12
Published articles
12
Synced fact cards
Power Semi
Theme
Research Notes
Latest Articles
news
三菱電機とCoherent、8インチSiC基板を共同開発——次世代ウェハへの準備が動く
三菱電機がCoherentと8インチSiC基板の共同開発パートナーシップを強化した。熊本の新工場向けに高品質基板を確保する動きは、200mmへの移行競争が加速していることを示す。
読む
news
ルネサス、TransphormのGaN事業を買収——SiCに続くGaN戦略を統合
ルネサスエレクトロニクスがGaNパワー半導体のTransphormを買収した。SiCに次ぐ次世代材料としてGaNをポートフォリオに加え、パワー半導体事業の幅を広げる。
news
STマイクロとAmpere、EV向けSiCパワーモジュール供給を2026年に開始
STマイクロエレクトロニクスがAmpereの電動パワートレイン向けインバータにSiCパワーモジュールを供給する。2026年開始の契約は、EV向けSiC採用の具体化が加速していることを示す事例だ。
news
東芝のトリプルゲートIGBTが示すもの——損失40%削減がSiC時代のSi戦略を変える
東芝デバイス＆ストレージが2021年に発表したトリプルゲートIGBTは損失を最大40.5%削減した。SiCへの置き換えが議論される今も、シリコン技術の進化がコスト優位の根拠になっている。
pillar
IGBTはまだ重要か：SiC・GaN時代に見るシリコン技術の残り方
SiCやGaNが注目される一方で、IGBTやSiパワー半導体は多くの用途で使われ続ける。東芝と富士電機の公開情報から、損失低減、温度低下、300mmラインの意味を整理する。
