Sector Signals
行业市场结构、技术动向与企业战略分析——以经核实的事实数据为依据。
专题
2025年中国NEV占新车51.6%以上，出口同比增长90.4%。另一方面，EU的BEV份额在2026年升至19.7%，同时对中国BEV征收最高35.3%的关税。本文基于一手信息梳理全球EV市场分化。
AI数据中心已难只依赖电网，正转向自备发电、BESS和需求响应。本文基于EPRI、EIA、Google、Baker Hughes等一次信息，区分各方案的方向性与落地程度。
高密度AI机柜转向液冷后，冷却方式会改变电源、SiC/GaN器件、Tj余量和设施效率的设计前提。本文基于NVIDIA、CoolIT、OCP和学术资料，整理液冷对电源与功率器件设计的影响。
随着AI服务器单机架迈向1MW，NVIDIA正推动从机架内48/54V直流转向800V直流（HVDC）。减少转换级数可使端到端效率最高提升5%，但绝缘、直流开断和保护设计难度也会上升。
AI数据中心的约束已从半导体转向电力基础设施。EPRI指出，美国数据中心到2030年可能占全国用电量9-17%，而依赖电网的项目在部分地区受电最长可能等待10年。
整理CBAM、SSBJ、TCFD、TNFD、ESRS等55个可持续发展缩略语，按披露、评级、国际框架、碳定价、目标、人权、产品、自然八类说明正式名称、义务属性、时间表和制造业影响。
IGBT与SiC MOSFET有何不同，在哪些用途下应选哪一个？本文从器件结构（双极对单极）、导通与开关损耗、耐压与频率范围、成本，以及EV、工业、光伏、数据中心电源等按用途的选型加以梳理。
2024年全球电动车销量超过1,700万辆、同比增长25%，新车占比超过20%。但增长并不均衡：中国超过1,100万辆、新兴市场增长约40%，而欧洲持平。本文以一手数据梳理减值与目标下调背后的市场两极分化。
CBAM已于2026年1月正式适用于钢铁、铝、化肥、水泥、氢和电力。本文梳理授权申报人、与EU ETS挂钩的证书、50吨小额豁免、2027年9月30日首次年度申报、2027年2月证书销售、Omnibus简化、2025年末实施规则和第三国碳价抵扣。
企业可持续发展报告指令（CSRD）与企业可持续发展尽职调查指令（CSDDD）自2025年至2026年起开始直接影响日本企业。本指南系统梳理了《综合法案I》修订后的适用范围、供应链层级传导义务、实务应对步骤，以及与SSBJ准则的协调对接。
随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。
BRSR Core的分阶段推进将在FY26-27覆盖印度前1,000家上市企业。采购从业人员需要了解印度上市中型企业须履行的信息披露义务，以及企业实际的应对动向。本文梳理了框架结构与企业实战应对案例。
BYD Semiconductor、斯达半导体、CRRC时代电气等中国IGBT制造商正在快速提升国内自给率并加速进军全球市场。价格竞争加剧和产能过剩隐忧正在重塑与欧日供应商的竞争格局。本文分析采购层面的影响。
来自客户的PCF（产品碳足迹）数据请求正在增加。本文梳理基于ISO 14067和GHG Protocol产品标准的计算结构、如何设定务实优先级，以及常见的难点所在。
SSBJ标准已于2025年3月确定；2026年2月内阁府令修订确认，Prime市场市值3万亿日元以上企业自2027年3月期起强制适用。
运行GPT-4的单个服务器机架功耗，从2020年平均10-15kW飙升至搭载最新AI加速器的机架超过100kW，配备NVIDIA H100的高密度机架单体接近70kW，而下一代Blackwell架构预计将进一步突破120kW。
单台逆变器搭载的SiC功率模块成本是传统Si基模块的2至3倍，然而EV制造商正在加速向SiC过渡，因为整体系统效率的提升和体积的减小抵消了更高的零部件成本；但并非简单地"使用SiC"，EV功率转换系统分为多个应用场景，各有不同的……
功率转换市场的格局正在深刻变化：SiC功率器件全球市场预计在2030年代前后迎来快速扩张，GaN的应用范围也从家电延伸至数据中心电源。在此背景下，硅基IGBT究竟是否已经过时？
尽管多家调研机构预测全球SiC功率半导体市场2025年将达到约30亿美元、2030年将突破100亿美元，但行业当前的焦点已从"增长"转向"重组"——问题不再是"谁将占领市场"，而是"谁能存活下去"。
一个准备大批量生产EV逆变器的设计团队，在选择SiC MOSFET供应商时遭遇了第一道难关："我们不知道该对比哪些数据手册。"单纯并排比较规格表远远不够——测量条件不同，数字的含义截然不同，而各家公司提供的可靠性数据格式又参差不齐，根本无法直接比较。
EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。
"SiC还是GaN"这一下一代功率半导体的经典命题，在业界被反复提及，但提问方式本身略显简单化。两者同为宽禁带半导体，却在最佳电压范围、开关特性和成本结构上截然不同。答案不在于"哪个更优"，而在于"针对哪种应用、哪个电压范围、以何种时间维度进行评估"。
