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关于该企业的文章
ROHM第五代SiC MOSFET的导入评估
随着下一代SiC MOSFET的问世，许多企业正在追问："我们想评估第五代产品，但从哪里入手？"鉴于ROHM第四代产品已实现低导通电阻（RonA）与高短路耐受能力的兼顾，第五代的评估不能止步于器件规格本身，还必须涵盖与保护电路的兼容性和热设计裕量。
SiC/GaN 2026：中国OEM需求
经历减值周期后，SiC/GaN正在需求和技术两端转向。onsemi向NIO的900V化和Geely的SEP系统供应EliteSiC，并与Innoscience合作GaN；Toshiba推出新栅极驱动，ROHM量产TSC3PAK。
罗姆：750V SiC MOSFET在BBU中替代IGBT
ROHM的TOLL封装750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」于2025年9月进入量产阶段，正在AI服务器BBU（电池备用单元）应用中迅速普及。本文介绍其采用背景及关键规格。
SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南
Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。
罗姆FY2025：SiC业务损失1584亿日元
ROHM在截至2025年3月的财年中，其功率半导体业务记录了1,936亿日元的减值损失，导致净亏损达1,584亿日元，主要归因于SiC业务的固定资产减值。
RIR Power迈向印度首家SiC垂直整合
1969年创立的RIR Power Electronics于2025年9月品牌重塑，成为印度首家垂直整合SiC半导体制造商。投资618克若尔卢比在奥里萨邦建设SiC电源园区，2026年7月在NSE上市，目标FY2027实现量产。
Navitas与Magnachip：3300V SiC授权
Navitas于2026年7月23日宣布，向Magnachip授权GeneSiC Gen4/Gen5技术，覆盖1200V、2300V及3300V以上。Magnachip将把技术转移至韩国自有晶圆厂实现内制化。目标是电网基础设施、工业电气化和储能等高压市场，而非仅限EV，显示SiC竞争正从汽车扩展至电力与工业领域。
STMicroelectronics 2026年Q2：SiC双位数增长与数据中心上调
STMicroelectronics 2026年Q2营收34.9亿美元，同比增长26%，毛利率34.8%。公司预计在6英寸向8英寸晶圆转换的支撑下，2026年全年SiC营收将实现双位数增长，并将AI数据中心营收目标上调至2026年超过10亿美元、2027年超过20亿美元。Q3指引为37.0亿美元，预计Q4将超过40亿美元。
SiC固态变压器：AIDC部署启动
SiC固态变压器（SST）已进入商业阶段。为光能源累计出货SST超过100台，并在两座基地确保超过40GW产能。Delta发布的SST可在1m²内提供MW级供电、节省超过50%空间，Eaton则提供2.5MW的MV SST 2.0。本文以一手信息梳理从中压到800VDC直接变换的现状。
SiC投资：EU批准6.59亿欧元，中国完成融资
2026年7月14日，欧盟委员会批准向德国四座半导体设施提供6.59亿欧元国家补助。其中，SiC外延晶圆企业Element 3-5获得3.53亿欧元，Vishay的功率MOSFET工厂获得2.14亿欧元。据报道，中国的芯聚能和芯粤能在D轮融资中募得超过7亿元。欧洲和中国的公共与私人资本正加速流向SiC供应链。