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この企業に関する記事
ロームFY2025 SiC減損：1584億円損失と業界再編
ロームは2025年度通期決算でパワー半導体事業に1,936億円の減損損失を計上し、最終純損失は1,584億円。SiC固定資産の過剰投資が主因で、InfineonやSTMicroも計画縮小を発表した同時期。調達・投資判断への示唆を整理する。
ROHM第5世代SiC MOSFET：採用に向けた評価法
SiC MOSFETの世代交代が進む中で、「第5世代を評価してみたいが、何から手をつければいいか」という声は少なくない。ロームが公表している第4世代の特徴である低オン抵抗（RonA）と高短絡耐量の両立を踏まえると、第5世代の評価では**デバイス単体のスペックだけでなく、保護回路との整合性と熱設計の余
ローム：SCT4013DLL 750V SiC MOSFET、BBUでIGBT代替
ロームが2025年9月に量産開始したTOLLパッケージ750V耐圧SiC MOSFET「SCT4013DLL」。AIサーバーのBBU（バッテリーバックアップユニット）向けに採用が広がる背景と仕様を解説する。
RIR Power、インド初SiC垂直統合へ
1969年創業のRIR Power Electronicsが2025年9月にブランド刷新、インド初の垂直統合型SiC半導体メーカーとして始動。総投資額618クローレでオディシャ州にSiCパワーキャンパスを建設し、2026年7月にNSE上場、エピタキシー生産はFY2027量産開始を目指す。
Wolfspeed：第5世代SiC、比抵抗を最大27%低減
Wolfspeedが2026年6月9日に第5世代SiC技術を発表。競合の1200Vソリューション比で特定オン抵抗（RSP）を最大27%低減し、1200V/750V対応・200mm量産プラットフォームで車載トラクションインバーターと産業用電源、EV充電インフラ向けに展開する。
EV用SiCインバータ：航続距離を伸ばす損失計算と効率改善
EV向けインバータの変換効率が1%上がると、航続距離に換算して数kmの差が生まれる。カタログ値ではなく実走行での効率改善を求めて、設計の入り口に立ったとき、最初に直面するのが「どの損失をどう計算するか」という問いだ。損失の内訳を正しく分解できなければ、SiCを採用したのに期待ほど効率が上がらない、あ
SiC/GaN 2026：中国OEM主導の需要と新技術
減損局面を経たSiC/GaNは需要と技術で局面が動く。オンセミはNIOの900V化やGeelyのSEPシステムにEliteSiCを供給し、InnoscienceとGaNで協業。東芝は新型ゲートドライバ、ROHMはTSC3PAKを投入した。2026年の動向を一次情報で整理する。
IGBTとSiC MOSFETの違い：選び方の基準
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
SiCサプライヤー比較：Wolfspeed依存を脱却する代替先の検討
Wolfspeedの破産・再建という経営危機は、SiC調達における単一サプライヤー依存のリスクを改めて示した。インフィニオン CoolSiC・onsemi EliteSiC・ローム・三菱電機・富士電機・中国系メーカーの特性と選定ポイントを比較し、マルチサプライヤー体制の構築指針を整理する。
SiCウェハ地政学：SK Siltron買収が変える供給構造
韓国ドゥサンがSK Siltronの株式100%を取得し、約5兆ウォンの買収を発表。 SiC事業の4,140億ウォン減損と1.2兆ウォンのコベナンツ問題を抱えながら進む垂直統合戦略と、日韓サプライチェーン協力の文脈を読む。