SiCウェハの調達は、パワー半導体の供給能力を左右する川上の競争になりつつある。デバイスメーカーが長期・多元化契約を相次いで締結しているのは、製品競争力がデバイス設計だけでなく材料確保の構造にも依存しているためだ。
Infineonは2024年、SK SiltronとSiCウェハの供給契約を新たに締結した。足元の150mmウェハ調達を固めながら、将来の200mm移行支援も含む内容だ。
SK Siltron契約が示した150mm調達と200mm移行の両立
InfineonはSK SiltronとSiCウェハの供給契約を締結した。SK Siltronは150mm SiCウェハをInfineonに供給し、その後の200mm移行においても支援を行う。
この契約の特徴は、「今動いている量産ライン」と「次世代ウェハへの移行」を一つの契約でつないでいる点にある。150mmは現在の主力口径で、Infineonのパワー半導体製品の多くがこの基板サイズで製造されている。200mmへの移行はコスト低減につながるが、量産立ち上げには時間がかかるため、移行支援を盛り込んだ契約は単なる調達枠の確保以上の意味を持つ。
Infineonは本契約をマルチサプライヤー戦略の一環と位置づけており、特定サプライヤーへの依存を避けた調達構造を整えている。同社は別途、SiCウェハおよびブールの調達先として6社超の認定サプライヤーを持つことも公開しており、このSK Siltron契約はその体制をさらに厚くする動きとして読める。
他社の長期契約と並べると見えてくる共通パターン
Infineonだけの動きではない。SiCパワー半導体をめぐっては、主要デバイスメーカーが相次いで川上の材料調達を長期化・多元化している。
ルネサスはWolfspeedと10年間のSiCウェハ供給契約を締結し、2025年からのSiC量産に向けた材料基盤を構築した。ベアウェハおよびエピタキシャルウェハの双方を対象とした長期契約であり、量産立ち上げの確実性を高める構造になっている。
国内では三菱電機がCoherentと8インチSiC基板を共同開発している。ロームは自社ウェハ内製化を進めており、東芝デバイス＆ストレージも300mmシリコンラインへの投資を継続している。契約形態や規模は違っても、材料確保を川上から設計するという発想は業界共通になりつつある。
現在の量産
150mmウェハの安定供給は、足元のSiC製品ラインを支える前提になる。単一ソース依存は生産停止リスクに直結する。
次世代移行
200mm移行支援の有無は、将来のコスト低下余地を読む材料になる。移行期の途中で供給網が途切れないかも見ておきたい。
供給元の分散
複数サプライヤー体制は、材料側の制約が大きいSiC市場での製品継続性を支えやすくする。認定先数と契約内容の組み合わせで評価したい。
採用側が見るべきは契約そのものより供給設計の思想
今回の契約からデバイス採用側が読むべき点は、Infineonが150mmと200mmを切り替えのタイミングではなく、連続した移行として設計していることだ。
SiC材料は供給が絞られやすく、特定のウェハメーカーへの集中は製品ロードマップのリスクになる。Infineonがマルチサプライヤー体制を明示的に打ち出しているのは、そのリスクを供給側で先に吸収する意図がある。セットメーカーや産業機器メーカーがSiCデバイスを採用するとき、デバイスメーカー自身が材料確保をどう設計しているかは、選定の根拠の一つになってくる。
200mmウェハへの移行タイミングは、各社の量産能力拡大の進捗によって異なる。デバイスの選定と並行して、材料サイドの移行計画を把握しておくことが、SiC採用の中長期的な判断を安定させる。