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关于该企业的文章
ROHM的SiC业务：透视1,584亿日元亏损——库存过剩、电装合作及与东芝三菱电机的合并谈判
ROHM在截至2025年3月的财年中，其功率半导体业务记录了1,936亿日元的减值损失，导致净亏损达1,584亿日元，主要归因于SiC业务的固定资产减值。
ROHM第五代SiC MOSFET的导入评估
随着下一代SiC MOSFET的问世，许多企业正在追问："我们想评估第五代产品，但从哪里入手？"鉴于ROHM第四代产品已实现低导通电阻（RonA）与高短路耐受能力的兼顾，第五代的评估不能止步于器件规格本身，还必须涵盖与保护电路的兼容性和热设计裕量。
SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南
Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。
下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略
随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。
欧洲OEM的SiC采购战略——解读对日本一级供应商的影响
大众、宝马、Stellantis等欧洲主要OEM正在重构SiC采购战略。在垂直整合、长期合同、多元化采购三种模式并行的背景下，本文分析对日本一级供应商的影响及其应对方向。
SiC需求迎来拐点——EV放缓如何开启工业市场机遇
EV需求增长放缓促使SiC市场预测下调。与此同时，工业设备、太阳能和数据中心的需求扩张超出预期，需求多元化正成为结构性转变。本文探讨这一变化对供应商需求组合评估的影响。
SiC模块封装技术趋势——下一代封装如何重新定义热设计
SiC功率模块的性能瓶颈往往源于封装而非器件本身。从硅凝胶封装向环氧树脂和陶瓷封装的转变，以及双面冷却结构的采用，是决定下一代SiC系统竞争力的封装与组装技术趋势。
宽禁带半导体制造成本趋势——解读SiC与GaN的成本曲线
向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。
BYD Semiconductor扩大SiC量产规模
2024年，BYD旗下半导体子公司BYD Semiconductor宣布扩大1200V SiC MOSFET量产线，以提高EV逆变器的自供率。这一举措的意义不仅在于垂直整合本身，更体现了全球最大EV制造商谋求控制功率半导体上游的战略意图。
中国SiC制造商：选型标准
许多团队在是否采用中国SiC制造商的问题上存在内部分歧，部分人员提出质量担忧，另一部分则强调无法回避的成本因素。然而，以"因是中国就不采用"或"因便宜就采用"来回答这一问题过于简单化；真正需要探讨的是验证框架——即如何通过确认具体内容来做出合理决策。