Power Semiconductors

EV充电功率半导体：OBC与DC快充

面向OBC（车载充电器）和DC快充基础设施，SiC/GaN采用正在加速。本文整理损耗降低30%、功率密度提升50%、400V向800V迁移、V2X支持和ASIL-D功能安全要点。

Wolfspeed：第5代SiC，比导通电阻最高降27%

Wolfspeed于2026年6月9日发布第5代SiC技术，较竞争对手的1200V方案将比导通电阻（RSP）最高降低27%。覆盖1200V/750V、基于已量产就绪的200mm平台，面向车载牵引逆变器、工业电源与EV充电基础设施。

IGBT与SiC MOSFET的区别：如何选型

IGBT与SiC MOSFET有何不同，在哪些用途下应选哪一个？本文从器件结构（双极对单极）、导通与开关损耗、耐压与频率范围、成本，以及EV、工业、光伏、数据中心电源等按用途的选型加以梳理。

Mitsubishi Electric has begun sample shipments of its 8th-generation NX-type 1200V IGBT modules in May 2026. The new modules reduce power loss by up to 19% compared to the previous generation, targeting adoption in industrial inverters, UPS systems, and solar power generation systems.

GaN-on-Si与工业电力电子的下一个十年

GaN-on-Si正在650V以下中低压应用领域取代硅器件。在EV车载充电器领域奠定基础后，这一技术正持续向工业电机控制、电信电源和工业UPS延伸。本文梳理各应用场景的导入趋势与关键采购考量。

SiC需求迎来拐点——EV放缓如何开启工业市场机遇

EV需求增长放缓促使SiC市场预测下调。与此同时，工业设备、太阳能和数据中心的需求扩张超出预期，需求多元化正成为结构性转变。本文探讨这一变化对供应商需求组合评估的影响。

AI服务器电源：GaN采用标准

决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。

BYD Semiconductor扩大SiC量产规模

2024年，BYD旗下半导体子公司BYD Semiconductor宣布扩大1200V SiC MOSFET量产线，以提高EV逆变器的自供率。这一举措的意义不仅在于垂直整合本身，更体现了全球最大EV制造商谋求控制功率半导体上游的战略意图。

中国SiC制造商：选型标准

许多团队在是否采用中国SiC制造商的问题上存在内部分歧，部分人员提出质量担忧，另一部分则强调无法回避的成本因素。然而，以"因是中国就不采用"或"因便宜就采用"来回答这一问题过于简单化；真正需要探讨的是验证框架——即如何通过确认具体内容来做出合理决策。

EV功率半导体应用选型矩阵

单台逆变器搭载的SiC功率模块成本是传统Si基模块的2至3倍，然而EV制造商正在加速向SiC过渡，因为整体系统效率的提升和体积的减小抵消了更高的零部件成本；但并非简单地"使用SiC"，EV功率转换系统分为多个应用场景，各有不同的……

电动汽车SiC逆变器：损耗计算与效率提升

EV逆变器转换效率提升1%即可带来数公里的续航差异；当设计工程师面临超越目录值、追求实际效率提升的挑战时，首先遇到的问题是"计算哪些损耗、如何计算"。若不能正确分解损耗构成，即便采用SiC，也可能无法获得预期的效率改善。

EV应用中SiC与GaN的选择：如何挑选合适材料

800V电池系统的采用正在加速，保时捷Taycan、现代IONIQ 6和起亚EV6等车型均从传统400V架构升级至双倍电压，以缩短充电时间并提升驾驶效率，这一趋势直接影响功率器件的选择，SiC与GaN的细分格局正在形成。

Fuji Electric发布下一代IGBT

2020年代中期，随着硅IGBT即将过时的声音日益增多，Fuji Electric发布了下一代IGBT。公司将其定位为"第8代"，据报道该产品在开关损耗和导通电压方面相比传统型号实现了显著改善，有望在EV逆变器领域引发变革。

工业变频器中SiC可靠性评估的关键要点

在工业变频器设计中考虑采用SiC MOSFET时，讨论的焦点往往集中在损耗和开关速度上。然而，在实际应用中更为根本且常被忽视的问题是：器件能否在负载短路时存活。EV与工业设备的应用特性有所不同，工业变频器对运行持续性要求极高，设备意外短路时的可靠保护能力直接影响系统整体可靠性。

onsemi SiC业务业绩展望

进入2025年，普遍观点认为onsemi的SiC业务增长未达市场预期，以EV逆变器为主的SiC业务正面临欧美电气化步伐放缓的逆风，全年预测出现多次下调。然而公司在SiC投资战略上依然坚定不移，这种"坚守阵地"的姿态值得深入分析。

功率半导体供应商评估基础

一个准备大批量生产EV逆变器的设计团队，在选择SiC MOSFET供应商时遭遇了第一道难关："我们不知道该对比哪些数据手册。"单纯并排比较规格表远远不够——测量条件不同，数字的含义截然不同，而各家公司提供的可靠性数据格式又参差不齐，根本无法直接比较。

ROHM第五代SiC MOSFET的导入评估

随着下一代SiC MOSFET的问世，许多企业正在追问："我们想评估第五代产品，但从哪里入手？"鉴于ROHM第四代产品已实现低导通电阻（RonA）与高短路耐受能力的兼顾，第五代的评估不能止步于器件规格本身，还必须涵盖与保护电路的兼容性和热设计裕量。

主要半导体厂商在SiC、GaN与IGBT领域的投资策略比较

EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。

SiC与GaN商业机会评估框架

"SiC还是GaN"这一下一代功率半导体的经典命题，在业界被反复提及，但提问方式本身略显简单化。两者同为宽禁带半导体，却在最佳电压范围、开关特性和成本结构上截然不同。答案不在于"哪个更优"，而在于"针对哪种应用、哪个电压范围、以何种时间维度进行评估"。

SiC 模块与分立器件：选型标准

在逆变器设计初期一旦决定采用 SiC，紧接而来的问题便是选用模块还是分立器件。这一看似仅为实现形式的选择，实际上从根本上影响系统性能、PCB 面积、保护电路设计以及采购灵活性。

ST意法：Ampere用SiC模块2026年量产

STMicroelectronics与Ampere（EV动力总成设计公司，非原Oracle旗下的Arm架构服务器设计商）据报正就下一代EV牵引逆变器用SiC功率模块展开合作，目标2026年实现量产；这一公告内容直接，却折射出"SiC全面导入阶段"驱动下的行业整合动向。

STMicroelectronics SiC新工厂：量产进展

STMicroelectronics通过逐步扩建意大利卡塔尼亚的SiC功率半导体工厂来承接EV和工业需求，考量其投资规模与时机，以及SiC业务面临的盈利变现压力，这一举措所蕴含的意义远不止产能扩充。