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关于该企业的文章
瑞萨：与Wolfspeed签10年SiC晶圆供应协议
Renesas Electronics与Wolfspeed签署了一份为期十年的SiC晶圆长期供应协议，这一前所未有的合作期限本身，已足以说明该协议在半导体行业的重要性，也标志着SiC晶圆采购已超越买方市场的范畴。
Wolfspeed：重组后SiC采购风险变化
Wolfspeed emerged from Chapter 11 in September 2025. While the risk of financial insolvency has been resolved, the Mohawk Valley Fab continues to run at utilization rates in the low 20s, shifting the fundamental risk from 'bankruptcy concern' to 'utilization-rate dependency.' Drawing on the strategic equity relationship with Renesas and Q3 FY2026 results, this article reexamines the evaluation criteria for SiC procurement.
Wolfspeed：第5代SiC，比导通电阻最高降27%
Wolfspeed于2026年6月9日发布第5代SiC技术，较竞争对手的1200V方案将比导通电阻（RSP）最高降低27%。覆盖1200V/750V、基于已量产就绪的200mm平台，面向车载牵引逆变器、工业电源与EV充电基础设施。
SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南
Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。
Renesas收购Transphorm GaN业务
Renesas Electronics已同意收购GaN-on-SiC垂直GaN结构先驱Transphorm，这笔预计于2025年完成的交易将从根本上改变其功率半导体产品组合。
水电解功率半导体实用指南：绿氢与碳化硅(SiC)/绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
用于绿氢生产的电解水系统功率电子器件概览。介绍了兆瓦级SiC的应用、电网规范合规性、安森美(onsemi)/英飞凌(Infineon)的PFC/DC-DC解决方案，以及关于资本支出(CAPEX)/运营支出(OPEX)的见解。
IGBT与SiC MOSFET的区别：如何选型
IGBT与SiC MOSFET有何不同，在哪些用途下应选哪一个？本文从器件结构（双极对单极）、导通与开关损耗、耐压与频率范围、成本，以及EV、工业、光伏、数据中心电源等按用途的选型加以梳理。
Microchip：发布3.3kV SiC模块HV-D3
Microchip于2026年5月26日发布3.3kV SiC功率模块“HV-D3 mSiC”。凭借6kV绝缘，在13.8kV、34.5kV电网连接中，相比低耐压SiC可将串联器件数量约减半，并以100-300A覆盖AI数据中心固态变压器（SST）应用。
东芝：1200V SiC MOSFET样片大幅提升性能
东芝电子元件及存储装置株式会社于2026年5月20日开始发货1200V沟槽栅SiC MOSFET 'TW007D120E'的测试样品。该器件的品质因数Rds(on)×Qgd较现有产品提升约52%，公司将目标市场定位于AI数据中心电源及可再生能源设备。
罗姆：750V SiC MOSFET在BBU中替代IGBT
ROHM的TOLL封装750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」于2025年9月进入量产阶段，正在AI服务器BBU（电池备用单元）应用中迅速普及。本文介绍其采用背景及关键规格。