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パワー半導体

GaNとAIデータセンター電源

AIサーバー電源、電力密度、GaN採用基準、Navitasなどの市場動向を追う論点ハブ。

見るポイント

効率、小型化、熱設計、認証、量産実績を、データセンター電源の要求から読みます。

関連する判断

AI電源市場への参入、部品選定、GaNサプライヤー評価の前提になります。

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実務解説2026-05-14

AIサーバー電源:GaN採用で鍵を握る高周波数化と熱設計実務

AIサーバーの電源設計でGaNを採用するかどうかは、「次世代技術だから」という理由だけでは決まらない。求められるのは、スイッチング周波数・電力密度・熱設計という三つの軸でGaNがSiCやSiより明確に有利かどうかを確認することだ。

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ニュース2026-05-17

GaN市場動向:Navitas好決算とインド初量産の示唆

2026年Q1のNavitas収益は860万ドル(前年比39%減)。それでも株価は発表後27.66%急騰。AI・グリッド・産業向け高出力セグメントが前年比35%増となり、市場が「どこから稼ぐか」の構造変化を先んじて評価した。

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ニュース2026-05-22

Infineon:FY2026 Q2 AI・GaN・SiCで上方修正

通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には

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ニュース2026-05-30

AIXTRON:FY2026 Q1受注30%増で通期上方修正

AIXTRONが2026年Q1速報を発表。受注高が約1億7,100万ユーロ(前年比+30%)に達し、データセンター向け光通信需要の急増を受けてFY2026通期売上高ガイダンスを約5億2,000万ユーロから約5億6,000万ユーロへ上方修正した。

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実務解説2026-05-16

GaN-on-Si:産業用パワー半導体の次の10年

GaN-on-Siは650V以下の低・中電圧アプリケーションでシリコンを置き換えつつある。EVオンボードチャージャーで先行採用されたこの技術が、産業用モーター制御・通信電源・産業用UPSへと応用範囲を広げている。用途別の採用実態と調達上の論点を整理する。

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特集2026-05-14

IGBTの将来性:SiC・GaN台頭後もシリコンデバイスが重要な理由

電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラト

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ニュース2026-06-04

ASE:310mm角PLPで先端AIパッケージ量産へ

ASEが2026年5月26日、業界初の自動310mm角パネルレベルパッケージング(PLP)ラインを開発したと発表。有効面積は最大96,100mm²で、FOCoSは2/2µm、FOCoS-Bridgeは8/8µmのライン・スペースに対応。2027年前半の生産開始を予定する。

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ニュース2026-05-19

Cyient、インド初のGaNパワーICを発表

インドのCyientが2026年5月、AI・急速充電・e-モビリティ向け650V GaNパワーICをインド初として発表した。日米欧台に限られてきたGaN供給源の多様化が意味すること、車載認証サイクルとの関係を解説する。

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実務解説2026-05-14

EV用パワー半導体:800VでのSiCとGaNの使い分け

800Vバッテリーシステムの普及が加速している。ポルシェ タイカン、現代 IONIQ 6、Kia EV6——これらに共通するのは、充電時間の短縮と走行効率の向上を両立するために、従来の400Vアーキテクチャから倍の電圧帯へ移行したという事実だ。この流れがパワーデバイスの選択に直接影響している。「Si

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実務解説2026-05-14

GaNパワー半導体:効率を高める小型化と採用メリット

インバータ設計で電力変換効率を1ポイント改善しようと格闘した経験があるなら、GaN(窒化ガリウム)が何を変えたかは数字を見るだけで伝わる。シリコン製MOSFETのスイッチング周波数が数十kHzで頭打ちになるのに対し、GaNは数MHzまで扱える。周波数が上がれば受動部品(インダクタ・コンデンサ)のサイ

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