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新闻
Microchip于2026年5月26日发布3.3kV SiC功率模块“HV-D3 mSiC”。凭借6kV绝缘，在13.8kV、34.5kV电网连接中，相比低耐压SiC可将串联器件数量约减半，并以100-300A覆盖AI数据中心固态变压器（SST）应用。
东芝电子元件及存储装置株式会社于2026年5月20日开始发货1200V沟槽栅SiC MOSFET 'TW007D120E'的测试样品。该器件的品质因数Rds(on)×Qgd较现有产品提升约52%，公司将目标市场定位于AI数据中心电源及可再生能源设备。
综合onsemi 2026年第一季度与英飞凌2026财年第二季度财报的共同趋势。随着AI数据中心电力需求急速扩张，汽车应用市场持续复苏。本文拆解设计与采购团队需掌握的双轴结构性转变。
上调全年业绩指引，是半导体制造商慎之又慎的决策。在这个屡屡被库存修正和需求误判打个措手不及的行业，向上修订展望不仅会波及股价，更会在整个供应链中产生连锁反应。本文解读英飞凌科技在2026财年第二季度财报中做出这一判断的背景。
生成式AI投资推动数据中心电力消耗急剧增长。随着效率要求日益严格，基于SiC和GaN的UPS及PSU设计正逐步成为主流。本文分析电力基础设施中功率器件需求的演变趋势及其对采购的影响。
