GaN达到2200V——业界首创
Power Integrations于2026年8月5日发布业界首个2200V规格的PowiGaN技术，称其"大幅超越现有GaN技术的电压性能"。长期以来，GaN功率器件在高压领域被认为逊于碳化硅（SiC），而2200V这一水平正进军SiC传统优势所在的高压应用领域。
应用涵盖数据中心1500V配电至电动汽车辅助电源
2200V PowiGaN技术面向广泛的高压应用场景：AI数据中心1500V配电架构、电动汽车辅助电源系统、光伏逆变器、高压直流（HVDC）基础设施，以及电池储能系统。AI数据中心供电架构正从48V向400V/800V转型，而GaN如今也成为更高等级1500V配电领域的可选方案。
Power Integrations管理层强调了该技术实现高开关频率的能力，有助于最大化功率密度。GaN进军传统上由SiC主导的高压领域，将带来系统架构简化和效率提升的机会。
2200V PowiGaN要点01
业界首个2200V
大幅超越现有GaN技术的电压性能。
02
应用范围广泛
AI数据中心1500V配电、电动汽车辅助电源、光伏逆变器、HVDC、电池储能系统。
03
进军SiC领域
GaN成为长期由SiC主导的高压应用的替代方案。
04
市场前景
Yole Group预测功率GaN器件市场到2031年将达35亿美元。
高压器件选型长期以SiC为默认选项，如今GaN成为可选替代方案。开关频率、功率密度与成本的权衡中谁能胜出，将是今后采用决策的焦点。
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