Resonac成功实现300mm SiC单晶的生长与加工——8英寸量产尚在途中，下一步已现

Resonac于2026年9月15日宣布，已成功实现300mm（12英寸）SiC单晶的生长与加工。SiC单晶属于下一代电子材料。根据该公司自身在2026年8月对公开信息的调查，这一尺寸属于目前在研SiC衬底中最大的一类。

值得注意的是，这并非量产公告。SiC衬底的大口径化目前才刚刚从150mm（6英寸）向200mm（8英寸）过渡。正是在这一过程之中，Resonac在更大的尺寸上完成了晶体生长，并将其贯通到加工环节。

当前位置：6英寸为主力、8英寸已出货

若忽略这一点，就会误读这则公告。市场主流仍然是150mm，Resonac的供应重心也在这里。该公司虽已开始出货200mm外延片，但量产主战场尚未完成转移。

因此，300mm不应被视为可立即纳入供应计划的选项，而应理解为表明大口径化路线图还能延伸多远的技术节点。本站此前讨论过8英寸衬底的供应准备情况以及三菱电机与Coherent在8英寸衬底上的动作，整个行业目前仍处于8英寸的爬坡阶段。

以此视角来看，300mm的意义不在于"何时能买到"，而在于大口径化的天花板仍在更远处。由于衬底成本最终体现在每颗芯片而非每片晶圆上，天花板的位置将直接影响中期价格预期。

背景是日本NEDO绿色创新基金

此次成果吸收了在NEDO（日本新能源产业技术综合开发机构）内设立的绿色创新（GI）基金下开展的研发成果。该基金旨在支持日本实现2050年碳中和目标，相关项目为"下一代绿色功率半导体用SiC晶圆技术开发"。

对采购方而言，大口径SiC衬底的开发正在公共资金支持下推进这一事实值得细读。哪个国家在为哪一阶段的技术投入资金，往往会在数年后体现为谁能率先供应大口径产品。SiC衬底是一个由晶体生长良率决定投资回收的领域，开发速度并不完全取决于单一企业的判断。

应用正在超出功率器件的范围

此次公告中另一处不可忽视的，是关于用途的描述。

以往讨论SiC需求时，通常围绕EV、可再生能源、数据中心电源这三个电力转换领域。若在此之上再加入AI服务器的散热材料这一独立脉络，需求的主导因素可能发生变化。

散热用途所要求的特性与电力转换不同。真正起作用的是导热性与衬底平整度，而非器件工作所需的缺陷密度指标。若该用途得以起量，难以用于功率器件的晶体等级将获得出口，晶体生长本身的经济性随之改变，并反过来影响大口径化的投资判断。

采购与设计当下应关注什么

300mm在可预见的时间内并非采购选项。但仍有两点值得持续跟踪。

第一，作为制定8英寸过渡计划时的参照点。如果技术上的口径上限还在更远处，那么8英寸只是途经点而非终点。签订长期供应协议时，需要对口径世代如何更替有所设定。

第二，作为SiC衬底需求结构可能改变的风险。若AI服务器的散热与封装用途正式起量，可能与功率器件用衬底形成争夺。在观察SiC衬底价格走势时，若只把EV需求作为变量，就会读错。

目前可以确定的只有两点事实：Resonac成功实现了300mm的生长与加工；以及该公司量产的现状是150mm为主力、200mm已开始出货。关于量产时间与供应计划，本次公告并未给出。

参考事实卡片