Power Semiconductors
SiC / GaN / IGBT vendor dynamics, supply chain, and procurement risk
下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略
随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。
India's Semiconductors Shift into High Gear: The Tata-ASML Partnership Signals a Move from Vision to Execution
In May 2026, Tata Electronics and ASML signed a memorandum of understanding, bringing India's first advanced semiconductor fab closer to reality. From the $11 billion Dholera fab to the participation of Japanese firms including ROHM, India's supply chain buildout is moving from 'vision' to 'execution.'
Cyient发布印度首款GaN功率IC
Cyient推出650V GaN功率IC，面向AI、电信、快速充电及电动出行应用。这些IC提升了功率效率，有助于改善下一代应用的整体性能。
GaN市场动向：Navitas强劲业绩与印度首次量产，指向下一个前沿
Navitas Semiconductor 2026年第一季度业绩超出预期，股价大幅上涨，印证了其GaN技术的市场成功。
数据中心电力需求与功率器件趋势——2026年的核心议题
生成式AI投资推动数据中心电力消耗急剧增长。随着效率要求日益严格，基于SiC和GaN的UPS及PSU设计正逐步成为主流。本文分析电力基础设施中功率器件需求的演变趋势及其对采购的影响。
GaN-on-Si与工业电力电子的下一个十年
GaN-on-Si正在650V以下中低压应用领域取代硅器件。在EV车载充电器领域奠定基础后，这一技术正持续向工业电机控制、电信电源和工业UPS延伸。本文梳理各应用场景的导入趋势与关键采购考量。
太阳能逆变器功率器件选型逻辑
太阳能功率调节系统（PCS）根据应用类型和输出规模，选择性地使用Si IGBT、SiC MOSFET和GaN-on-Si。本文梳理器件选型的决策标准、主要供应商定位及关键采购考量。
宽禁带半导体制造成本趋势——解读SiC与GaN的成本曲线
向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。
AI服务器电源：GaN采用标准
决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。
EV应用中SiC与GaN的选择：如何挑选合适材料
800V电池系统的采用正在加速，保时捷Taycan、现代IONIQ 6和起亚EV6等车型均从传统400V架构升级至双倍电压，以缩短充电时间并提升驾驶效率，这一趋势直接影响功率器件的选择，SiC与GaN的细分格局正在形成。
GaN功率半导体：高效率与小型化的双重优势
如果你曾为在逆变器设计中将功率转换效率提升哪怕一个百分点而苦苦钻研，那么数据本身就能告诉你GaN（氮化镓）带来了什么改变：硅基MOSFET的开关频率上限在数十kHz，而GaN可轻松应对数MHz级别的频率，从而缩小无源器件（电感、电容）的体积。
SiC与GaN时代，IGBT是否仍有价值？
功率转换市场的格局正在深刻变化：SiC功率器件全球市场预计在2030年代前后迎来快速扩张，GaN的应用范围也从家电延伸至数据中心电源。在此背景下，硅基IGBT究竟是否已经过时？
功率半导体市场重组图谱 2026
尽管多家调研机构预测全球SiC功率半导体市场2025年将达到约30亿美元、2030年将突破100亿美元，但行业当前的焦点已从"增长"转向"重组"——问题不再是"谁将占领市场"，而是"谁能存活下去"。
Renesas收购Transphorm GaN业务
Renesas Electronics已同意收购GaN-on-SiC垂直GaN结构先驱Transphorm，这笔预计于2025年完成的交易将从根本上改变其功率半导体产品组合。
主要半导体厂商在SiC、GaN与IGBT领域的投资策略比较
EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。
SiC与GaN商业机会评估框架
"SiC还是GaN"这一下一代功率半导体的经典命题，在业界被反复提及，但提问方式本身略显简单化。两者同为宽禁带半导体，却在最佳电压范围、开关特性和成本结构上截然不同。答案不在于"哪个更优"，而在于"针对哪种应用、哪个电压范围、以何种时间维度进行评估"。