Power Semiconductors
SiC / GaN / IGBT vendor dynamics, supply chain, and procurement risk
电网稳定用功率半导体实用指南：STATCOM、HVDC、FACTS
对用于STATCOM和HVDC系统的功率半导体的全面概述，这些系统因可再生能源并网而需求增长。涵盖三菱电机的±450MVAr应用业绩、英飞凌的4500V IGBT模块、LCC与VSC技术选型以及采购见解。
中国制IGBT：低价30%的TCO与质量评估
斯达半导体毛利率压缩6个百分点，中车时代电气半导体板块同样面临利润率压力——中国IGBT的低价格究竟是结构性竞争力，还是阶段性价格攻势？综合AEC-Q101认证成本、设计变更工时及供应风险，从全生命周期成本（TCO）维度重新评估采购决策。
SiC功率模块热设计实践：从结温、TIM、封装选择到液冷设计
SiC功率模块关键热设计要点的实践概览。涵盖TIM热阻主导性、实际液冷流量示例、顶部散热与双面散热封装对比，以及功率循环测试标准——面向设计与采购工程师编写。
IGBT转SiC：通过小型化评估总拥有成本
决定从IGBT切换到SiC的关键标准，不是器件级别的成本比较，而是SiC所实现的散热系统与无源元件小型化如何改变整体系统BOM成本和产品规格。本文整理了针对不同应用场景的决策框架，以及作为过渡方案的混合SiC解决方案。
下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略
随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。
SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南
Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。
欧洲OEM：SiC采购战略转向
大众、宝马、Stellantis等欧洲主要OEM正在重构SiC采购战略。在垂直整合、长期合同、多元化采购并行的背景下，本文分析对一级供应商的影响、竞争轴心及应对方向。
GaN-on-Si与工业电力电子的下一个十年
GaN-on-Si正在650V以下中低压应用领域取代硅器件。在EV车载充电器领域奠定基础后，这一技术正持续向工业电机控制、电信电源和工业UPS延伸。本文梳理各应用场景的导入趋势与关键采购考量。
IGBT市场格局转变——中国制造商如何重塑采购格局
BYD Semiconductor、斯达半导体、CRRC时代电气等中国IGBT制造商正在快速提升国内自给率并加速进军全球市场。价格竞争加剧和产能过剩隐忧正在重塑与欧日供应商的竞争格局。本文分析采购层面的影响。
功率模块一级供应商竞争力比较
本文从产品阵容、SiC能力、供应产能和价格竞争力四个维度，对Infineon、onsemi、STMicro、Mitsubishi Electric、Fuji Electric和ROHM六家领先功率模块供应商进行基准评测，供采购来源选择参考。
太阳能逆变器功率器件选型逻辑
太阳能功率调节系统（PCS）根据应用类型和输出规模，选择性地使用Si IGBT、SiC MOSFET和GaN-on-Si。本文梳理器件选型的决策标准、主要供应商定位及关键采购考量。
Infineon与SK Siltron签署SiC晶圆供应协议
2025年，Infineon与SK Siltron签署了多年期SiC晶圆供应协议，这一举动象征着SiC供应链的结构性转变——通过单一长期合同锁定晶圆采购，将决定功率半导体的竞争力。
瑞萨：与Wolfspeed签10年SiC晶圆供应协议
Renesas Electronics与Wolfspeed签署了一份为期十年的SiC晶圆长期供应协议，这一前所未有的合作期限本身，已足以说明该协议在半导体行业的重要性，也标志着SiC晶圆采购已超越买方市场的范畴。
SiC 8英寸晶圆供应体系建设现状
SiC功率半导体晶圆尺寸正从6英寸（150mm）向8英寸（200mm）迁移，但"迁移已启动"与"稳定供应体系建立"之间仍存在显著差距；从设计和采购视角评估8英寸晶圆供应链时，迁移进度是核心变量。
SiC 模块与分立器件：选型标准
在逆变器设计初期一旦决定采用 SiC，紧接而来的问题便是选用模块还是分立器件。这一看似仅为实现形式的选择，实际上从根本上影响系统性能、PCB 面积、保护电路设计以及采购灵活性。
SiC 晶圆价格趋势与 2026 年展望
2024 年 SiC 功率半导体市场需求增速低于预期，促使部分厂商调整生产计划。这一"平台期"局面直接影响从器件设计成本核算到采购策略重构的一系列决策，并引发了晶圆价格走势的疑问。要讨论 2026 年的展望，须先理解 SiC 晶圆价格居高不下的结构性原因。
应对 SiC 晶圆采购风险
随着 SiC 功率半导体的加速普及，设计完成后确保晶圆稳定供应正日益成为最大瓶颈——无论设计阶段选定了多优秀的器件，没有晶圆就无法量产。要管理供应链风险，须从结构上理解"瓶颈在哪个环节、以何种方式发生"，这是决策的起点。
Wolfspeed：重组后SiC采购风险变化
Wolfspeed emerged from Chapter 11 in September 2025. While the risk of financial insolvency has been resolved, the Mohawk Valley Fab continues to run at utilization rates in the low 20s, shifting the fundamental risk from 'bankruptcy concern' to 'utilization-rate dependency.' Drawing on the strategic equity relationship with Renesas and Q3 FY2026 results, this article reexamines the evaluation criteria for SiC procurement.