Microchip于2026年5月26日发布了新一代碳化硅（SiC）功率模块系列“HV-D3 mSiC”。该产品耐压为3.3kV，主要面向AI数据中心的固态变压器（SST）以及中压工业电力转换应用。

主要规格

HV-D3在62mm“D3”封装尺寸内集成多个开关和二极管，并以半桥及共源配置覆盖100-300A。其绝缘耐压为6kV，采用CTI 600外壳材料和扩展爬电距离，以支持高压串联工作。基板采用氮化硅（Si3N4），Microchip称其兼顾高导热率、功率循环耐受性和较宽松的冷却要求。根据Microchip说明，该平台可在700V至3.3kV范围内共用。

串联器件数量减半

最大的诉求点是提升高压电网连接效率。Microchip表示，在连接13.8kV或34.5kV电网时，相比低耐压SiC方案，可将需要串联的器件数量约减少一半。串联级数减少会直接简化栅极驱动、电压均衡电路和装配件数量，从可靠性和成本两方面影响设计人员。该公司说明称，这一产品定位于填补工业市场中此前相对薄弱的100-300A产品空白。

背景：AI数据中心的电力约束

该发布背后，是AI数据中心电力可用性这一约束。Microchip指出，下一代AI设计中的token生成能力将受限于供电能力，而固态变压器（SST）的采用将作为缓解方案加速。相比传统低频变压器，SST有望提升效率并实现小型化，3.3kV级SiC模块则是其中的核心器件。Microchip已于2024年2月推出支持3.3kV的即插即用型mSiC栅极驱动器“XIFM”，此次模块发布进一步补齐了面向SST的组成要素。

对经营、采购和设计的启示

中压SiC模块面向的是此前多由低耐压器件串联来应对的领域。如果串联级数能够减半，电力转换系统的元件数量和控制复杂度将下降，采购和维护负担也会减轻。不过，在测试样品和初期量产阶段，实际工况下的损耗、热特性以及供应体系确认仍是采购判断的前提。对于在AI数据中心和电网连接应用中评估中压SiC的设计与采购部门而言，3.3kV级模块选项正在扩大。

参考事实卡