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Power Semiconductors
功率半导体市场动向 2026年5月版 综合分析报告
主要厂商的产品竞争力、量产实绩、降价空间及供应持续性分析，提供PDF、Markdown和JSONL格式。
PDFMarkdownJSONL
提供格式
适合内部共享和打印的固定排版版本。
Markdown
可编辑文本，适用于LLM工作流、内部笔记及表格复用。
JSONL
结构化事实数据，每行一条记录，直接对接RAG和API管道。
本报告能帮您了解什么
覆盖企业
14家
横跨日系、美系、欧系、中国系主要参与者。
材料维度
SiC / GaN / Si IGBT
不仅覆盖下一代材料，也梳理现有硅器件的剩余空间。
提供格式
PDF + Markdown + JSONL
分别满足阅读·共享·直接输入LLM工作流的不同需求。
时间轴
2026-2030
将近期事件与中期量产·成本变化分开梳理。
主要收录内容
执行摘要
市场规模与结构
技术动向：SiC·GaN·Si IGBT
行业重整·并购·合作动态
主要企业个别分析
中国厂商动态
未来关注点与市场展望
供应商评估与采购判断要点
各章节详情
执行摘要
从需求复苏、200mm晶圆迁移、日本三家整合、中国厂商扩张四个角度，快速建立整体认知。
- EV需求短期波动与数据中心·产业用途的需求分散
- 200mm SiC晶圆迁移对成本竞争力的影响
- 日本三家整合谈判与中国厂商崛起引发的行业结构变化
- 需求·技术·供给·政策四维关键判断点
市场规模与结构
按应用、地区、材料转换三个维度拆解功率半导体市场，定位增长空间与价格压力所在。
- 2024年市场规模估算及面向2030年代的增长区间
- xEV·产业·再生能源·AI数据中心·消费·ICT等应用分类结构
- AI数据中心GaN电源需求的起步信号
- 日本·美国·欧洲·中国·东南亚的地区别投资与政策动向
技术动向：SiC·GaN·Si IGBT
覆盖SiC、GaN、Si IGBT三种材料，逐一梳理各自的存续领域、经济性与采用注意事项。
- Si IGBT第七代以后的延续场景及SiC难以替代的应用
- SiC MOSFET从6英寸到8英寸的迁移、良率及基板采购风险
- GaN on Si与GaN on SiC的经济性，及AI服务器电源的采用可能性
- 短路耐量·认证·栅极氧化膜·封装寄生电感等可靠性论点
主要厂商个别分析
按企业逐一整理产品领域、技术定位、量产体制及风险，便于横向比较。
- 日系·美系·欧系·中国系厂商的定位比较
- 各厂商在SiC·GaN·Si IGBT·模块上的优势所在
- 按应用场景划分的供应商选择矩阵
- 各材料的候选供应商与风险梳理
阅读前可带入的问题
- SiC 8英寸迁移对哪些企业的成本竞争力影响最大？
- GaN在AI数据中心的需求空间有多大？
- Si IGBT在哪些应用场景中继续采用仍具合理性？
- 若日本三家企业整合成真，产品线和供应持续性需关注哪些问题？
- 中国厂商最可能从哪些应用场景发起价格攻势？
- 仅凭公开资料，供应商评估能做到什么程度？
为何不仅提供PDF
PDF便于阅读和共享，但Markdown和JSONL使报告更易于在内部笔记、供应商比较表和LLM工作流中复用。Markdown版支持编辑和选择性复用，JSONL则将底层事实数据以每行一条记录的形式结构化，可直接用于RAG和API管道。
覆盖企业
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