材料別の採用候補とリスク整理
6中国勢の動向中国メーカーの量産能力、品質・認証の壁、海外展開の経路を、価格圧力と供給網リスクの両面から見ます。
- BYD半導体、CRRC時代電気、Silan Microelectronicsなどの拡張状況
- 国産化政策と設備投資がもたらす供給能力
- 第三国経由モジュールでの素子原産地リスク
- 欧米・日系メーカーに対する価格圧力シナリオ
7今後の注目ポイントと市場見通し12〜24ヶ月で見ておきたいイベント、強気・基調・弱気シナリオ、導入側のアクションをまとめます。
- AIデータセンター向けGaN需要の定量予測
- 日系3社統合の進捗と製品ライン整理リスク
- 需要・供給それぞれの変化点
- サプライヤー評価、セカンドソース、仕様確認に関するアクションリスト
出典付きファクト（抜粋）
レポートに収録している出典付きファクトの一部です。数値・契約・技術仕様は、すべて公開された一次情報に紐づいています。
ルネサスはWolfspeedと10年間のSiCウェハ供給契約を締結し、2025年からのSiC量産に向けた材料調達を確保した。
契約により、ルネサスはWolfspeedからSiCベアウェハおよびエピタキシャルウェハの供給を10年間受ける。
三菱電機はCoherentと8インチSiC基板を共同開発し、SiCパワー半導体の安定供給を目指している。
三菱電機は熊本県泗水地区の新工場棟で使う高品質8インチSiC基板について、Coherentとの共同開発でパートナーシップを強化する。
InfineonはSiCウェハおよびブールについて6社超の認定サプライヤーを持つと説明している。
2024年度第2四半期投資家資料では、SiC調達基盤として6社超の認定SiCウェハ・ブールサプライヤーが示されている。
Navitasは2024年12月時点でGaNデバイス2億4000万個超、SiCデバイス約3000万個を出荷済みとしている。
Navitasの年次報告書は、2024年12月時点でGaNが2億4000万個超、SiCが約3000万個出荷済みであると説明している。
東芝はトリプルゲートIGBTでスイッチング損失を全体で最大40.5%低減する技術を開発した。
新構造のシリコンIGBTとゲート制御技術により、従来比でターンオン損失50%、ターンオフ損失28%、全体で最大40.5%の低減を達成した。
富士電機の第7世代IGBTモジュール「Xシリーズ」は、従来品比でインバータ動作時の電力損失を10%削減する。
Xシリーズは従来製品と比較してインバータ動作時の電力損失を10%削減し、チップ温度を11℃低減すると説明されている。
読み始める前に持てる問い
- SiC 8インチ移行は、どの企業のコスト競争力に効きやすいか。
- GaNはAIデータセンター向けでどの程度の需要余地があるか。
- Si IGBTはどの用途で継続採用が合理的か。
- 日本3社統合が進んだ場合、製品ラインや供給継続性にどんな確認点が生じるか。
- 中国メーカーはどの用途から価格圧力を強める可能性があるか。
- サプライヤー選定時に、公開情報だけでどこまで比較できるか。
主要プレイヤーの布陣
| 企業 | SiC | GaN | Si IGBT | モジュール |
|---|---|---|---|---|
| Infineon | ● | ● | ● | ● |
| STMicroelectronics | ● | ○ | ○ | ● |
| onsemi | ● | ○ | ● | ● |
| Wolfspeed | ● | – | – | ○ |
| Navitas | ○ | ● | – | – |
| 三菱電機 | ● | ○ | ● | ● |
| ローム | ● | ○ | ● | ● |
| BYD半導体 | ● | – | ● | ● |
代表8社の材料別の注力領域。ほか計14社をレポートで横断比較。
- 欧米大手は材料を横断、専業（Wolfspeed・Navitas）は一点突破。
- 日系は統合協議で布陣が動く局面にある。
- 中国勢は自社EV需要を軸に垂直統合を進める。
対象企業
想定する使い方
- サプライヤー候補の比較軸をそろえる
- SiC・GaN・Si IGBTの採用領域を整理する
- レポート本文をLLMに読み込ませて社内用途別に再整理する
- 企業別の量産・技術・供給継続性をまとめて確認する