Navitas Semiconductor（Nasdaq: NVTS）于2026年9月1日宣布，通过与GlobalFoundries（Nasdaq: GFS）的合作制造的第五代GaNFast技术将于当月开始首批出货。制造基地为GF位于佛蒙特州伯灵顿的工厂，采用200mm晶圆的GaN-on-Si产线。
这一发布的意义，与其说在于器件性能本身，不如说在于GaN功率半导体有了美国本土的量产供应源。
从合作到量产约十个月
Navitas与GlobalFoundries于2025年11月宣布长期战略合作伙伴关系，旨在加速美国GaN创新与本土制造。约十个月后的2026年9月迎来首批出货。
GF拥有数十年的半导体制造实绩与大批量生产能力，对Navitas而言构成可信赖的本土供应源。Navitas针对该产线优化开发了Gen 5的GaNFast FET与功率IC，这并非单纯的代工厂切换，而是配合工艺进行的设计工作。
在Navitas的技术基础方面，自2014年创立以来已在GaN与SiC领域积累了300项以上的已授权及申请中专利。工艺设计套件（PDK）、器件架构、集成电力技术方面的自有技术支撑着与GF的合作。
四大目标应用中包含「国家安全」
Gen 5 GaNFast所列的目标市场为四个领域：AI基础设施、高性能计算（HPC）、工业电气化，以及关键国家安全应用。GaNFast FET与功率IC采用集成电力、驱动、控制、传感与保护的设计。
制造基地
GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的工厂，采用200mm晶圆的GaN-on-Si平台。
时间线
2025年11月签署长期战略合作伙伴关系，约十个月后的2026年9月首批出货。
技术基础
Navitas自2014年创立以来在GaN与SiC领域持有300项以上已授权及申请中专利，优势在于PDK、器件架构与集成电力技术。
目标应用
AI基础设施、HPC、工业电气化及关键国家安全应用四大领域，集成电力/驱动/控制/传感/保护。
明确将国家安全应用纳入目标，表明制造地可能成为GaN器件采购的要求条件。在国防相关及关键基础设施领域，除性能与成本外，「在哪里制造」也会进入采用条件。确保本土量产源，是在这类应用中保留选项资格的前提。
对采购判断的影响
近年来GaN供应链持续处于地缘政治因素交织的局面。专利诉讼实际左右供应的案例已经出现，本站在GaN专利战：Infineon的ITC胜诉与Wolfspeed起诉中曾有讨论。中国供应商的定位也因市场而异。在这样的环境下，美国本土量产线的建立，为考虑采购来源分散化提供了可供权衡的具体材料。
不过，目前公布的内容仅止于首批出货的开始，产能规模、价格竞争力，以及与既有亚洲产能的分工均未明确。本土制造选项「存在」与「可作为主力使用」之间尚有距离。评估时需追踪出货量的推移，以及器件单价相对亚洲制造产品最终落在何种水平。