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この企業に関する記事
Navitas、米国製Gen5 GaNFast初出荷
Navitasが2026年9月、GlobalFoundriesのバーモント州工場で製造した第5世代GaNFastの初出荷を開始する。200mm GaN-on-Siラインでの生産で、2025年11月の長期戦略提携から約10か月での量産到達。AIインフラと国家安全保障用途を対象に据える。
GaN市場動向：Navitas好決算とインド初量産の示唆
2026年Q1のNavitas収益は860万ドル（前年比39%減）。それでも株価は発表後27.66%急騰。AI・グリッド・産業向け高出力セグメントが前年比35%増となり、市場が「どこから稼ぐか」の構造変化を先んじて評価した。
Infineon：FY2026 Q2 AI・GaN・SiCで上方修正
通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には
AIサーバー電源：GaN採用で鍵を握る高周波数化と熱設計実務
AIサーバーの電源設計でGaNを採用するかどうかは、「次世代技術だから」という理由だけでは決まらない。求められるのは、スイッチング周波数・電力密度・熱設計という三つの軸でGaNがSiCやSiより明確に有利かどうかを確認することだ。
Power Integrations、GaN2200Vを業界初達成
Power Integrationsが2026年8月5日、業界初となる2200V対応のPowiGaN技術を発表。AIデータセンターの1500V配電、EV補機、太陽光インバーター等が用途対象。従来SiCが占めてきた高耐圧領域にGaNが進出する動きとなる。
AIXTRON：FY2026 Q1受注30%増で通期上方修正
AIXTRONが2026年Q1速報を発表。受注高が約1億7,100万ユーロ（前年比+30%）に達し、データセンター向け光通信需要の急増を受けてFY2026通期売上高ガイダンスを約5億2,000万ユーロから約5億6,000万ユーロへ上方修正した。
IGBTの将来性：SiC・GaN台頭後もシリコンデバイスが重要な理由
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト
パワー半導体大手：SiC・GaN・IGBTの投資戦略と需要変化への対応
EV向けインバータの主役交代、産業機器の高効率化圧力、データセンターの電力密度急騰——複数の需要波が同時に押し寄せる今、主要半導体メーカーはSiC・GaN・IGBTの三つの技術に対して、どこに資本を投じ、どこを守り、どこを諦めるかという選択を迫られている。
GaN特許戦：InfineonのITC勝訴とWolfspeed提訴
Infineonは米ITCでInnoscienceのGaN製品に対する輸入・販売禁止を最終確定させ、欧州系IPがアジア製品を米市場から排除する初の大型事例となった。WolfspeedもNavitasを特許侵害で提訴。GaN覇権を巡る特許戦が調達リスクに直結する構図を一次情報で整理する。
ASE：310mm角PLPで先端AIパッケージ量産へ
ASEが2026年5月26日、業界初の自動310mm角パネルレベルパッケージング（PLP）ラインを開発したと発表。有効面積は最大96,100mm²で、FOCoSは2/2µm、FOCoS-Bridgeは8/8µmのライン・スペースに対応。2027年前半の生産開始を予定する。