Sector Signals
行业市场结构、技术动向与企业战略分析——以经核实的事实数据为依据。
专题
IGBT与SiC MOSFET有何不同，在哪些用途下应选哪一个？本文从器件结构（双极对单极）、导通与开关损耗、耐压与频率范围、成本，以及EV、工业、光伏、数据中心电源等按用途的选型加以梳理。
实务解说
决定从IGBT切换到SiC的关键标准，不是器件级别的成本比较，而是SiC所实现的散热系统与无源元件小型化如何改变整体系统BOM成本和产品规格。本文整理了针对不同应用场景的决策框架，以及作为过渡方案的混合SiC解决方案。
新闻
上调全年业绩指引，是半导体制造商慎之又慎的决策。在这个屡屡被库存修正和需求误判打个措手不及的行业，向上修订展望不仅会波及股价，更会在整个供应链中产生连锁反应。本文解读英飞凌科技在2026财年第二季度财报中做出这一判断的背景。
ROHM在截至2025年3月的财年中，其功率半导体业务记录了1,936亿日元的减值损失，导致净亏损达1,584亿日元，主要归因于SiC业务的固定资产减值。
GaN-on-Si正在650V以下中低压应用领域取代硅器件。在EV车载充电器领域奠定基础后，这一技术正持续向工业电机控制、电信电源和工业UPS延伸。本文梳理各应用场景的导入趋势与关键采购考量。
