Enphase在面向AI数据中心的固态变压器（SST）中采用英飞凌900V GaN双向开关——减少变换级、迈向800VDC供电，量产认证尚待完成

2026年10月26日，英飞凌宣布将向Enphase Energy供应900V GaN（氮化镓）单片双向开关（BDS），用于Enphase正在开发的面向AI数据中心的固态变压器（SST）“IQ SST”的电源模块。两家公司称这是全球首款900V GaN BDS。

户用光伏企业进军数据中心电源

Enphase以户用光伏微型逆变器闻名。据其产品页面介绍，IQ SST是一种从电网直接向AI计算机架供应800VDC的设备，按每套系统5MW、系统效率超过98.5%、亚毫秒级响应和99.999%可用率设计。它采用模块化结构，储能电池既可布置在负载附近，也可布置在机房白区之外。

在传统架构中，中压交流电经变压器降压，再经过UPS和整流器送至机架。SST以基于半导体的高频电力变换取而代之，一次完成变压和直流化。关于AI数据中心SST的订单动向，请参阅碳化硅固态变压器订单动向。

将双向开关集成于单个器件

普通功率开关只能单向阻断电压，因此双向工作需要组合两个器件。单片BDS用一个器件即可实现。据英飞凌介绍，由于阻断电压高，可以用更少的变换级处理更高的系统电压。

Enphase高级副总裁兼首席技术官Hans van Antwerpen表示，GaN已在该公司的IQ9微型逆变器中实际运行，这一经验使其有信心将其扩展到兆瓦级系统。他说，提高到900V可以增加电压裕量，从而去除变换级，减少电力路径上的元件。

与碳化硅的关系

英飞凌表示，碳化硅（SiC）在高压电力变换中应用广泛，而900V GaN BDS拓宽了SST的选择。该公司称，同一器件预计也可用于美国480V、其他地区400V的三相商用光伏逆变器，从而减少开关数量，降低损耗和系统成本。

对设计与采购负责人的意义

• SST的半导体不再只有碳化硅：此前的SST产品以DG Matrix等采用碳化硅的案例为主。随着900V GaN加入，SST采购中将出现同时比较碳化硅和GaN的情况
• 量产时间未定：900V GaN BDS尚处于量产认证之前的阶段，此次公告也未给出IQ SST的出货时间。应在看到量产认证结果后再纳入设计
• 可与光伏逆变器共用元件：如果同一器件也用于商用光伏逆变器，就能获得仅靠数据中心需求无法达到的量产规模，有助于供应稳定和成本下降
• 800VDC过渡的选择增加：各电源厂商正在推进向800VDC过渡的产品化。一台设备完成从电网到800VDC变换的SST，是可能大幅改变配电室设备构成的选项

参考事实卡片