Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
電動車市場 · ニュース
理想汽車が2026年7月16日、Allurグループとカザフスタン・コスタナイでの現地組立MOUを締結。同年7月20日にアルマティで新型Li L9を発表し中国国外初の市場デビューを果たした。中国以外での初の生産拠点となる。
ニュース
中国国務院新聞弁公室によると、GMとSAIC汽車が合弁契約を2047年まで20年延長。2030年までにNEV30車種以上を投入予定で、Buick Electra E7は2026年10月に初の海外輸出を開始する。SAIC汽車は累計生産1億台を達成。
Power Integrationsが2026年8月5日、業界初となる2200V対応のPowiGaN技術を発表。AIデータセンターの1500V配電、EV補機、太陽光インバーター等が用途対象。従来SiCが占めてきた高耐圧領域にGaNが進出する動きとなる。
Nextpowerが2026年7月30日、スペイン・Zigor Corporationのパワーコンバージョン事業とApex Powerの資産買収を完了。米国複数拠点での製造を加速し、2027年初頭に納入開始、12カ月以内に10GW超の容量稼働を目指す。
SSBJ事務局が2026年7月31日、「SSBJ基準のすべての定めに準拠していない場合の開示」ハンドブックをVer.2.0に改訂。5月の注意喚起が契機で、ハンドブックはSSBJ基準そのものではなく法的拘束力を持たない点に注意が必要。
インド・EU自由貿易協定が2026年1月に妥結、合計市場規模24兆ドル・輸出の99.5%が優遇関税対象に。報道によるとCBAM専用の独立附属書も設置され、検証機関のEU承認・中小企業向け能力構築での協力が規定されている。
IEA公式レポートによると2026年Q2の世界EV販売は前四半期比35%増・前年同期比4%増。上半期は90カ国超で前年超え。米国は税額控除終了で前年比25%減、中国は輸出EV100万台超が未計上のまま滞留している。
1969年創業のRIR Power Electronicsが2025年9月にブランド刷新、インド初の垂直統合型SiC半導体メーカーとして始動。総投資額618クローレでオディシャ州にSiCパワーキャンパスを建設し、2026年7月にNSE上場、エピタキシー生産はFY2027量産開始を目指す。
実務解説
NVIDIAが主導する800VDC電力アーキテクチャの導入計画を一次情報で整理。VertivのAI電源ポートフォリオは2026年後半投入、Foxconnは台湾・高雄のK-1データセンターで先行実装、Rubin Ultra搭載Kyberラックは2027年出荷開始予定。
DOEが2026年版「国家送電ニーズ調査」草案を公表。データセンター・製造業拡大が送電逼迫の主因と明記した。米DCの電力消費は2023年176TWh（総電力4.4%）から2028年に325〜580TWh・最大12%へ。系統制約が半導体に次ぐボトルネックになる構図を整理する。
Navitasは2026年7月23日、MagnachipへGeneSiC Gen4/Gen5（1200/2300/3300V超）をライセンス供与すると発表。Magnachipは韓国の自社ファブで内製化する。狙いはEVでなくグリッド・産業電動化・蓄電の高耐圧市場だ。
STマイクロの2026年Q2売上は前年比26%増の34.9億ドル、粗利率34.8%。SiC売上は6→8インチ移行を支えに2026年通期で二桁成長を見込み、AIデータセンター向けは2026年10億ドル超・2027年20億ドル超へ上方修正。Q3は37.0億ドル・Q4は40億ドル超を見通す。
EFRAGが2026年7月、中小企業向けサステナ開示基準の公開協議を開始。CSRD対象外向けの任意基準VSMEと上場SME向けLSME（2026年1月施行・2年猶予）が柱。大企業のScope 3要求（トリクルダウン）で開示を迫られる中堅・中小の負担を標準様式で軽減する狙いを整理する。
Infineonは米ITCでInnoscienceのGaN製品に対する輸入・販売禁止を最終確定させ、欧州系IPがアジア製品を米市場から排除する初の大型事例となった。WolfspeedもNavitasを特許侵害で提訴。GaN覇権を巡る特許戦が調達リスクに直結する構図を一次情報で整理する。
先端パッケージングが国家戦略の焦点に。米商務省はCHIPS NAPMPで後工程向けに総額14億ドルを確定、Amkorはアリゾナに約20億ドル投資（補助金最大4億ドル）。EUは欧州チップス法で2030年シェア20%を掲げChips Act 2.0を提案。米欧の政策競争を一次情報で整理する。
SiC固体変圧器（SST）が商用段階に入った。為光能源はSST出荷累計100台を突破し両拠点で40GW超の産能を確保。台達は1m²でMW級給電・50%超省スペースのSSTを発表、EatonもMV SST 2.0（2.5MW）を展開する。中圧から800VDCへの直接変換の現在地を一次情報で整理する。
AIスパコンの競争軸が性能（FLOPS）から電力と効率へ移る。TOP500首位のLineShineは2.198EFを42.2MW・CPU専用で達成（52.07GF/W）、MicrosoftのFairwaterは分散型AI superfactoryへ。TOP500・各社公式の一次データで整理する。
欧州委員会は2026年7月14日、独半導体4施設への国家補助€6.59億を承認。SiCエピウェハのElement 3-5に€3.53億、VishayのパワーMOSFET工場に€2.14億が入る。中国では芯聚能・芯粤能のD輪7億元超調達が報じられた。SiC供給網への公的・民間資本は欧中で加速している。
CATLと蘭AlfenがナトリウムイオンBESS「Tener Sodium」5GWhの欧州展開でMOUを締結。30MWh超・自家消費率1%・RTEはLFP比約2%改善。中国はリチウム電池に消費税2%を課す一方、Na・全固体は2028年末まで免除。商用化と政策の両輪を整理する。
チップレット密度を決めるのは接合技術だ。Applied MaterialsはBesiと業界初の統合ダイボンダーを開発、Besi株9%取得で連携強化。SÜSS MicroTecはW2W/D2Wを1クラスターに統合する世界初機を投入。米欧主導の銅直接接合の最前線を一次情報で整理する。
CG Semiは2026年7月4日、グジャラート州サナンドのG1 OSAT施設で商業生産を開始した。年産能力は最大3億個、G1・G2に5年で₹7,600億超を投資。着工から27カ月で量産に到達したインド後工程（組立・検査）の本格稼働を、政府と企業開示の一次情報で整理する。
ニューヨーク州は2026年7月14日、50MW超の新規ハイパースケールDCに全米初の一時停止令（最長1年）を発令。NYISOの接続待ちにはDC由来約12GWが滞留する。前日にはMetaがHyperionを5GW・500億ドル超へ拡張発表。規制と拡張が同時進行する米国の現在地を整理する。
Infineonは2026年7月2日にドレスデンで世界最大級のパワー半導体工場（投資50億ユーロ・約1,000人雇用）を開所。一方onsemiはFab Right戦略で2工場を売却する。拡張と身軽化が同時に進むパワー半導体の設備戦略の二極化を、一次情報で整理する。
AIサーバーで液冷が前提になる中、設計者が押さえるべきは方式選定だけでなく運用要件だ。TCSループの運転圧力140〜450kPa、ASHRAEの冷却液温度クラスW1〜W5、IEC 62368-1の漏れ試験、センサー要件までを一次情報で整理する。
AI需要で逼迫するABF/IC基板が大増産へ。AT&SはAMD等と合意しKulim工場を転用、投資を€4億から€10〜12億へ倍増、売上見通しも45〜55%へ上方修正。IBIDENは3年で約5,000億円を投じる。先端パッケージの基板供給を一次情報で整理する。
中国製EVの存在感が世界で増している。IEAは2025年に先進国販売EVの15%・90万台超が中国製で、2035年には4台に1台超に達すると予測。欧州でも2026年1月にBEVシェアが20%へ到達した。数字で見る中国EVの拡大と欧州市場の実像を整理する。
TSMCのCoWoS（2.5D）はAIアクセラレータの性能を支え、車載認定・System-on-Wafer 2027・COUPE(CPO)2026へ広がる。IntelはFab 9でFoveros量産・EMIB・ASATを一貫化。AI半導体の主戦場が後工程へ移る構図を一次情報で整理する。
有機基板は今十年代末に微細化の限界へ。次の一手がガラス基板だ。Intelは10年研究で2030年代へ、多チップレット集積を高める。SKC（Absolics）は米ジョージア州で世界初の量産施設を完成、速度40%向上・補助金7,500万ドル。AI後工程の次世代基板を一次情報で整理する。
SK hynixは2025年9月にHBM4開発を完了、帯域2倍・電力効率40%改善・2048 I/Oを実現。JEDEC規格JESD270-4は2TB/s・32チャネルを規定。Micronは2.8TB/s・36GBを2026年量産。AIメモリの主役HBM4の供給網と規格を一次情報で整理する。
減損局面を経たSiC/GaNは需要と技術で局面が動く。オンセミはNIOの900V化やGeelyのSEPシステムにEliteSiCを供給し、InnoscienceとGaNで協業。東芝は新型ゲートドライバ、ROHMはTSC3PAKを投入した。2026年の動向を一次情報で整理する。
NERCはデータセンター・暗号資産・水素電解を含む「計算負荷」を、従来の産業負荷と異なる固有の信頼性課題と認定した。50MWブロックが250msで急変し系統を揺らす事例を受け、2024年のタスクフォース設置から2026年末の初の信頼性基準策定まで規律強化が進む。閾値・要件・時系列を整理する。
欧州委員会が2026年7月、改訂版ESRS（欧州サステナビリティ報告基準）を採択した。必須データポイントを60%超削減し、企業1社あたりの報告コストは30%超の削減見込み。CSRD対象外の中小企業向けには任意報告基準を新設。EFRAGの技術助言を反映した簡素化の内容と発効までの手続きを整理する。
BYDの公式開示によると2026年6月のNEV販売は403,472台で前年同月比約5.5%増。うち輸出は175,349台に達した。一方、上半期累計は1,808,511台で前年比15.72%減と国内の失速が続く。PHEVとBEVが拮抗し、商用車は+24.7%。輸出と車種構成の変化を整理する。
米FERCは2025年10月に大口負荷接続のANOPRを発出し、3,500ページ超の意見を踏まえ2026年6月までに対応する方針。PJMの夏季ピークは15年で70GW増の見通し。データセンター接続の迅速化と家庭料金保護を一次情報で整理する。
CATL公式によると、凝縮(コンデンスド)電池はエネルギー密度500Wh/kgを実現し、バイオミメティック電解質を採用、自動車グレード版の量産を予定する。過去10年のR&D投資は800億元超。次世代高密度電池の現在地を公式情報で整理する。
Cell Reports Physical Science(2026年6月・OA)がHinaの量産ナトリウムイオン電池を分解解析。120セルのインピーダンスばらつき5.3%、−20℃でも放電エネルギー80%超で、最先端Li-ionに匹敵する製造品質を実証した。市販18650は110Wh/kg。
高密度AIで液冷が前提になる中、OCPは液冷の標準化を進める。Cold Plate・CDU・液浸・ドア熱交換器・熱再利用の5領域、UQD規格や冷却液ガイドライン、NVIDIA/Meta/Dell/Intelの参画まで、マルチベンダー化の動きを一次情報で整理する。
西側のEV市場は一様でない。米国はTeslaのシェアが2020年の60%から2024年に38%へ低下、英国はZEV義務で新規登録の22%をBEV/FCEVに求め、EUはHEVが最多。西側内部の構造差を一次情報で整理する。
再エネ統合で需要が拡大するSTATCOM・HVDCシステム向けパワー半導体を整理。三菱電機±450MVAr実績・Infineon 4500V IGBTモジュール・LCC vs VSC選択・調達示唆を解説。
AIで電力需要が膨らむデータセンターの効率を測る指標を整理。The Green GridのPUE（電力使用効率）とWUE（水使用効率）、部分PUE、廃熱再利用、PUE/WUE/CUEなどxUE指標の体系を一次情報で解説する。
米国のコネクテッド車規則は2025年3月17日発効。中露製VCS部品の販売・輸入を禁止し、既存モデルにMY2027/2030の期限、適合宣言は60日前提出、違反は最大100万ドル。脱中国の実務を一次情報で整理する。
グリーン水素製造向け水電解システムのパワーエレクトロニクスを整理。MW級SiC採用・グリッドコード対応・onsemi/InfineonのPFC/DC-DCソリューション・CAPEX/OPEX示唆を解説。
SBTiは2026年6月11日、企業向けネットゼロ基準の改訂版「Corporate Net-Zero Standard V2.0」を公開した。一律アプローチを廃して複数の目標設定オプションと実装ヒエラルキーを導入し、大企業には進行中排出への段階的責任を課す。実装と継続的改善に重心を移した改訂となる。
中国は2024年に世界EV生産の7割超・販売の約3分の2を握り輸出を拡大。ブラジルは中国車が85%超、タイは国内生産を促すEV3.5を導入。新興国市場での中国EVの浸透を一次情報で整理する。
特集
2025年に中国はNEVが新車の51.6%を突破し輸出も前年比90.4%増。一方EUはBEVシェアが2026年に19.7%へ上昇しつつ、対中BEVには最大35.3%の関税。世界EV市場の二極化を一次情報で整理する。
世界のEV販売は2024年に1,700万台超(比率20%超)、2025年は2,000万台超・25%超の見込み。現行政策下でも2030年に40%超へ。消費支出5,600億ドル、超急速充電器も拡大。市場規模と道筋を一次情報で整理する。
AIデータセンターの給電電圧を、従来のラック内48V直流と、移行が進む±400V/800V直流(HVDC)で比較。電流・損失・電力密度のトレードオフと、OCPやNVIDIAが示す移行の方向を一次情報で整理し、どの方式をいつ選ぶかの観点を示します。
AIデータセンターの通電を遅らせる変圧器の長納期を一次情報で整理。大型変圧器の納期は2021年の約50週から2024年に平均120週へ倍増、価格は80%上昇、米メーカーは新規受注に5年待ちも。CISA・DOE・NERCの資料から、受注生産・系統接続・大規模負荷規制の三重の壁と打ち手を示す。
欧州理事会は2026年6月12日、炭素国境調整メカニズム（CBAM）を特定の川下製品に拡大し迂回防止措置を強化する案で合意した。2025年12月の欧州委員会提案を受けたもので、欧州議会の本会議採択は2026年9月が見込まれ、最終法制化は2026年末から2027年となる見通し。
AIデータセンターで議論が進む800V直流給電を、利点（変換段削減でエンドツーエンド効率を最大5%改善・PSU削減・高密度）と課題（絶縁、直流遮断、SiC/GaN選定、部材リードタイム）に分けて早わかりで整理。NVIDIAやOCPの一次情報をもとに、検討の出発点を示します。
系統だけに頼れないAIデータセンターは、オンサイト発電・定置用蓄電(BESS)・需要応答へ動いている。Bloom Energy・Google・EIA・EPRIの一次情報をもとに、各打ち手の実用段階を「方向性」と「普及度」に分けて整理し、設計・調達・立地の判断軸を示します。
データセンターの液冷を、直接液冷（DLC／direct-to-chip）と液浸冷却（単相・二相）の2系統に分けて早わかりで解説。コールドプレートで局所回収するDLCと、誘電性液体に浸す液浸の仕組み・適用性・保守の違いを、一次/学術ソースをもとに整理し、選定の観点を示します。
高密度AIラックで液冷が前提になる中、冷却方式の変化が電源・パワーデバイス設計をどう変えるかを一次ソースで整理。NVIDIA NVL72の液冷ラック、直接液冷CDU、コールドプレートのホットスポット低減、Tj低下が損失・信頼性余裕に効く設計論を、過度な断定を避けて読み解きます。
OCPが示す分離型（サイドカー）電源ラックの構想「Diablo」を解説。ラック内48V直流から±400/800V直流へ給電を引き上げ、100kW〜1MWのITラックを可能にする狙いと、NVIDIAの800Vエコシステムとの関係を一次情報で整理します。
AIサーバーの1ラックが1MWへ向かう中、NVIDIAはラック内48/54V直流から800V直流（HVDC）への移行を主導している。変換段数の削減でエンドツーエンド効率を最大5%改善する一方、絶縁・直流遮断・保護設計の難度が上がる。この転換点を一次ソースで読み解く。
AIデータセンターの制約は半導体でなく電力インフラに移った。EPRIは米データセンターが2030年に全米電力の9〜17%を占め、系統依存だと受電まで一部地域で最長10年と指摘。変圧器・遮断器の長納期がさらに通電を遅らせる構造を一次ソースで整理する。
onsemiはPCIM 2026でGaN基盤「GaNEXUS」を打ち出し、GlobalFoundriesと650V、Innoscienceと40〜200VのGaNで協業すると公表。いずれも2026年上期サンプル予定で、用途にAIデータセンター電源を含む。全電圧帯を狙うGaN戦略を整理する。
OBC（車載充電器）とDC急速充電インフラ向けにSiC/GaN採用が加速。損失30%削減・パワー密度50%向上・400V→800V移行・V2X対応・ASIL-D機能安全の要点を整理。
Wolfspeedが2026年6月9日に第5世代SiC技術を発表。競合の1200Vソリューション比で特定オン抵抗（RSP）を最大27%低減し、1200V/750V対応・200mm量産プラットフォームで車載トラクションインバーターと産業用電源、EV充電インフラ向けに展開する。
CBAM・SSBJ・TCFD・TNFD・ESRSなど、サステナビリティの略語55個を開示・評価・国際枠組・炭素価格・目標設定・人権・製品・自然の8分野に整理。正式名称、任意か法的義務か、施行時期、製造業での重要度を一次情報で解説する。
ZVEI/ECPE策定のAQG 324が求める湿度・パワーサイクル・熱衝撃・振動の各試験要求と、SiC MOSFET固有の認定課題、OEM追加要求への対応を整理。
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
運用資産2兆ドルのノルウェー政府系ファンドNBIMが、ESRSとISSB（IFRS S1/S2）を単一の報告書で満たせる仕組みをEUに要請。ISSBは42管轄・世界GDP約60%で採用済み。改訂ESRSは必須データポイントを61%削減、CSRD対象企業は約90%絞り込まれた。
TNFDの4柱構造・LEAPアプローチ（Locate/Evaluate/Assess/Prepare）・バリューチェーン開示・SBTs for Natureとの接続を整理した実務ガイド。
Tataがアッサム州ジャギロードに投資₹2万7,000クローレ（約30億ドル超）でインド初の半導体組立・テスト施設TSATを建設。稼働後は日産最大4,800万チップ・雇用2万7,000人超を見込む。前工程ファブに続き、後工程OSATと設計（DLIで24プロジェクト進行）の内製化が進む。
Regulation (EU) 2020/852のタクソノミー適格性4条件・6環境目標・売上高CapEx OpEx開示義務・委任法スケジュールを網羅した実務ガイド。
CDPが2026年6月15日の週から、気候・森林・水・生物多様性・プラスチックに続く6番目の開示テーマとして海洋を初めて追加する。世界貿易の約90%が海上輸送に依存する中、目標設定やサプライヤー関与まで問う設問が新設される。
系統用蓄電は2025年に世界で40%増の108GWへ拡大し、欧州では負電力価格が常態化している。電動車がスマート充電・V2Gで分散型エネルギー資産になる方向は見えるが、ISO 15118-20の標準化や規制・保証の壁で普及はなお初期段階。potentialとdeployedを切り分けて整理する。
米商務省BISのコネクテッドカー最終規則は2025年3月17日発効。ソフトウェアはモデルイヤー2027、ハードウェアは2030から中露関連の供給を禁止する。完全排除ではなく段階発効である点を踏まえ、サプライチェーンへの影響と確認すべき論点を整理する。
CAAMによれば中国の2025年NEV販売は1,649万台で前年比28.2%増。NEV輸出は262万台と倍増した。一方で値引きモデル数は147→106に減り価格競争は沈静化。BYDの台頭やEUの確定相殺関税を含め、輸出主導へ転換する中国NEV市場を整理する。
インドのESG開示制度BRSR（事業責任・サステナビリティ報告書）のFY26報告シーズンが進行。SEBIが2021年5月10日付回状で導入し、NGRBC 9原則に基づく開示を時価総額上位1000社に義務付ける。銀行を含む上場企業が報告書の提出を進めている。
電池価格の低下がBEVと内燃車のコスト境界を動かす。IEAによれば中国の電池価格は2024年に約3割下がり、BEVは中国で価格優位だが独米ではなお内燃車より高い。境界の地域差とHEVが残る理由を一次情報と独自の見立てで整理する。
ASEが2026年5月26日、業界初の自動310mm角パネルレベルパッケージング（PLP）ラインを開発したと発表。有効面積は最大96,100mm²で、FOCoSは2/2µm、FOCoS-Bridgeは8/8µmのライン・スペースに対応。2027年前半の生産開始を予定する。
EntegrisとJSR傘下のInpriaが、EUVリソグラフィ向け金属酸化物レジスト（MOR）特許で非独占クロスライセンス契約を締結。処方・前駆体合成・超高純度ろ過の3領域をカバーし、係争中だった特許無効審判IPR2025-00267も合意の一環で終結する。
2024年の世界電気自動車販売は1,700万台超・前年比25%増で新車シェア20%を超えた。だが伸びは一様ではない。中国は11百万台超、新興国は約40%増の一方で欧州は横ばい。減損や目標下方修正の裏で進む市場の二極化を一次データで整理する。
Regulation (EU) 2023/1542 Article 7のPCF申告、Battery Passportの2027年2月義務、ISO 14067・PEFCR・Scope3 Cat.11接続を整理。
米証券取引委員会（SEC）が2026年5月29日、2024年3月制定の気候開示規則の全面撤回を正式提案した。GHG排出量・気候リスク管理・異常気象の財務影響の3項目を対象とした規則で、SECは法定権限を超えるとして全廃を提案。施行は2024年4月から停止していた。
TDKが2026年5月19日にAIエッジ向け超小型マイクロPOL DC-DCモジュール「FS3303」を量産開始。2.5×2.5mm・高さ1.2mmで3Aを出力し、ピーク効率約95%、入力2.7〜6V・出力0.4〜3.3Vで低電圧レールに対応する。
カリフォルニア州SB 253は、年収10億ドル超で州内事業を行う企業にScope 1〜3排出量の年次開示を義務付ける。CARBは2026年2月に規制を正式承認し、初年度のScope 1・2報告期限を2026年8月10日に設定。州外・米国外の企業も対象となる。
Microchipが2026年5月26日に3.3kV SiCパワーモジュール「HV-D3 mSiC」を発表。6kV絶縁により13.8kV・34.5kVグリッド接続時の直列デバイス数を低耐圧SiC比で約半減し、AIデータセンターの固体変圧器(SST)向けに100〜300Aをカバーする。
GHG Protocol Scope 2 Guidance 2015が求めるデュアルレポーティング、8品質基準、PPA算入条件、日本のMarket-based係数確認を整理。
AIXTRONが2026年Q1速報を発表。受注高が約1億7,100万ユーロ（前年比+30%）に達し、データセンター向け光通信需要の急増を受けてFY2026通期売上高ガイダンスを約5億2,000万ユーロから約5億6,000万ユーロへ上方修正した。
世界取引所連合（WFE）が2026年5月26日に「Draft WFE Transition Equity Principles」を公表。まだグリーンではないが気候目標への移行経路上にある企業を取引所が分類できる枠組みを定義し、移行ファイナンスへの資金フローを促進することを目指す。
東芝デバイス＆ストレージが2026年5月20日に1200Vトレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」のテストサンプル出荷を開始。フィギュアオブメリットRds(on)×Qgdを現行品比約52%改善し、AIデータセンター電源と再生可能エネルギー機器への採用を目指す。
ベトナム政府がDecree No. 180/2026/ND-CPを公布し、森林炭素クレジット取引にフロア価格・農業環境省の検証義務・二重計上防止ロックを義務化。2026年7月施行で、1,487万haの森林を持つ東南アジア有数の炭素市場が制度基盤を整える。
三菱電機が2026年5月に第8世代NXタイプ1200V IGBTモジュールのサンプル出荷を開始。前世代比で電力損失を最大19%低減し、産業用インバータ・UPS・太陽光発電システムへの採用を想定する。
不平等・社会関連財務情報開示タスクフォース（TISFD）が2026年5月26日にベータ版0.1を公開。影響・依存・リスク・機会の4軸で人的資本・人権・不平等を開示する枠組みを設計し、TCFDおよびTNFDとの整合を図る。
Starpowerの粗利益率が6pp圧縮、CRRCも半導体部門マージン圧迫——中国IGBTの低価格は構造的競争力なのか、一時的な価格攻勢なのか。AEC-Q101認定コスト・設計変更工数・供給リスクを含むTCO全体で調達判断を問い直す。
ロームが2025年9月に量産開始したTOLLパッケージ750V耐圧SiC MOSFET「SCT4013DLL」。AIサーバーのBBU（バッテリーバックアップユニット）向けに採用が広がる背景と仕様を解説する。
ニュージーランドXRBが策定したAotearoa New Zealand Climate Standardsの義務対象と、NZ CS 1が定める3シナリオ分析要件を解説。欧州CSRDやIFRS S2との比較で制度設計の特徴を整理する。
CSRD第1波は2024年度からESRS報告を開始し、第2・第3波は2025年4月の延期対象。2025年12月のOmnibus Iも踏まえ、IRO特定とIMA/FMA判定を実務手順に落とす。
金融庁は2026年5月19日にSSBJ告示の基準日をISSA 5000採択日（3月13日）に合わせて改正し、5月25日には保証部会が初会合を開催。日本のサステナビリティ開示における独立保証の制度整備が具体的な段階に入った。
インドのSEBIが設立したNISMと、インド企業省傘下のIICAが2026年5月19日にMOUを締結。ESG・BRSR開示の能力開発とMSMEの資本市場アクセス支援を三機関が連携して推進する。
世界銀行が2026年5月19日に公表した年次報告書によれば、炭素税・ETSなど87本の炭素価格付け政策が世界のGHG排出量の29%をカバーし、2025年の政府収入は1,070億ドルを超えた。日本のGX-ETSも含む新市場が相次いで始動している。
onsemi Q1 2026とInfineon Q2 FY2026の決算に共通するトレンド。AIデータセンター向け電力需要が急拡大するなか、車載向けは回復途上。設計・調達部門が読むべき2軸の構造変化を整理する。
サプライチェーン排出量は操業由来の直接排出量の平均11.4倍とされる。GHGプロトコルのサプライヤーエンゲージメントガイダンスと環境省ガイド（v1.0）をもとに、誰から・何を・どの階層まで一次データを収集するかを整理する。Tier構造、上位集中の原則、中小サプライヤーへの対応を含む。
SiCパワーモジュールの熱設計で押さえるべきポイントを実務視点で整理。TIMの熱抵抗支配、液冷流量の実例、上面冷却・両面放熱パッケージの比較、パワーサイクル試験基準まで、設計・調達担当者向けに解説する。
2026年1月に本格適用されたCBAMは鉄鋼・アルミ・肥料・セメント・水素・電力が対象。認定申告者・証書（EU ETS連動）・デミニミス50t免除・初回年次申告2027年9月30日・証書販売2027年2月、Omnibus簡素化と2025年末の施行規則、第三国炭素価格控除まで、EU輸入者・域外輸出企業・サプライチェーンへの影響を一次情報で整理する。
IGBTからSiC MOSFETへの切り替えをいつ判断するか。判断軸はデバイス単価比較ではなく、SiCによる冷却系・受動部品の小型化がシステム全体のBOMと製品仕様をどう変えるか。用途別の判断フローと中間解のハイブリッドSiCも解説する。
企業サステナビリティ報告指令（CSRD）と企業サステナビリティデューデリジェンス指令（CSDDD）が2025〜2026年にかけて日本企業にも直接影響を与え始めている。Omnibus I改正後の適用範囲、サプライチェーンを通じた義務の連鎖、実務対応ステップ、SSBJとの接続を体系的に整理する。
欧州委員会は2026年5月14日、CSRDの中核基準ESRS 2.0の改訂草案を公表した。開示項目の簡素化がEUサプライチェーンに入る製造業へ与える影響を整理する。
欧州委員会は2026年春、ドイツの産業脱炭素化プログラム「Klimaschutzverträge（気候保護契約）」に対する総額50億ユーロの国家補助を正式に承認した。鉄鋼・化学・セメントという、欧州の炭素コストが最も重くのしかかる三業種を対象とするこの制度。その核心は、企業が脱炭素投資に踏み切れない
日本のGX排出量取引制度（GX-ETS）は2026年4月から義務化制度として稼働し、CO₂年間10万トン超のGXリーグ参加企業（約300〜400社）が対象となる。排出源のインベントリ化から算定方法の選択、第三者検証、SSBJ開示との統合設計まで、義務化初年度に向けた実務フローを解説する。
CSDDDとLkSGが求める人権デューデリジェンスを、中堅製造業が実際に動かせる6ステップに整理する。ポリシー策定からリスクマッピング、苦情メカニズム、開示まで、各ステップで何を文書化すればEU取引先の審査を通過できるかを実務視点で解説する。
通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には
SiCとGaNが産業用・車載用パワー半導体の主流になりつつある中、Ga₂O₃（酸化ガリウム）・GaN on GaN（ネイティブ基板）・ダイヤモンド半導体の3系統が次世代候補として研究開発の最前線にある。各材料の技術成熟度・量産見通し・ビジネスインパクトの時系列を整理し、設計者と調達担当者が今から取るべき準備を示す。
Wolfspeedの破産・再建という経営危機は、SiC調達における単一サプライヤー依存のリスクを改めて示した。インフィニオン CoolSiC・onsemi EliteSiC・ローム・三菱電機・富士電機・中国系メーカーの特性と選定ポイントを比較し、マルチサプライヤー体制の構築指針を整理する。
世界銀行の2026年報告書によると、炭素税・ETSなどの炭素価格メカニズムが世界の排出量の約3分の1をカバーするに至った。EU CBAM本格適用と重なる2026年、炭素コストが調達・設備投資の現場に生じる質的変化を解説する。
EUの炭素国境調整メカニズム（CBAM）の申告義務を直接負うのはEU輸入者だが、埋め込み排出量データの算定・提供責任は日本の製造元にある。移行期間の四半期報告から2026年以降の年次申告・証書償却まで、主体別の役割・申告フロー・提出データ要件を実務視点で体系的に整理する。
EU CBAM本格施行の2026年1月以降、インドのEU向け非合金アルミニウム輸出が1年で41.7%急減（18,654→10,875トン）。炭素コストが貿易量に初めて定量化されたこのデータから、製造業が直面する調達・競合構造の変化を読む。
韓国ドゥサンがSK Siltronの株式100%を取得し、約5兆ウォンの買収を発表。 SiC事業の4,140億ウォン減損と1.2兆ウォンのコベナンツ問題を抱えながら進む垂直統合戦略と、日韓サプライチェーン協力の文脈を読む。
2026年2月の内閣府令改正でSSBJ開示が義務化の根拠となり、同年1月にはCBAMが本格施行。 サプライチェーン排出量データという共通基盤を軸に、2つの規制への対応を一体で設計できるかが企業の競争力を左右する。
2026年5月、タタ・エレクトロニクスとASMLが覚書を締結し、インド初の先端半導体ファブ実現に向けた動きが具体化。 110億ドルのドレラファブとロームを含む日本企業の参画まで、インドのサプライチェーン構築が「構想」から「実行段階」へ移行しつつある。
インドのCyientが2026年5月、AI・急速充電・e-モビリティ向け650V GaNパワーICをインド初として発表した。日米欧台に限られてきたGaN供給源の多様化が意味すること、車載認証サイクルとの関係を解説する。
2026年Q1のNavitas収益は860万ドル（前年比39%減）。それでも株価は発表後27.66%急騰。AI・グリッド・産業向け高出力セグメントが前年比35%増となり、市場が「どこから稼ぐか」の構造変化を先んじて評価した。
ロームは2025年度通期決算でパワー半導体事業に1,936億円の減損損失を計上し、最終純損失は1,584億円。SiC固定資産の過剰投資が主因で、InfineonやSTMicroも計画縮小を発表した同時期。調達・投資判断への示唆を整理する。
2027年3月期から時価総額3兆円以上の東証プライム上場企業へのSSBJ開示義務が始まる。完成品メーカーのScope 3開示義務はサプライヤーへのデータ提出要求を意味し、上場・非上場を問わずサプライチェーン全体に波及する。
BRSRコアの段階適用が FY26-27 に上位1,000社へ拡大する。調達担当者が知っておくべきは、インドの Listed mid-cap がどのような開示を求められ、実際に何を準備しているかだ。制度の構造と代表的な企業の対応実態を整理する。
EU炭素国境調整メカニズム（CBAM）の本格適用が2026年1月に始まった。鉄鋼・アルミ・肥料・セメント・水素・電力の6セクターが対象で、日本からの輸出企業には埋め込み排出量の算定と申告が求められる。対応の現状と実務上の論点を整理する。
CDPへの回答実績は、企業のScope 1・2データ収集体制とESG開示の成熟度を測る代理指標として調達評価に活用できる。日本における回答状況の実態と、CDP非回答企業の開示準備水準の読み方を整理する。
EUのCEAPと電池規則・エコデザイン規則が、製品設計・廃棄物管理・リサイクル素材調達の要件を変えている。EU向け製品を持つ製造業に必要な規制対応と循環設計の実務を整理する。
CSRDとCSDDDは直接適用対象外の製造業にも、欧州顧客の調査票・契約条項・開示要請として波及する。EUサプライチェーン対応の主要経路と優先アクションを整理する。
生成AI投資を背景にデータセンターの電力消費量が急増している。電源効率の向上要求が厳しくなる中、SiCやGaN採用のUPS・PSUが主流化しつつある。電力インフラ関連のパワーデバイス需要と調達上の変化を整理する。
EcoVadisは欧米大手が調達先評価に広く採用するESGスコアリングプラットフォームだ。環境・労働人権・倫理・持続可能な調達の4領域で評価される。スコア帯別の意味と、Silverライン（50点）到達に向けた実務対応を整理する。
ESG開示の義務化が進む中、データ収集・集計・開示の基盤整備が実務上の急務になっている。スプレッドシート管理の限界・専用ツール選定の判断軸・社内データフローの設計方法を、開示体制構築の視点から整理する。
VW・BMW・ステランティスなど欧州主要OEMがSiC調達戦略を再設計している。垂直統合・長期契約・分散調達が混在する中、Tier1サプライヤーへの影響と対応の方向性を整理する。
GaN-on-Siは650V以下の低・中電圧アプリケーションでシリコンを置き換えつつある。EVオンボードチャージャーで先行採用されたこの技術が、産業用モーター制御・通信電源・産業用UPSへと応用範囲を広げている。用途別の採用実態と調達上の論点を整理する。
グリーン水素の製造コストは再エネコスト低下と電解槽規模拡大で低下トレンドにあるが、2026年時点でもグレー水素比3〜4倍のコスト差が残る。製造・輸送・需要の各段階での課題と、日本製造業が接点を持つシナリオを整理する。
2026年4月施行のGX-ETS第2フェーズは、直接対象となる約300〜400社だけの話ではない。大手企業が排出量削減コストを負担する構造は、必ずサプライチェーン下流への要請という形で中堅・中小製造業に届く。何が、どのルートで降りてくるのかを整理する。
日本政府の「ビジネスと人権」行動計画（2021〜2025）と欧州CSDDDの圧力を背景に、サプライチェーン全体での人権DDが日本製造業の実務課題になっている。何を特定し、どう対処し、何を開示するかの基本構造と対応の優先順位を整理する。
BYD半導体・斯達半導体（Starpower）・中車時代電気（CRRC）など中国IGBTメーカーが国内自給率を急速に高め、グローバル市場への参入を加速している。価格競争の激化と供給過剰懸念が欧日系サプライヤーとの競合構図を変えつつある。調達への影響を整理する。
インドはPLIスキームで製造業を強化しながら、BRSRコア義務化でESG開示を高度化している。PLI受益企業の競争力とBRSR対応を、グローバル調達先評価の観点で整理する。
ICP（内部炭素価格）は炭素税・ETS等の外部規制に先行して、企業が独自に排出量にコストを設定し投資判断に反映する仕組みだ。設備更新・調達先評価・製品設計にICP概念を適用することで、炭素リスクを経営判断の中に構造的に組み込める。導入方法と実務上の選択肢を整理する。
Jクレジット制度は省エネ設備導入・再エネ利用・森林管理によるCO2削減量をクレジット化し、GX-ETSや自社のScope 2削減に活用できる。製造業が活用しやすい方法論と申請上の実務論点を整理する。
Infineon・オン・セミコンダクター・STMicro・三菱電機・富士電機・ロームのパワーモジュール主要6社を、製品ラインアップ・SiC対応力・供給体制・価格競争力の4軸で比較する。調達先選定の参照情報として整理する。
取引先からPCF（製品カーボンフットプリント）の提出を求められるケースが増えている。ISO 14067・GHGプロトコル製品基準に基づく算定の構造と、実務上の優先順位の付け方、よくある躓きポイントを整理する。
Scope 2削減の手段としてJ-クレジット・非化石証書・PPAの3手段がある。コスト・実行の容易さ・RE100等への適用可否が異なるため、自社の状況に合わせた使い分けが必要だ。各手段の特性と選定フローを整理する。
SBTi（Science Based Targets initiative）は中小企業（SME）向けに簡略化されたコミットメント経路を提供している。標準版との違い・申請に必要な準備・日本での活用事例を整理する。大手取引先からSBTi取得を求められ始めた中堅製造業の実務参照として使える。
製造業がスコープ3（Scope 3）を開示する際、GHGプロトコルの15カテゴリのどれを優先把握すべきか。排出量の重みと把握難易度を軸に、業種・サプライチェーン構造に応じた優先順位のつけ方を整理する。
EVの需要鈍化でSiC市場の成長見通しが修正されている。一方で産業機器・太陽光・データセンター向け需要が想定以上のペースで拡大しており、需要の多角化が構造変化として定着しつつある。調達先の需要ポートフォリオ評価に影響する論点を整理する。
SiCパワーモジュールの性能限界はデバイスよりもパッケージ技術に起因するケースが多い。ゲル封止からエポキシ・セラミック封止への移行、ダブルサイド冷却構造の採用など、封止・実装技術の動向が次世代SiCシステムの競争力を左右する。
太陽光発電のパワーコンディショナ（PCS）は用途・出力規模によってSi IGBT・SiC MOSFET・GaN-on-Siが使い分けられている。デバイス選定の判断軸と主要サプライヤーの立ち位置、調達上の確認点を整理する。
SSBJ基準は2025年3月に確定し、2026年2月の内閣府令改正で時価総額3兆円以上のプライム企業から2027年3月期義務化が確定した。段階スケジュール・保証制度・ISSBとの差異・開示体制の構築を調達/IR/ESG担当の観点で一次情報に基づき整理する。
TCFDフレームワークに基づく気候関連リスクの開示では、移行リスクと物理リスクが財務諸表に与える影響の試算が求められる。SSBJ・ISSB基準への対応でも必須の作業になるこの試算の考え方と製造業における具体的な影響経路を整理する。
TNFD（自然関連財務情報開示タスクフォース）は2023年に最終提言を公表し、生物多様性・水・土地・海洋に関わる自然関連リスクの開示フレームワークを確立した。TCFDの自然版とも言えるこの枠組みが製造業のサプライチェーン評価にどう関わるかを整理する。
SiCウェハの8インチ化とGaN-on-Siのエピ成長改善が、ワイドバンドギャップ半導体のコスト構造を変えている。Si比の価格差が縮小する時期の見通しと、コスト低下を促す製造技術の要点を整理する。
GPT-4を動かすためのサーバー1ラックの消費電力は、2020年時点で平均10〜15kW程度だったが、最新のAIアクセラレーターを搭載したラックでは100kWを超えるケースが報告されている。NVIDIA H100を密集配置したラックは単体で70kWに迫り、次世代のBlackwellアーキテクチャでは
AIサーバーの電源設計でGaNを採用するかどうかは、「次世代技術だから」という理由だけでは決まらない。求められるのは、スイッチング周波数・電力密度・熱設計という三つの軸でGaNがSiCやSiより明確に有利かどうかを確認することだ。
2024年、BYDの半導体子会社・比亜迪半導体は1200V耐圧のSiC MOSFETの量産ラインを拡張し、EV向けインバータへの自社搭載比率を高める方針を明確にした。単なる内製化の話ではない。世界最大のEVメーカーが、パワー半導体という部品の上流まで自ら握ろうとしている動きだ。
中国系SiCメーカーを採用するかどうか、社内で議論が割れているチームは少なくない。「品質が心配」という声もあれば、「コストを無視できない」という現実もある。だが、この問いに「中国製だから採用しない」「安いから採用する」という二択で答えるのは、判断として雑すぎる。問われているのは、何をどう確認すれば合
インバータ1台に搭載されるSiCパワーモジュールのコストは、従来のSiベースに比べて2〜3倍高い。それでもEVメーカーがSiCへの切り替えを加速させているのは、システム全体の効率とサイズで回収できるからだ。だが「SiCを使えばよい」という話でもない。EVの電力変換系は複数の用途に分かれており、それぞ
EV向けインバータの変換効率が1%上がると、航続距離に換算して数kmの差が生まれる。カタログ値ではなく実走行での効率改善を求めて、設計の入り口に立ったとき、最初に直面するのが「どの損失をどう計算するか」という問いだ。損失の内訳を正しく分解できなければ、SiCを採用したのに期待ほど効率が上がらない、あ
800Vバッテリーシステムの普及が加速している。ポルシェ タイカン、現代 IONIQ 6、Kia EV6——これらに共通するのは、充電時間の短縮と走行効率の向上を両立するために、従来の400Vアーキテクチャから倍の電圧帯へ移行したという事実だ。この流れがパワーデバイスの選択に直接影響している。「Si
シリコン（Si）のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は時代遅れになった——そう語られる機会が増えた2020年代半ば、富士電機が新世代IGBTを発表した。同社が「第8世代」と位置づけるこのデバイスは、スイッチング損失とオン電圧の両立を従来比で大幅に改善したと公表されており、EV向けインバー
インバータ設計で電力変換効率を1ポイント改善しようと格闘した経験があるなら、GaN（窒化ガリウム）が何を変えたかは数字を見るだけで伝わる。シリコン製MOSFETのスイッチング周波数が数十kHzで頭打ちになるのに対し、GaNは数MHzまで扱える。周波数が上がれば受動部品（インダクタ・コンデンサ）のサイ
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト
産業用インバータの設計において、SiC MOSFETの採用を検討するとき、損失やスイッチング速度の議論に集中しがちだ。だが現場で実際に問題になりやすいのは、負荷短絡時にデバイスが生き残れるかどうかという、もっと地味で根本的な問いである。EV向けと産業機器向けでは用途の性質が違う。産業インバータは稼働
SiC MOSFET市場のリーダーであるInfineonが、CoolSiCファミリーのラインアップ更新を進めている。単なる製品追加ではなく、耐圧帯の拡充とゲート構造の改良を組み合わせた動きとして捉えると、この更新が業界全体に対して何を問いかけているかが見えてくる。
2025年、InfineonはSK Siltronと複数年にわたるSiCウェハ供給契約を締結した。金額は公表されていないが、Infineonがウェハ調達を単一の長期契約で固定するという動きは、SiCサプライチェーンの構造変化を象徴している。「誰がウェハを確保するか」が、パワー半導体の競争力を左右する
2025年から繰り返し報じられてきた「日系パワー半導体3社統合」構想。経済産業省の後押しを受けた国策的な再編として注目を集めてきたが、当事者各社の動きを追うと、統合の輪郭はまだ曖昧なままだ。何が決まり、何が決まっていないのか。足元の状況を整理しておきたい。
三菱電機と光学部品・半導体材料大手のCoherentが、8インチ（200mm）SiCウェハの共同開発に合意した。現在の主流である6インチ（150mm）から8インチへの移行は、単なる口径の拡大ではない。ウェハ1枚から取れるチップ数が増え、製造コスト構造が根本から変わる転換点だ。
2025年に入り、onsemiのSiC事業が市場の期待ほど伸びていないという見方が広がっている。EVインバータ向けを中心に積み上げてきたSiCビジネスは、欧米の電動化ペース鈍化という逆風にさらされ、通期見通しの下方修正が相次いだ。だが同社はSiC投資の方向性を変えていない。この「踏みとどまる」という
2025年、SiCパワー半導体の世界市場は約30億ドル規模とされ、2030年までに100億ドルを超えるという予測が複数のリサーチ機関から出ている。だが今、業界関係者の話題の中心にあるのは「成長」よりも「再配置」だ。誰が市場を取るか、よりも、誰が生き残るかという問いに変わりつつある。
EV向けインバータの量産立ち上げを控えたある設計チームが、SiC MOSFETのサプライヤー選定を始めようとしたとき、最初に突き当たった壁は「どのデータシートを見比べればいいのか分からない」という問題だった。スペック表を横に並べても、測定条件が違えば数字の意味が変わる。信頼性データは各社の様式が異な
2025年、ルネサス エレクトロニクスが米Transphorm社のGaN（窒化ガリウム）パワー半導体事業を買収することで合意した。Transphormは縦型GaN-on-SiC構造に強みを持つパイオニア企業であり、この買収はルネサスのパワー半導体ポートフォリオに根本的な変化をもたらす可能性がある。単
ルネサスエレクトロニクスとWolfspeedが、10年間にわたるSiCウェハの長期供給契約を締結した。金額の詳細は非公開だが、「10年」という期間の長さそのものがこのニュースの核心を語っている。半導体業界でこれほど長期の調達契約が結ばれるのは異例であり、SiCウェハ市場が単なる「買い手優位の部材調達
SiC MOSFETの世代交代が進む中で、「第5世代を評価してみたいが、何から手をつければいいか」という声は少なくない。ロームが公表している第4世代の特徴である低オン抵抗（RonA）と高短絡耐量の両立を踏まえると、第5世代の評価では**デバイス単体のスペックだけでなく、保護回路との整合性と熱設計の余
EV向けインバータの主役交代、産業機器の高効率化圧力、データセンターの電力密度急騰——複数の需要波が同時に押し寄せる今、主要半導体メーカーはSiC・GaN・IGBTの三つの技術に対して、どこに資本を投じ、どこを守り、どこを諦めるかという選択を迫られている。
SiCパワー半導体の基板径は、今まさに6インチ（150mm）から8インチ（200mm）へのシフトが進んでいる。ただし「移行が始まった」という事実と「安定した供給体制が整った」という事実の間には、まだ大きな距離がある。設計や調達の観点から8インチ基板の供給体制を評価しようとするとき、重要なのは移行のタ
「次世代パワー半導体はSiCかGaNか」という問いが業界で繰り返されてきた。だがこの問いは、実は少し雑だ。SiCとGaNは同じワイドバンドギャップ半導体でも、得意な電圧帯・スイッチング領域・コスト構造が異なる。「どちらが大きいか」ではなく「どの用途・どの電圧帯・どの時間軸で見るか」によって答えが変わ
SiC MOSFETの普及が進むなかで、ゲートドライバの選定が設計の質を左右する局面が増えている。なぜゲートドライバが鍵になるのか。答えはシンプルで、SiCデバイスはダイが小さく電流密度が高いため、シリコン（Si）デバイスに比べて短絡時の温度上昇が格段に速い。同じ感覚で保護回路を設計すると、デバイス
インバータ設計の初期段階で、「SiCを使う」という方針が決まった後にすぐ来る問いがある。モジュールにするか、ディスクリートにするか、だ。一見すると実装形態の選択に見えるが、実際にはシステム性能・基板面積・保護回路設計・調達の柔軟性まで、設計の根幹に関わる判断になる。
2024年のSiCパワー半導体市場は、予想より需要の伸びが鈍化し、一部メーカーが生産計画を見直す動きを見せた。この「踊り場」ともいえる状況を受けて、ウェハ価格がどう動くかという問いは、デバイス設計の原価計算から調達戦略の組み直しまで、幅広い判断に直結する。2026年に向けた見通しを語るには、まず「な
SiC（炭化ケイ素）パワー半導体の採用が本格化した結果、ウェハそのものの安定調達が設計完了後の最大のボトルネックになるケースが増えている。設計段階でいくら優れたデバイスを選んでも、ウェハが取れなければ量産は動かない。調達リスクを管理するには、まず「どの工程でどのような詰まり方が起きるか」を構造的に把
STマイクロエレクトロニクスとAmpere（旧Oracle傘下のArmベースサーバー設計で知られる企業とは別の、EV向けパワートレイン設計会社）が、次世代EVのトラクションインバーター向けにSiCパワーモジュールを共同開発し、2026年の商用化を目指していると報じられた。発表の骨子はシンプルだが、そ
STマイクロエレクトロニクスがイタリア・カターニアのSiCパワー半導体工場を段階的に拡張しながら、EV・産業向け需要を取り込もうとしている。設備投資の規模と時期、そして同社が直面しているSiC事業の収益化圧力を合わせて見ると、この動きが単なる生産能力増強ではないことが見えてくる。
東芝が「トリプルゲートIGBT」と呼ぶ新構造のIGBTを発表し、従来比で損失を最大40%削減できると公表した。40%という数字は、単なる世代交代のスペックアップではない。IGBTが主戦場としてきた産業機器・鉄道・大型インバータの領域では、損失1%の改善がシステム冷却コストや年間電力費に直結する。それ
2025年9月にChapter 11から脱却したWolfspeed。財務的存続リスクは解消されたが、Mohawk Valley Fabの稼働率が20%台にとどまる中、リスクの本質は「倒産懸念」から「稼働率依存」へシフトした。ルネサスとの戦略的資本関係とQ3 FY2026実績から、SiC調達の評価軸を問い直す。
