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关于该企业的文章
BYD Semiconductor扩大SiC量产规模
2024年，BYD旗下半导体子公司BYD Semiconductor宣布扩大1200V SiC MOSFET量产线，以提高EV逆变器的自供率。这一举措的意义不仅在于垂直整合本身，更体现了全球最大EV制造商谋求控制功率半导体上游的战略意图。
中国SiC制造商：选型标准
许多团队在是否采用中国SiC制造商的问题上存在内部分歧，部分人员提出质量担忧，另一部分则强调无法回避的成本因素。然而，以"因是中国就不采用"或"因便宜就采用"来回答这一问题过于简单化；真正需要探讨的是验证框架——即如何通过确认具体内容来做出合理决策。
SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南
Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。
IGBT市场格局转变——中国制造商如何重塑采购格局
BYD Semiconductor、斯达半导体、CRRC时代电气等中国IGBT制造商正在快速提升国内自给率并加速进军全球市场。价格竞争加剧和产能过剩隐忧正在重塑与欧日供应商的竞争格局。本文分析采购层面的影响。
水电解功率半导体实用指南：绿氢与碳化硅(SiC)/绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
用于绿氢生产的电解水系统功率电子器件概览。介绍了兆瓦级SiC的应用、电网规范合规性、安森美(onsemi)/英飞凌(Infineon)的PFC/DC-DC解决方案，以及关于资本支出(CAPEX)/运营支出(OPEX)的见解。
Wolfspeed：第5代SiC，比导通电阻最高降27%
Wolfspeed于2026年6月9日发布第5代SiC技术，较竞争对手的1200V方案将比导通电阻（RSP）最高降低27%。覆盖1200V/750V、基于已量产就绪的200mm平台，面向车载牵引逆变器、工业电源与EV充电基础设施。
IGBT与SiC MOSFET的区别：如何选型
IGBT与SiC MOSFET有何不同，在哪些用途下应选哪一个？本文从器件结构（双极对单极）、导通与开关损耗、耐压与频率范围、成本，以及EV、工业、光伏、数据中心电源等按用途的选型加以梳理。
Microchip：发布3.3kV SiC模块HV-D3
Microchip于2026年5月26日发布3.3kV SiC功率模块“HV-D3 mSiC”。凭借6kV绝缘，在13.8kV、34.5kV电网连接中，相比低耐压SiC可将串联器件数量约减半，并以100-300A覆盖AI数据中心固态变压器（SST）应用。
东芝：1200V SiC MOSFET样片大幅提升性能
东芝电子元件及存储装置株式会社于2026年5月20日开始发货1200V沟槽栅SiC MOSFET 'TW007D120E'的测试样品。该器件的品质因数Rds(on)×Qgd较现有产品提升约52%，公司将目标市场定位于AI数据中心电源及可再生能源设备。
中国制IGBT：低价30%的TCO与质量评估
斯达半导体毛利率压缩6个百分点，中车时代电气半导体板块同样面临利润率压力——中国IGBT的低价格究竟是结构性竞争力，还是阶段性价格攻势？综合AEC-Q101认证成本、设计变更工时及供应风险，从全生命周期成本（TCO）维度重新评估采购决策。