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2020年代中期,随着硅IGBT即将过时的声音日益增多,Fuji Electric发布了下一代IGBT。公司将其定位为"第8代",据报道该产品在开关损耗和导通电压方面相比传统型号实现了显著改善,有望在EV逆变器领域引发变革。
Toshiba发布全新"三栅极IGBT"结构,相较传统产品可实现最高40%的损耗削减;这40%的改善不只是代际规格升级,在工业设备、轨道交通和大型逆变器等IGBT主战场,即使1%的损耗降低也直接关系到系统冷却成本和年度电费开支。