onsemi提出“覆盖全电压段的GaN”
onsemi在PCIM Europe 2026推出GaN（氮化镓）功率产品平台“GaNEXUS”，明确展示了正式进入GaN的姿态（Power Electronics News（PCIM 2026采访））。值得关注的是，这不是单一产品投放，而是结合外部晶圆代工和GaN专营厂商合作，推进从低电压到650V的跨电压段布局。
在AI服务器电源和机架内DC-DC中，高开关频率可缩小无源器件，因此GaN采用正在扩大。onsemi的动作可以看作面向数据中心电源这一需求扩张领域的供应侧重组案例。
与GlobalFoundries做650V，与Innoscience做40-200V
onsemi公布了两项合作。
第一项是与GlobalFoundries合作650V GaN。它将onsemi的系统、产品和封装技术，与GlobalFoundries的650V GaN工艺结合，供应高功率密度和高效率器件。样品计划在2026年上半年提供，目标应用包括面向AI数据中心的电源和DC-DC转换器、EV车载充电器、太阳能微逆变器和储能等（onsemi官方投资者发布）。
另一项是与Innoscience的合作（MoU），对象是40-200V低电压GaN。onsemi将其集成和封装技术与Innoscience具备量产实绩的GaN技术结合，同样预计在2026年上半年开始提供样品（onsemi官方投资者发布）。同时，onsemi也提到垂直GaN样品，显示出从低电压到高耐压全面布局GaN的姿态。
650V：GlobalFoundries合作
GF的650V GaN工艺加onsemi的驱动/控制/封装。应用包括AI数据中心电源和DC-DC、EV车载充电器、太阳能和储能。
40-200V：Innoscience合作（MoU）
Innoscience的量产GaN加onsemi的集成和封装。加速低电压段GaN展开，样品预计2026年上半年。
垂直GaN：自有样品
onsemi也提到垂直GaN样品，形成从低电压到高耐压全带宽的布局。
为什么是“全带宽”：争夺数据中心电源
GaN的强项在于650V以下范围内实现高频、高密度电力转换。AI服务器PSU内部转换级和机架内DC-DC正处在这个范围。即使800V DC化推进，最终级高频降压中GaN仍有很大采用空间（800V DC迁移见相关文章）。
onsemi同时与外部晶圆代工厂GlobalFoundries和专营厂商Innoscience合作，可以解读为：面对仅靠自有晶圆厂难以及时满足的需求启动，试图一次性确保供应和电压段覆盖。GaN市场中，Navitas、Innoscience、Infineon等已经先行或竞争，围绕数据中心电源这一扩大领域的供应侧竞争正在进一步加剧。
从采购和设计角度看，样品计划在2026年上半年推出，评估板实测和认证才将正式展开。对在AI数据中心电源中采用GaN的一方而言，这次事件的实际意义是：可以横向评估多个供应商的650V和低电压产品的环境正在形成。