SiCとGaNの事業機会を読む評価軸

SiCとGaNを「どちらが優れているか」という問いで比べようとすると、必ず答えが出ない。電圧域も用途も調達構造も異なる二つの材料を、同じ評価軸で並べること自体に無理がある。

問うべきは「どちらが良いか」ではなく、「自社のシステムで、どの条件で、どちらが先に候補になるか」だ。そこに用途、供給網、メーカー戦略の三つを重ねると、事業機会の見え方はかなり変わる。

SiCとGaNは同じ「次世代材料」でも得意領域が違う

従来のシリコンパワー半導体は、高電圧・高温環境での性能向上に構造的な限界がある。SiCとGaNはいずれもワイドバンドギャップ半導体として、その限界を超える余地を持つ。しかし、得意な領域はそれぞれ明確に異なる。

SiCは600Vから数kV域のデバイスに適し、EVの駆動インバータや産業用電源など、大電流が流れる用途で実績を積んでいる。GaNは数百V以下の中電圧域で、高スイッチング周波数と低電力損失を活かしやすく、データセンター向け電源や車載充電器などで存在感を高めている。

ルネサスがTransphormの買収を通じてGaN技術を自社ポートフォリオに取り込んだのは、SiC単独ではカバーしきれない電圧域と用途群を補う意図として読める。

この動きが示すのは、SiCとGaNが競合関係にあるというより、用途ごとに住み分けながら、どちらも「シリコンの代替」を担う構造になりつつあるということだ。デバイスメーカーが両方のポートフォリオを持とうとしている事実は、採用側にとっても「SiCかGaNか」の二択ではなく「どの用途にどちらか」という問いに移行していることを意味する。

素材比較ではサプライチェーンの重さが変わる

SiCとGaNは性能の差だけでなく、調達構造の重さが大きく異なる。

SiCはウェハ製造の難易度が高く、大口調達には長期契約や共同開発が必要となる構造が業界標準になりつつある。ルネサスとWolfspeedの10年間にわたる供給契約はその象徴であり、量産開始前に材料枠を確保するアプローチが広がっている。

InfineonがSK Siltronとの契約で150mmの安定調達と将来の200mm移行支援を確保していることも、SiCでは材料調達そのものが競争条件の一部になっていることを示す。

GaNは対照的に、量産フェーズへの移行が先行している側面がある。Navitasは2024年12月末時点の年次報告書でGaNデバイスの累積出荷数が2億4000万個超に達したと開示しており、量産実績の積み上がりが調達リスクを下げている。GaNの採用判断は、ウェハ供給の設計より用途ごとの採用実績の読み方が先に来やすい。

まとめると、SiCは供給網の設計が重く、GaNは用途ごとの採用判断が先に来やすいという非対称性がある。

国内の動きは供給基盤づくりが競争条件になっている

国内では、ロームと東芝デバイス＆ストレージが供給確保計画を進めており、政策支援を含めた供給基盤づくりが競争条件の一部になっている。

素材を選ぶというより供給構造を選ぶ時代

導入側が先に整理すべきなのは、「SiCかGaNか」という素材の選択ではない。対象システムの電圧域と周波数帯、その材料でデバイスを作っているサプライヤーの供給網の強度、そしてどの最終用途に向けて投資を進めているメーカーなのか、この三つを合わせて見ることだ。

素材比較を供給構造の比較に置き換えると、事業機会の見え方はかなり変わる。SiCを採用するとはどのサプライチェーンに乗るかを決めることであり、GaNを採用するとはどの用途実績と量産基盤を信頼するかを決めることでもある。材料名で選ぶ前に、その材料を支える産業構造を先に読む習慣が、中長期の採用判断を安定させる。