1,584亿日元亏损意味着什么——ROHM SiC业务的结构性危机
截至2025年3月的财年，ROHM报告合并净亏损1,584亿日元。这一数字本身已令人震惊，但更为严峻的是，亏损相当大一部分源于其碳化硅（SiC）业务的库存减记和产能过剩。为被视为"决定性下一代功率半导体"而精心积累的投资，在需求周期低谷中直接转化为损失。
ROHM是全球最早实现SiC功率半导体量产的制造商之一。公司在2010年代初期建立了SiC SBD和MOSFET的量产产线，并持续大规模资本投入，以期抢占EV需求增长的先机。这一战略在2024年起EV需求放缓、市场价格急剧下跌的冲击下，发生了严重偏差。
EV放缓与SiC库存积压——这一时刻的偶合
业内普遍认知是：整体SiC市场在2023年下半年进入需求平台期。Tesla削减SiC模块采购量的表态、中国EV市场竞争加剧、欧洲OEM收缩EV上市计划——多重因素叠加，导致已扩张的SiC产能同步陷入供过于求。
对ROHM而言，这一局面演变为如此巨大亏损的原因，在于其独立供应商的定位。Infineon和STMicroelectronics等企业拥有通过垂直整合和长期合同更易吸收需求波动的结构，而ROHM分立器件、裸芯片和模块产品线覆盖广泛，面向公开市场的销售占比较高。市场萎缩时，库存积压的速度往往更快。
2024年3月末财年：首个预警信号
EV需求平台期开始，SiC器件库存开始累积。营业利润大幅下降。彼时，内外部的普遍看法仍是'暂时性调整'。
2025年3月末财年：进入亏损区间
库存减记和开工率下降双重冲击，营业亏损约400亿日元。EV市场复苏前景不明，SiC设备产能过剩问题显现。
2026年3月末财年：集中计提减值损失
主要针对SiC生产设备计提了1,936亿日元减值损失。营业利润本身虽恢复至108亿日元，但特别损失大幅膨胀，导致净亏损创历史纪录，达1,584亿日元。社长将此次处置描述为'将所有积弊一次性清除'。
电装TOB撤回——行业重组轴心已移位
ROHM周边动向中不可忽视的，是与电装资本关系的一系列变化。2026年2月，电装（Denso）提议通过要约收购（TOB）取得ROHM全部股份。这一旨在强化半导体业务的大规模M&A引发广泛关注。然而，由ROHM独立董事组成的特别委员会得出结论，"未能形成批准该提案的结论"。4月28日，电装正式撤回收购要约。
电装社长林新之助表示："即使继续谈判，也无法描绘出能够为双方创造价值增益的场景。"尽管通过TOB进行资本整合的框架已告消失，双方仍就"继续推进人员交流和共创活动"达成共识，尤其在模拟半导体领域保持合作关系。但至少就目前而言，借助电装实现"强化财务基础"和获得"稳定需求锚点"的方案尚未落地。
与东芝、三菱电机的整合谈判——能否成为行业重组的震中？
进一步讨论的是，有报道称正在推进与东芝Device & Storage和三菱电机功率半导体业务进行整合的谈判。若这一方案成真，日本功率半导体产业的格局将发生根本性变化。
三家公司在技术和产品上各具优势，具体如下：
ROHM
SiC分立器件和裸芯片的早期量产记录丰富。第四代MOSFET致力于兼顾低导通电阻和高短路耐受能力两大目标，在通过独特器件结构实现差异化方面具有优势。
三菱电机
通过在沟槽型SiC-MOSFET中引入p型保护层，显著改善了短路耐受能力。在轨道交通和工业应用大容量模块领域具有强项，可靠性评估经验积累深厚。
东芝Device & Storage
通过Si IGBT模块业务，在工业和电力基础设施应用领域拥有广泛客户基础。向SiC过渡的时机和产品阵容的构建，是竞争力的关键所在。
若整合实现，不仅可在产品线互补方面产生规模效益，还有望在制造流程和检验技术标准化、提升采购谈判话语权等方面发挥协同作用。另一方面，文化和组织整合的成本，以及客户对"竞争对手归于同一旗下"的顾虑，仍是现实层面的挑战。
在欧洲，Infineon的收购战略和与STMicro的联盟已加速了市场集中。日本功率半导体制造商正在讨论如此深度的整合，可视为意识到国际竞争而采取的应对举措。谈判能够推进至何种程度仍有待观察，但"谈判本身的存在"已开始改变行业动态。
短路耐受时间与器件竞争力——技术为何至关重要
无论整合谈判是否推进，或继续独立运营，ROHM重获市场估值的前提，是其产品技术竞争力的恢复。在这一背景下，成为业界重要评估指标的，是SiC MOSFET的"短路耐受时间（SCWT）"。
短路耐受时间是指器件在发生短路后失效前可以承受短路条件的时间，作为保护电路动作前的余量指标。由于芯片尺寸更小、电流密度更高，SiC器件在短路时的温度上升比硅器件更快。例如，Microchip的700V/1200V额定产品在其数据手册中，在特定条件下标注了3µs的典型值。这一数值远短于硅IGBT约10µs的水平，直接影响保护电路的设计。
短路耐受时间与导通电阻（Ron）存在权衡关系。导通电阻越低、开关损耗越小，短路时的饱和电流越高，器件热损伤发生得越快。ROHM宣称其第四代SiC MOSFET通过独特器件结构缓解了这一权衡，三菱电机则通过在沟槽型器件中引入p型保护层应对同一挑战。在整合谈判的背景下，这些不同的技术路线直接转化为"整合后如何制定产品路线图"这一现实问题。
在保护电路设计中，DESAT（去饱和）功能被广泛采用。DESAT在导通状态下监测漏源极电压（VDS），在检测到过流时关断器件。DESAT触发阈值（VDESAT）、DESAT电流（IDESAT）和短路消隐时间，是设计决策的关键参数。
应关注什么——来自技术、采购和业务视角的问题
ROHM的1,584亿日元亏损，不应被解读为孤立的财务异常，而应视为整个SiC行业供需周期已过初期峰值的证据。
以下是从技术和采购双重视角值得重点关注的要点：
器件选型：确认短路耐受条件
短路耐受时间随漏极施加电压、栅极电压和结温的变化而变化。不能仅看产品目录中的典型值，务必确认在自身工作条件下的裕量，作为选型的参考依据。
采购：供应商财务健康度与合作结构
像ROHM这样的大额亏损，应作为采购合作伙伴供货连续性的风险加以评估。持续关注电装合作进展和整合谈判动向，对于判断供货体系的稳定性具有参考价值。
业务与市场：日本制造商的重组情景
若与东芝、三菱电机的整合谈判落地，日本供应商的竞争格局将发生重大变化。从业务开发和投资决策角度，谈判进展速度和整合后的产品阵容政策将成为下一个关注焦点。
业界日渐形成的共识是：SiC市场并未萎缩，而是处于需求从EV向工业应用、数据中心和太阳能发电转移的过渡阶段。ROHM当前在财务重组和寻求合作整合方面所做的努力，是对"如何度过这一过渡期"这一问题寻求答案的过程。答案，或许还需要一段时日才能浮现。