2026年10月29日,印度CG Power and Industrial Solutions的全资子公司Axiro Semiconductor宣布对美国硅谷碳化硅(SiC)功率器件开发企业ThinSiC进行战略投资。Axiro在ThinSiC最新一轮融资中担任领投方,并签订了支持其技术开发与商业化的长期商业合作协议。CG Power于同日将该新闻稿披露至孟买证券交易所(BSE)和印度国家证券交易所(NSE)。投资金额和融资总额均未公布。

射频设计公司以投资方式进入功率半导体

Axiro总部位于班加罗尔,核心业务是射频、毫米波和高速互连的芯片设计。该公司在官网介绍,十多年来累计出货4亿颗器件,产品覆盖10kHz至40GHz。目前尚无功率半导体产品。该公司表示,此次投资是将产品组合拓展至电力电子的战略的一部分。它没有自行建设碳化硅制造能力,而是通过投资拥有技术的初创企业并与之合作来进入该领域。

見るポイント
01

投资形式

在ThinSiC最新一轮融资中担任领投方,并签订长期商业合作协议。投资金额未披露。

02

目标用途

铁路牵引装置、工业驱动、输配电基础设施。未提及电动车。

03

销售渠道

借助母公司CG Power在印度输配电和工业基础设施领域的业务基础,拓展印度国内外市场。

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ThinSiC的技术

通过横向外延生长减少缺陷,剥离薄外延层,使碳化硅衬底最多可重复使用10次(公司说法)。

Axiro首席执行官Naveen Yanduru表示,碳化硅将成为下一代电力电子的核心,而阻碍其普及的最大障碍是成本。他说,ThinSiC的技术正是针对长期制约高压碳化硅的成本和量产性难题。

ThinSiC以“重复使用衬底”降低成本

ThinSiC总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉。据其官网介绍,该公司利用横向外延过生长(ELO)减少晶体缺陷,并将形成的超薄外延层从衬底上分离。由此碳化硅衬底最多可重复使用10次,从而降低材料成本和设备投资。该公司称,从衬底到外延层的缺陷减少了80%以上,并列出两项美国专利(第12,125,697号和第11,848,197号)。

该公司认为,现有碳化硅器件价格是硅器件的3至5倍,晶圆制造占成本的大部分,并提出了实现与硅相当的成本以及可用于电网电力转换的高压器件等目标。以上均为该公司自己的说法,尚未公布第三方验证结果,也未公布量产时间、耐压、电流额定值等产品规格。

对采购与设计负责人的意义

  • 印度半导体从后道延伸至设计和功率领域:CG Power已通过与瑞萨等合资的CG Semi在萨南德运营后道封测(OSAT)工厂。此次则通过子公司Axiro进入碳化硅器件。在印度,RIR Power Electronics也在推进碳化硅垂直整合
  • 高压工业用途可能成为碳化硅的下一个需求来源:Axiro列出的铁路、工业驱动和输配电,都是比电动车要求更高耐压的领域。在这些领域考虑采用碳化硅的设计人员,值得关注成本前提能降到什么程度
  • 目前仍处于技术和投资阶段:投资金额、产品额定参数、量产时间和制造基地均未公布。要将其视为采购选项,需等到器件送样或量产计划公布之后
  • 也可能影响衬底供应结构:如果衬底重复使用实现实用化,一片衬底可制造的器件数量将增加,大型器件厂商签订的衬底长期供应协议等采购思路也可能随之改变

参考事实卡片