文章
关于该企业的文章
STMicroelectronics与Ampere合作开发EV用SiC功率模块，目标2026年量产
STMicroelectronics与Ampere（EV动力总成设计公司，非原Oracle旗下的Arm架构服务器设计商）据报正就下一代EV牵引逆变器用SiC功率模块展开合作，目标2026年实现量产；这一公告内容直接，却折射出"SiC全面导入阶段"驱动下的行业整合动向。
STMicroelectronics SiC新工厂：量产进展
STMicroelectronics通过逐步扩建意大利卡塔尼亚的SiC功率半导体工厂来承接EV和工业需求，考量其投资规模与时机，以及SiC业务面临的盈利变现压力，这一举措所蕴含的意义远不止产能扩充。
欧洲OEM的SiC采购战略——解读对日本一级供应商的影响
大众、宝马、Stellantis等欧洲主要OEM正在重构SiC采购战略。在垂直整合、长期合同、多元化采购三种模式并行的背景下，本文分析对日本一级供应商的影响及其应对方向。
宽禁带半导体制造成本趋势——解读SiC与GaN的成本曲线
向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。
SiC与GaN时代，IGBT是否仍有价值？
功率转换市场的格局正在深刻变化：SiC功率器件全球市场预计在2030年代前后迎来快速扩张，GaN的应用范围也从家电延伸至数据中心电源。在此背景下，硅基IGBT究竟是否已经过时？
工业变频器中SiC可靠性评估的关键要点
在工业变频器设计中考虑采用SiC MOSFET时，讨论的焦点往往集中在损耗和开关速度上。然而，在实际应用中更为根本且常被忽视的问题是：器件能否在负载短路时存活。EV与工业设备的应用特性有所不同，工业变频器对运行持续性要求极高，设备意外短路时的可靠保护能力直接影响系统整体可靠性。
Mitsubishi Electric与Coherent联合开发8英寸SiC衬底
Mitsubishi Electric与光学元件及半导体材料领域领先企业Coherent达成协议，将联合开发8英寸（200mm）SiC晶圆，这标志着从当前6英寸（150mm）主流的重要转变，将通过增加每片晶圆的芯片数量从根本上改变制造成本结构。
主要半导体厂商在SiC、GaN与IGBT领域的投资策略比较
EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。
SiC 8英寸晶圆供应体系建设现状
SiC功率半导体晶圆尺寸正从6英寸（150mm）向8英寸（200mm）迁移，但"迁移已启动"与"稳定供应体系建立"之间仍存在显著差距；从设计和采购视角评估8英寸晶圆供应链时，迁移进度是核心变量。
SiC 晶圆价格趋势与 2026 年展望
2024 年 SiC 功率半导体市场需求增速低于预期，促使部分厂商调整生产计划。这一"平台期"局面直接影响从器件设计成本核算到采购策略重构的一系列决策，并引发了晶圆价格走势的疑问。要讨论 2026 年的展望，须先理解 SiC 晶圆价格居高不下的结构性原因。