ROHM
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 筹备200mm SiC量产；第5代SiC MOSFET
- EV依赖度
- 中（车载·工业长期客户基础）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- FY2025计提SiC减值；持续增强产能
- 主要供应合同·合作
- 与东芝在SiC合作；车载BBU产品
Data Tracker
功率半导体 供应·产能追踪器
横向梳理主要功率半导体厂商SiC晶圆迁移（6→8英寸）状况、近期扩产·减值、主要供应合同与EV依赖度的定点追踪器，按一手来源整理。供应风险指数计划后续追加。
as of 2026-07-24
更新记录
- 2026-07-24 — 更新STMicro Q2业绩（SiC两位数增长预期、数据中心目标上调）。
- 2026-07-18 — 新增供应链上游3家: Element 3-5（EC批准3.53亿欧元·SiC外延）/ 晶盛机电（12英寸中试·设备内制）/ AccoPower芯聚能·芯粤能（车规SiC垂直整合·批量交付）
- 2026-07-11 — 更新onsemi（Fab Right出售2座工厂）、Infineon（德累斯顿全球最大工厂开设；美国ITC排除Innoscience）、以及Navitas/Wolfspeed（GaN专利互诉）。
17家
收录的主要厂商
7家
正迁移至200mm / 8英寸SiC
4地区
日本·美国·欧洲·中国
日本
三菱电机
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- SiC增产投资；与Coherent合作200mm衬底
- EV依赖度
- 中（工业·铁路·车载分散）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 下一代IGBT/SiC模块；1200V样品
- 主要供应合同·合作
- 与Coherent在200mm SiC衬底合作
富士电机
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 扩增SiC产能（青森等）
- EV依赖度
- 低-中（以工业·电源为主）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 下一代IGBT；扩大面向工业·车载的SiC
- 主要供应合同·合作
- 以国内供应为主
东芝器件与存储
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 在加贺东芝（石川）扩增SiC产能
- EV依赖度
- 中（车载·工业）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 以三重栅IGBT降损；SiC MOSFET（QDPAK）
- 主要供应合同·合作
- 与ROHM在SiC合作
瑞萨电子
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 高崎SiC量产计划；经收购Transphorm获得GaN
- EV依赖度
- 中（以车载为主；SiC为新进入）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 收购Transphorm纳入GaN；推进SiC自产
- 主要供应合同·合作
- 与Wolfspeed签订10年SiC晶圆供应
美国
onsemi
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 自有200mm SiC衬底量产推进
- EV依赖度
- 高（EV用SiC为核心）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- EV放缓下调整出货；聚焦AI数据中心复苏。在Fab Right战略下出售两座工厂（Tarlac至Greatek／Mountain Top至Silex，年省约3500万美元）
- 主要供应合同·合作
- 垂直整合（衬底至模块）
Wolfspeed
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 200mm SiC专业厂；Mohawk Valley投产；垂直整合
- EV依赖度
- 极高（依赖EV长期合同）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 2025年6月申请Chapter 11，9/29完成重组，削减约46亿美元(约70%)债务并持续供货；背景为EV放缓·中国竞争·纽约工厂爬坡延迟。2026年以GaN/SiC专利起诉Navitas（知产攻势）
- 主要供应合同·合作
- 与瑞萨等签订10年SiC晶圆供应
Navitas Semiconductor
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 以GaN为主（GaNFast）兼SiC
- EV依赖度
- 低（以移动·数据中心电源为主）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 面向AI数据中心电源的GaN/SiC增长。2026年被Wolfspeed在特拉华以专利侵权起诉（争议中，持有300+专利）
- 主要供应合同·合作
- 采用代工（fab-lite）
欧洲
Infineon
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 推进200mm SiC量产（Villach/Kulim）
- EV依赖度
- 中（车载·工业·电源分散）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 扩充CoolSiC；强化面向AI数据中心电源的GaN/SiC。2026年7月在德累斯顿开设全球最大功率半导体工厂（投资50亿欧元）；在美国ITC使Innoscience的GaN产品被排除
- 主要供应合同·合作
- 与SK Siltron等签订SiC晶圆长期供应
STMicroelectronics
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 在意大利卡塔尼亚建设200mm SiC一体化基地
- EV依赖度
- 高（车载SiC占比高）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 2026年Q2营收+26%至34.9亿美元。SiC营收预计2026年两位数增长（6→8英寸迁移支撑）。数据中心营收目标上调至2026年超10亿、2027年超20亿美元。
- 主要供应合同·合作
- 与中国三安在重庆设立SiC合资
Semikron Danfoss
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 模块专业厂（芯片以外购为主）
- EV依赖度
- 中（车载·工业模块）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 扩大车载SiC功率模块
- 主要供应合同·合作
- 从各芯片厂采购并制成模块
Element 3-5（SiCnature）
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 德国北威州Baesweiler新建SiC外延片专业工厂，按first-of-a-kind要求建设
- EV依赖度
- 间接（外延供应传导至车规·工业器件）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 2026-07-14欧盟委员会批准3.53亿欧元德国国家补助（6.59亿欧元一揽子中最大项目）
- 主要供应合同·合作
- 作为欧洲域内独立外延供应源，有望扩大欧洲器件厂商的采购选项
中国
比亚迪半导体
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 扩张自有SiC量产；垂直整合
- EV依赖度
- 高（以自有EV为核心）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 在中国EV需求支撑下扩张SiC生产
- 主要供应合同·合作
- 面向比亚迪车辆的自供
中车时代电气
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 面向铁路·工业的SiC/IGBT国产化
- EV依赖度
- 中（铁路·工业·车载）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 在国产化政策下扩增产能
- 主要供应合同·合作
- 以国内供应链为主
士兰微
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 扩增国产IGBT/SiC产能
- EV依赖度
- 中（车载·工业·消费）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 凭借中国价格竞争力扩大份额
- 主要供应合同·合作
- 以国内为主
晶盛机电（JSG / SuperSiC）
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 晶体生长至检测全工序设备自主研发内制；建成12英寸中试线并小批量产出光学级（官方）。据媒体报道，浙江8英寸衬底项目年产60万片加速投产
- EV依赖度
- 间接（衬底供应传导至器件厂商）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 官方发布12英寸SiC衬底中试线（2026）
- 主要供应合同·合作
- 设备内制×衬底的垂直整合，成本结构不同于现有衬底专业厂商
芯聚能·芯粤能（AccoPower）
- SiC晶圆迁移（6→8英寸）
- 在广州南沙建设宽禁带半导体设计·制造·封测基地
- EV依赖度
- 高（车规主驱SiC为核心）
- 近期动向（扩产·减值·产品）
- 搭载芯粤能SiC芯片的主驱模块进入大规模交付；通过AQG324并完成整车级验证（官方）。据报道完成超7亿元D轮融资
- 主要供应合同·合作
- 设计→晶圆→模块在中国境内全流程垂直整合
方法论与引用
本追踪器覆盖SiC、GaN、Si IGBT等功率半导体主要厂商，基于各公司官方公告与IR，整理SiC晶圆大口径化（6→8英寸／200mm）、近期扩产·减值·产品、主要供应合同·合作，以及EV依赖度。EV依赖度为基于公开信息的定性评估。基于定量评分的"供应风险指数"将在方法论确定后追加。我们在财报期与重大公告时更新（as of 2026-07-24）。
引用时的出处标注：
Sector Signals「功率半导体 供应·产能追踪器」(as of 2026-07-24) https://sector-signals.net/zh/trackers/power-semiconductor-supplyCC BY 4.0 — 注明出处即可自由引用·转载。 关于本研究