Sector Signals
行业市场结构、技术动向与企业战略分析——以经核实的事实数据为依据。
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日本GX排放权交易制度（GX-ETS）将于2026年4月作为强制性制度正式启动，适用对象为年度CO₂排放量超过10万吨的GX联盟成员企业（约300至400家）。本指南涵盖合规第一年的端到端运营流程，包括排放源盘点、计算方法选择、第三方核查，以及与SSBJ信息披露的一体化设计。
将CSDDD与《供应链尽职调查法》（LkSG）所要求的人权尽职调查整理为6个可操作步骤，专为中型制造商设计。从政策制定、风险图谱梳理到申诉机制建立与信息披露，逐步说明各阶段所需记录的内容，帮助企业通过欧盟商业伙伴审计，全程以实务运营视角进行解析。
Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。
在欧盟碳边境调节机制（CBAM）下，欧盟进口商承担直接申报义务，而日本制造商则负责计算并提供内嵌排放数据。本文从实务角度系统整理了各利益相关方的职责划分、申报工作流程及提交数据要求——涵盖过渡期内的季度报告，以及2026年起的年度申报与证书上缴。
CDP响应历史可在采购评估中作为代理指标，用于衡量企业Scope 1和2数据收集基础设施与ESG披露成熟度。本文梳理日本CDP响应的实际状况，并探讨如何解读未响应企业的披露准备程度。
欧盟循环经济行动计划（CEAP）、电池法规和生态设计法规正在改变对产品设计、废弃物管理和再生材料采购的要求。本文梳理推动日本制造企业适应变革的法规结构，以及向循环设计转型所带来的采购与研发变化。
EcoVadis是被西方主要企业广泛采用的ESG评分平台，用于供应商评估。评估涵盖四个维度——环境、劳工与人权、道德规范及可持续采购。本文说明各评分段的含义，并梳理达到Silver门槛（50分）的具体步骤。
随着ESG披露义务的推进，构建数据收集、汇总和报告的基础设施已成为紧迫的运营需求。本文从构建披露就绪系统的角度，探讨电子表格管理的局限、专用工具的选择标准，以及如何设计内部数据流。
大众、宝马、Stellantis等欧洲主要OEM正在重构SiC采购战略。在垂直整合、长期合同、多元化采购三种模式并行的背景下，本文分析对日本一级供应商的影响及其应对方向。
印度通过生产挂钩激励计划（PLI）强化制造业实力，同时推进BRSR Core的分阶段强制披露，推动ESG信息透明化。PLI受益企业同时面临BRSR合规压力，这一双重变革改变了日本企业评估印度供应商的方式。
J-Credit制度允许制造商将节能设备导入、可再生能源利用及森林管理所带来的CO2减排量转换为认证信用额度，进而用于GX-ETS合规抵消或Scope 2减排证明。本文梳理对制造业最实用的方法论及申请流程中的关键注意事项。
本文从产品阵容、SiC能力、供应产能和价格竞争力四个维度，对Infineon、onsemi、STMicro、Mitsubishi Electric、Fuji Electric和ROHM六家领先功率模块供应商进行基准评测，供采购来源选择参考。
降低Scope 2排放的主要选项有三种：J-Credit、非化石证书（FIT和非FIT）以及PPA。由于三者在成本、实施难易度及RE100等倡议适用性方面各有不同，企业须根据自身情况选择合适的组合。本文梳理各选项特征并提供选择框架。
SBTi（科学碳目标倡议）为中小型企业（SME）提供简化的承诺路径。本文梳理其与标准路径的差异、申请所需准备工作及日本企业的实际案例，供已收到主要客户SBTi承诺要求的中型制造商参考。
SiC功率模块的性能瓶颈往往源于封装而非器件本身。从硅凝胶封装向环氧树脂和陶瓷封装的转变，以及双面冷却结构的采用，是决定下一代SiC系统竞争力的封装与组装技术趋势。
太阳能功率调节系统（PCS）根据应用类型和输出规模，选择性地使用Si IGBT、SiC MOSFET和GaN-on-Si。本文梳理器件选型的决策标准、主要供应商定位及关键采购考量。
决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。
许多团队在是否采用中国SiC制造商的问题上存在内部分歧，部分人员提出质量担忧，另一部分则强调无法回避的成本因素。然而，以"因是中国就不采用"或"因便宜就采用"来回答这一问题过于简单化；真正需要探讨的是验证框架——即如何通过确认具体内容来做出合理决策。
EV逆变器转换效率提升1%即可带来数公里的续航差异；当设计工程师面临超越目录值、追求实际效率提升的挑战时，首先遇到的问题是"计算哪些损耗、如何计算"。若不能正确分解损耗构成，即便采用SiC，也可能无法获得预期的效率改善。
800V电池系统的采用正在加速，保时捷Taycan、现代IONIQ 6和起亚EV6等车型均从传统400V架构升级至双倍电压，以缩短充电时间并提升驾驶效率，这一趋势直接影响功率器件的选择，SiC与GaN的细分格局正在形成。
如果你曾为在逆变器设计中将功率转换效率提升哪怕一个百分点而苦苦钻研，那么数据本身就能告诉你GaN（氮化镓）带来了什么改变：硅基MOSFET的开关频率上限在数十kHz，而GaN可轻松应对数MHz级别的频率，从而缩小无源器件（电感、电容）的体积。
在工业变频器设计中考虑采用SiC MOSFET时，讨论的焦点往往集中在损耗和开关速度上。然而，在实际应用中更为根本且常被忽视的问题是：器件能否在负载短路时存活。EV与工业设备的应用特性有所不同，工业变频器对运行持续性要求极高，设备意外短路时的可靠保护能力直接影响系统整体可靠性。
随着下一代SiC MOSFET的问世，许多企业正在追问："我们想评估第五代产品，但从哪里入手？"鉴于ROHM第四代产品已实现低导通电阻（RonA）与高短路耐受能力的兼顾，第五代的评估不能止步于器件规格本身，还必须涵盖与保护电路的兼容性和热设计裕量。
SiC功率半导体晶圆尺寸正从6英寸（150mm）向8英寸（200mm）迁移，但"迁移已启动"与"稳定供应体系建立"之间仍存在显著差距；从设计和采购视角评估8英寸晶圆供应链时，迁移进度是核心变量。
随着 SiC MOSFET 的普及加速，栅极驱动器的选型越来越直接决定设计品质；核心在于 SiC 器件芯片面积小、电流密度高，短路时温度上升速度远快于硅（Si）器件，因此保护电路的设计思路必须与 Si 时代有所不同。
在逆变器设计初期一旦决定采用 SiC，紧接而来的问题便是选用模块还是分立器件。这一看似仅为实现形式的选择，实际上从根本上影响系统性能、PCB 面积、保护电路设计以及采购灵活性。
2024 年 SiC 功率半导体市场需求增速低于预期，促使部分厂商调整生产计划。这一"平台期"局面直接影响从器件设计成本核算到采购策略重构的一系列决策，并引发了晶圆价格走势的疑问。要讨论 2026 年的展望，须先理解 SiC 晶圆价格居高不下的结构性原因。
随着 SiC 功率半导体的加速普及，设计完成后确保晶圆稳定供应正日益成为最大瓶颈——无论设计阶段选定了多优秀的器件，没有晶圆就无法量产。要管理供应链风险，须从结构上理解"瓶颈在哪个环节、以何种方式发生"，这是决策的起点。
Wolfspeed的财务困境早已是业界热议的话题，但从认知"经营风险"到决定"如何应对"，两者之间仍存在巨大落差。本文旨在梳理风险结构，探讨切实可行的替代采购方案，以弥合这一落差。
