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SiC投资：EU批准6.59亿欧元，中国完成融资
2026年7月14日，欧盟委员会批准向德国四座半导体设施提供6.59亿欧元国家补助。其中，SiC外延晶圆企业Element 3-5获得3.53亿欧元，Vishay的功率MOSFET工厂获得2.14亿欧元。据报道，中国的芯聚能和芯粤能在D轮融资中募得超过7亿元。欧洲和中国的公共与私人资本正加速流向SiC供应链。
SiC/GaN 2026：中国OEM需求
经历减值周期后，SiC/GaN正在需求和技术两端转向。onsemi向NIO的900V化和Geely的SEP系统供应EliteSiC，并与Innoscience合作GaN；Toshiba推出新栅极驱动，ROHM量产TSC3PAK。
BYD Semiconductor扩大SiC量产规模
2024年，BYD旗下半导体子公司BYD Semiconductor宣布扩大1200V SiC MOSFET量产线，以提高EV逆变器的自供率。这一举措的意义不仅在于垂直整合本身，更体现了全球最大EV制造商谋求控制功率半导体上游的战略意图。
中国SiC制造商：选型标准
许多团队在是否采用中国SiC制造商的问题上存在内部分歧，部分人员提出质量担忧，另一部分则强调无法回避的成本因素。然而，以"因是中国就不采用"或"因便宜就采用"来回答这一问题过于简单化；真正需要探讨的是验证框架——即如何通过确认具体内容来做出合理决策。
SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南
Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。
IGBT市场格局转变——中国制造商如何重塑采购格局
BYD Semiconductor、斯达半导体、CRRC时代电气等中国IGBT制造商正在快速提升国内自给率并加速进军全球市场。价格竞争加剧和产能过剩隐忧正在重塑与欧日供应商的竞争格局。本文分析采购层面的影响。
RIR Power迈向印度首家SiC垂直整合
1969年创立的RIR Power Electronics于2025年9月品牌重塑，成为印度首家垂直整合SiC半导体制造商。投资618克若尔卢比在奥里萨邦建设SiC电源园区，2026年7月在NSE上市，目标FY2027实现量产。
Navitas与Magnachip：3300V SiC授权
Navitas于2026年7月23日宣布，向Magnachip授权GeneSiC Gen4/Gen5技术，覆盖1200V、2300V及3300V以上。Magnachip将把技术转移至韩国自有晶圆厂实现内制化。目标是电网基础设施、工业电气化和储能等高压市场，而非仅限EV，显示SiC竞争正从汽车扩展至电力与工业领域。
STMicroelectronics 2026年Q2：SiC双位数增长与数据中心上调
STMicroelectronics 2026年Q2营收34.9亿美元，同比增长26%，毛利率34.8%。公司预计在6英寸向8英寸晶圆转换的支撑下，2026年全年SiC营收将实现双位数增长，并将AI数据中心营收目标上调至2026年超过10亿美元、2027年超过20亿美元。Q3指引为37.0亿美元，预计Q4将超过40亿美元。
SiC固态变压器：AIDC部署启动
SiC固态变压器（SST）已进入商业阶段。为光能源累计出货SST超过100台，并在两座基地确保超过40GW产能。Delta发布的SST可在1m²内提供MW级供电、节省超过50%空间，Eaton则提供2.5MW的MV SST 2.0。本文以一手信息梳理从中压到800VDC直接变换的现状。