見るポイント
効率、小型化、熱設計、認証、量産実績を、データセンター電源の要求から読みます。
関連する判断
AI電源市場への参入、部品選定、GaNサプライヤー評価の前提になります。
Articles
関連する記事
AIサーバー電源：GaN採用で鍵を握る高周波数化と熱設計実務
AIサーバーの電源設計でGaNを採用するかどうかは、「次世代技術だから」という理由だけでは決まらない。求められるのは、スイッチング周波数・電力密度・熱設計という三つの軸でGaNがSiCやSiより明確に有利かどうかを確認することだ。
GaN市場動向：Navitas好決算とインド初量産の示唆
2026年Q1のNavitas収益は860万ドル（前年比39%減）。それでも株価は発表後27.66%急騰。AI・グリッド・産業向け高出力セグメントが前年比35%増となり、市場が「どこから稼ぐか」の構造変化を先んじて評価した。
Infineon：FY2026 Q2 AI・GaN・SiCで上方修正
通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には
Power Integrations、GaN2200Vを業界初達成
Power Integrationsが2026年8月5日、業界初となる2200V対応のPowiGaN技術を発表。AIデータセンターの1500V配電、EV補機、太陽光インバーター等が用途対象。従来SiCが占めてきた高耐圧領域にGaNが進出する動きとなる。
AIXTRON：FY2026 Q1受注30%増で通期上方修正
AIXTRONが2026年Q1速報を発表。受注高が約1億7,100万ユーロ（前年比+30%）に達し、データセンター向け光通信需要の急増を受けてFY2026通期売上高ガイダンスを約5億2,000万ユーロから約5億6,000万ユーロへ上方修正した。
GaN-on-Si：産業用パワー半導体の次の10年
GaN-on-Siは650V以下の低・中電圧アプリケーションでシリコンを置き換えつつある。EVオンボードチャージャーで先行採用されたこの技術が、産業用モーター制御・通信電源・産業用UPSへと応用範囲を広げている。用途別の採用実態と調達上の論点を整理する。
IGBTの将来性：SiC・GaN台頭後もシリコンデバイスが重要な理由
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト
GaN特許戦：InfineonのITC勝訴とWolfspeed提訴
Infineonは米ITCでInnoscienceのGaN製品に対する輸入・販売禁止を最終確定させ、欧州系IPがアジア製品を米市場から排除する初の大型事例となった。WolfspeedもNavitasを特許侵害で提訴。GaN覇権を巡る特許戦が調達リスクに直結する構図を一次情報で整理する。
ASE：310mm角PLPで先端AIパッケージ量産へ
ASEが2026年5月26日、業界初の自動310mm角パネルレベルパッケージング（PLP）ラインを開発したと発表。有効面積は最大96,100mm²で、FOCoSは2/2µm、FOCoS-Bridgeは8/8µmのライン・スペースに対応。2027年前半の生産開始を予定する。
Cyient、インド初のGaNパワーICを発表
インドのCyientが2026年5月、AI・急速充電・e-モビリティ向け650V GaNパワーICをインド初として発表した。日米欧台に限られてきたGaN供給源の多様化が意味すること、車載認証サイクルとの関係を解説する。