Data Center Power
AI数据中心的瓶颈已不再是芯片,而是电力基础设施。我们以NVIDIA、OCP、EPRI等一手来源, 解读面向1MW机柜的800V直流供电、GaN/SiC采用, 以及变压器与并网接入的瓶颈。
本文比较AI数据中心供电电压:传统机架内48V直流,以及正在迁移的±400V/800V直流(HVDC)。从电流、损耗、电力密度、OCP和NVIDIA的方向,整理何时选择哪种方式。
变压器长交期会推迟AI数据中心受电。本文基于EPRI和CISA资料,从按单生产、专用材料、全球同步需求和电网接入队列两方面,快速梳理原因、对选址与采购的影响以及应对方向。
本文速览AI数据中心800V直流供电的利点和课题:端到端效率最高提升5%、PSU减少、高密度化,以及绝缘、直流开断、SiC/GaN选型和部件交期对设计与采购的影响。
AI数据中心已难只依赖电网,正转向自备发电、BESS和需求响应。本文基于EPRI、EIA、Google、Baker Hughes等一次信息,区分各方案的方向性与落地程度。
快速梳理数据中心direct liquid cooling(DLC)、single-phase immersion cooling与two-phase immersion cooling的机制、适用性和维护差异。
高密度AI机柜转向液冷后,冷却方式会改变电源、SiC/GaN器件、Tj余量和设施效率的设计前提。本文基于NVIDIA、CoolIT、OCP和学术资料,整理液冷对电源与功率器件设计的影响。
OCP提出的Diablo分离型sidecar电源机架,将机架内48V直流提高到±400/800V直流,目标是支撑100kW到1MW级AI机架,并连接NVIDIA的800V生态系统。
随着AI服务器单机架迈向1MW,NVIDIA正推动从机架内48/54V直流转向800V直流(HVDC)。减少转换级数可使端到端效率最高提升5%,但绝缘、直流开断和保护设计难度也会上升。
AI数据中心的约束已从半导体转向电力基础设施。EPRI指出,美国数据中心到2030年可能占全国用电量9-17%,而依赖电网的项目在部分地区受电最长可能等待10年。
onsemi在PCIM 2026推出GaN平台“GaNEXUS”,并宣布与GlobalFoundries合作650V GaN、与Innoscience合作40-200V GaN。两者均预计2026年上半年提供样品,应用包括AI数据中心电源。
综合onsemi 2026年第一季度与英飞凌2026财年第二季度财报的共同趋势。随着AI数据中心电力需求急速扩张,汽车应用市场持续复苏。本文拆解设计与采购团队需掌握的双轴结构性转变。
生成式AI投资推动数据中心电力消耗急剧增长。随着效率要求日益严格,基于SiC和GaN的UPS及PSU设计正逐步成为主流。本文分析电力基础设施中功率器件需求的演变趋势及其对采购的影响。
运行GPT-4的单个服务器机架功耗,从2020年平均10-15kW飙升至搭载最新AI加速器的机架超过100kW,配备NVIDIA H100的高密度机架单体接近70kW,而下一代Blackwell架构预计将进一步突破120kW。