东芝器件与存储株式会社于2026年5月20日开始向客户发送TW007D120E的测试样品。该器件为1200V沟槽栅极SiC MOSFET，主要面向下一代AI 数据中心电源系统。公司正在为2026财年的量产做准备，同时也预期将其应用于可再生能源设备。
Rds(on)×Qgd 提升约52%的技术意义
TW007D120E的核心性能提升，在于相较于现有产品，性能优值（FOM）Rds(on)×Qgd 降低了约52%。该FOM为导通电阻（Ron）与栅漏电荷之积——前者反映导通损耗，后者反映开关损耗——体现了传统意义上"降低其一则另一升高"的设计权衡关系。Toshiba 通过对沟槽栅极结构的改进，同时放宽了这一约束，实现了相比上一代产品导通损耗与开关损耗的双重降低。
1200V耐压等级与AI数据中心电源架构
AI 数据中心电源需要在±400V HVDC母线至服务器机架的变换环节（PFC、LLC、移相全桥等）中使用高压开关器件。ROHM 的 SCT4013DLL（750V）主要面向直接接入±400V HVDC母线的BBU应用，而TW007D120E的1200V耐压等级则适用于需要更高绝缘设计裕量、以及在电压变换环节追求更高效率的应用场景。各器件厂商正在加速构建覆盖多电压等级的SiC产品线，设计工程师在选型时也越来越多地综合考量电压等级与损耗特性。
设计工程师的关键注意事项
由于该器件目前处于测试样品阶段，在做出采购决策之前，须确认其与量产品之间的性能差异及制造良率数据。52%的FOM提升为额定工作点处的标称值，实际改善幅度取决于栅极驱动器电路设计、开关频率、死区时间设置及温度条件。建议在应用场景对应的工况下，通过评估板进行双脉冲测试，尽早完成器件特性表征。此外，Toshiba 也在考虑提供适合大电流安装的QDPAK封装，建议在早期阶段确定包括封装选型在内的PCB设计方向。
