onsemi SiC事業 業績見通し

EV向け需要の踊り場で、onsemiのSiCは何を賭けているか

2025年に入り、onsemiのSiC事業が市場の期待ほど伸びていないという見方が広がっている。EVインバータ向けを中心に積み上げてきたSiCビジネスは、欧米の電動化ペース鈍化という逆風にさらされ、通期見通しの下方修正が相次いだ。だが同社はSiC投資の方向性を変えていない。この「踏みとどまる」という判断の裏側に何があるのかを、技術・市場・競合の三つの軸から読んでいく。

なぜEVが減速してもSiC投資は続くのか

EVメーカーの生産調整が続く中、パワー半導体各社は軒並みSiC在庫の積み上がりと受注の先送りに直面した。onsemiも例外ではなく、2024年後半から2025年にかけてSiC関連売上の伸び率が鈍化した。ここだけ切り取れば「SiCブームの調整局面」という言葉が当てはまる。

しかし同社がEliteSiCブランドで進める開発・製造投資の規模感は変わっていない。その背景には、EV向けだけに依存しない事業構造への意図的なシフトがある。650Vから1700VまでをカバーするSiC MOSFETとダイオード、モジュールを揃えたポートフォリオは、EVインバータ以外にも産業機器や再生可能エネルギー向けに横展開できる構成になっている。

EV需要の波が一時的に引いても、産業・エネルギーインフラ向けで売上の底を支えられる体制を作っておく、という見方が成り立つ。ただし、その戦略が実際に機能しているかどうかは、セグメント別の売上構成が開示されるたびに確認しておきたい点だ。

EliteSiCの技術ポジションは何で決まるか

SiCデバイス同士の優劣を語るとき、多くの場面でオン抵抗（RDS(on)）の低さが前面に出る。確かに損失低減という観点では重要な指標だが、実際のシステム信頼性を左右するもう一つの軸として「短絡耐量（SCWT）」がある。短絡耐量とは、負荷短絡が発生した際にデバイスが破壊されるまでに耐えられる時間を指し、保護回路が動作するまでの猶予時間そのものだ。

この短絡耐量と低オン抵抗は基本的にトレードオフの関係にある。オン抵抗を下げようとするとダイを小型化・高電流密度化することになり、短絡時の温度上昇が速くなる。SiCはそもそもシリコンに比べてダイが小さく電流密度が高いため、この問題がより顕在化しやすい。保護回路の応答速度として求められる水準も、SiCではSiよりも短い時間に設定せざるを得ない場面が出てくる。

短絡耐量とオン抵抗の両立は、デバイス構造そのものに踏み込む課題だ。ロームの第4世代SiC MOSFETや三菱電機のp型保護層を導入したトレンチ型SiC-MOSFETは、この両立を構造改良で達成しようとしている代表例として業界内でよく参照される。onsemiのEliteSiCも同様の方向性を打ち出しており、高効率によるシステム信頼性向上を競争軸の一つに置いている。どのアプローチが実際にどこまで数値を改善できているか、データシート上の条件を揃えて比較することが判断の手がかりになる。

短絡保護回路の設計とデバイス選定は切り離せない

技術の話をデバイス単体で終わらせられないのがSiCの難しさだ。特に短絡保護の設計は、デバイスのスペックとゲートドライバの設定が一体で機能して初めて成立する。

DESAT（デサチュレーション）保護は、オン状態のドレイン-ソース間電圧（VDS）を監視し、過電流を検出するとスイッチをオフさせる仕組みだ。その動作速度を決めるパラメータとして、DESATトリガー閾値（VDESAT）、DESAT電流（IDESAT）、短絡ブランキング時間の三つが設計の要点になる。

Microchip社の1200V耐圧SiC MOSFETの場合、特定条件下での短絡耐量の公称値はtyp. 3μsと記載されている。この3μsという数字は、保護回路がそれ以内にスイッチをオフさせなければデバイスが破壊されることを意味する。ゲートドライバのDESAT応答時間がこれを上回ってしまうと、スペック通りに動いていても保護が成立しない。デバイスを選ぶ際に短絡耐量の数値だけを見ても、ゲートドライバ側のタイミング設計と合わせて検証しないと実使用での安全マージンが確認できない、という点は設計と評価の両面で認識しておきたい。

上のチャートは数値そのものではなく条件の方向性を示したものだが、短絡耐量が単一の固定値ではなく動作条件に応じて変動することの整理として見ておきたい。実際の設計では、最悪条件（高ドレイン電圧・高ゲート電圧・低温起動時など）での短絡耐量がシステムの安全設計を律速する。

競合と何が違うか——EliteSiCの立ち位置を測る

SiC市場でonsemiが対峙するのは、InfineonのCoolSiCシリーズをはじめ、STマイクロ、ローム、三菱電機など多様な顔ぶれだ。規模・技術・サプライチェーンのそれぞれで異なる強みを持つ競合が並ぶ中、EliteSiCがどの軸で差別化を図っているかは、事業の持続性を読む上でも重要な視点になる。

onsemiの特徴の一つは、デバイス単体ではなくポートフォリオの幅とシステムレベルの効率改善という文脈で製品を位置づけていることだ。EliteSiCが「低電力損失による高効率とシステム信頼性の向上」を前面に出しているのも、個別スペックの比較から引き離し、トータルコストオブオーナーシップ（TCO）の軸で評価させようという意図と捉えると整理しやすい。

一方で、この訴求が実際に調達の意思決定に影響するかどうかは、電源システムの開発段階によって変わってくる。量産が近い段階では認定取得済みデバイスの有無や供給安定性が選定の重みを持つ。開発初期では効率シミュレーションに使えるデータの質が判断に影響する。どのフェーズで評価しているかによって、EliteSiCの競争力の見え方も変わってくる。

では、この局面をどう読むか

EV需要の踊り場がいつ終わるかは誰にも確定的なことは言えないが、SiC採用そのものが後退しているわけではない。産業機器や太陽光・蓄電システム向けの採用が静かに広がっており、車載以外のSiC市場が事業の安定化に寄与する構図は複数のメーカーで共通して見えてくる。

技術面では、短絡耐量とオン抵抗の両立という課題が第4世代・第5世代のデバイス開発の中心テーマになりつつある。ゲートドライバとのシステム整合という問題も含め、「SiCを使いこなす難しさ」はデバイスの世代が上がっても残り続ける。その難しさを理解した上でサポートを提供できるメーカーとディストリビューターが、長期的な採用先として選ばれやすくなる可能性がある。

onsemiがこの局面でSiC投資を続けている判断が正しいかどうかは、2026年以降の電動化回復局面と産業向けの実績でわかってくる。今の段階では、同社がどのアプリケーション・どの技術軸で具体的な採用実績を積み上げているかを追い続けることが、この事業を評価する際の最も確かな手がかりになる。