Sector Signals
行业市场结构、技术动向与企业战略分析——以经核实的事实数据为依据。
longtail
在工业变频器设计中考虑采用SiC MOSFET时，讨论的焦点往往集中在损耗和开关速度上。然而，在实际应用中更为根本且常被忽视的问题是：器件能否在负载短路时存活。EV与工业设备的应用特性有所不同，工业变频器对运行持续性要求极高，设备意外短路时的可靠保护能力直接影响系统整体可靠性。
pillar
EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。
news
Toshiba发布全新"三栅极IGBT"结构，相较传统产品可实现最高40%的损耗削减；这40%的改善不只是代际规格升级，在工业设备、轨道交通和大型逆变器等IGBT主战场，即使1%的损耗降低也直接关系到系统冷却成本和年度电费开支。
