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GaN市场动向：Navitas强劲业绩与印度首次量产，指向下一个前沿
Navitas Semiconductor 2026年第一季度业绩超出预期，股价大幅上涨，印证了其GaN技术的市场成功。
AI服务器电源：GaN采用标准
决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。
英飞凌2026财年第二季度财报——AI数据中心功率半导体驱动增长，全年业绩指引上调
上调全年业绩指引，是半导体制造商慎之又慎的决策。在这个屡屡被库存修正和需求误判打个措手不及的行业，向上修订展望不仅会波及股价，更会在整个供应链中产生连锁反应。本文解读英飞凌科技在2026财年第二季度财报中做出这一判断的背景。
Cyient发布印度首款GaN功率IC
Cyient推出650V GaN功率IC，面向AI、电信、快速充电及电动出行应用。这些IC提升了功率效率，有助于改善下一代应用的整体性能。
EV应用中SiC与GaN的选择：如何挑选合适材料
800V电池系统的采用正在加速，保时捷Taycan、现代IONIQ 6和起亚EV6等车型均从传统400V架构升级至双倍电压，以缩短充电时间并提升驾驶效率，这一趋势直接影响功率器件的选择，SiC与GaN的细分格局正在形成。
GaN功率半导体：高效率与小型化的双重优势
如果你曾为在逆变器设计中将功率转换效率提升哪怕一个百分点而苦苦钻研，那么数据本身就能告诉你GaN（氮化镓）带来了什么改变：硅基MOSFET的开关频率上限在数十kHz，而GaN可轻松应对数MHz级别的频率，从而缩小无源器件（电感、电容）的体积。
下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略
随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。
GaN-on-Si与工业电力电子的下一个十年
GaN-on-Si正在650V以下中低压应用领域取代硅器件。在EV车载充电器领域奠定基础后，这一技术正持续向工业电机控制、电信电源和工业UPS延伸。本文梳理各应用场景的导入趋势与关键采购考量。
宽禁带半导体制造成本趋势——解读SiC与GaN的成本曲线
向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。
AI数据中心电源：设计趋势全面解析
运行GPT-4的单个服务器机架功耗，从2020年平均10-15kW飙升至搭载最新AI加速器的机架超过100kW，配备NVIDIA H100的高密度机架单体接近70kW，而下一代Blackwell架构预计将进一步突破120kW。