SiC主战场正从汽车扩展至电力与工业

提到SiC只想到EV，已经只是局部图景。2026年7月23日，Navitas Semiconductor宣布与Magnachip Semiconductor建立战略合作。Navitas将向Magnachip授权高压及超高压SiC技术，Magnachip则将在韩国自有晶圆厂实现内制化。双方瞄准的不是EV，而是电网基础设施、工业电气化和储能系统等高压电力应用。

被授权的技术——覆盖3300V以上

授权对象为Navitas的GeneSiC Gen4/Gen5平台，覆盖1200V、2300V及3300V以上。GeneSiC TAP技术被定位为可达到3300V以上超高压的第四代和第五代技术。1200V级主要属于汽车逆变器领域，而2300V及3300V以上面向电网、工业设备和大容量储能；固态变压器（SST）、STATCOM和HVDC等电力基础设施设备的需求正在出现。

对Magnachip而言，关键是借用技术后在自有晶圆厂内制化。这不是单纯采购产品，而是将SiC芯片设计和制造能力引入韩国。Navitas提供自身SiC供应链与材料生态系统，Magnachip则在自有工艺中完成转移和认证。

为什么是“高压、非EV”？

这项合作表明SiC竞争轴正在扩展。汽车用1200V级价格竞争激烈，中国厂商的量产压力也在持续。相比之下，电网和工业用高压SiC对可靠性与电压要求更高，进入壁垒也更高。随着SST开始服务AI数据中心供电、STATCOM和HVDC带动电网稳定需求，高压SiC正在成为区别于汽车的增长轴。

Magnachip在韩国获得高压SiC内制能力，也是韩国电力和工业供应链国产化的一步。对Navitas而言，这带来技术授权收入并扩展其材料生态系统的基础。

这项合作显示的重点
01

高压、非EV

覆盖1200V、2300V及3300V以上，瞄准电网、工业和储能，与价格竞争激烈的汽车1200V级不同。

02

内制化是关键

Magnachip将技术转移至韩国晶圆厂实现内制化，把SiC设计和制造能力纳入韩国。

03

电力基础设施需求

SST、STATCOM、HVDC等电网设备的高压SiC需求正在形成。

04

合作仍有扩展空间

双方正在考虑SiC授权以外的合作领域，细节将另行公布。

对业务的影响与确认点

涉及高压SiC采购或设计的团队应确认：①待采用的电网或工业设备所需电压范围是1200V级、2300V还是3300V以上，以及候选供应商的覆盖范围；②高压SiC的供应来源，与汽车用途不同，能够满足要求的厂商仍有限；③授权加内制化的供应模式将如何影响长期供货连续性。若只将SiC视为EV零件，就会错过正在电力与工业领域形成的另一类需求。本次合作正是这一转变以具体授权协议呈现的案例。

参考FactCard