ROHM量产面向AI服务器BBU的750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」——以直接±400V HVDC连接取代IGBT

ROHM 750 V SiC MOSFET"SCT4013DLL"正在人工智能数据中心不间断电源应用的电池备用单元（BBU）领域获得广泛采用。ROHM 于 2025 年 9 月开始批量生产 TOLL 封装系列产品，将其定位于正在成为行业标准的 ±400 V HVDC 母线架构。

±400 V HVDC 母线与 BBU 的 SiC 需求

±400 V HVDC（高压直流）母线已在人工智能电源系统中普及，将电池直接连接至直流母线的 BBU 配置正成为主流方案。该架构无需升压变换器，但需要额定电压为 600～800 V 的开关器件。SiC MOSFET 与传统 IGBT 相比，具有更优异的高频开关性能和更低的导通损耗，非常适合承担这一角色，并因其在全天候不间断运行的人工智能电源系统中出色的热可靠性而备受重视。

SCT4013DLL 规格与 TOLL 封装的优势

SCT4013DLL 额定电压为 750 V、额定电流为 120 A，典型导通电阻（Ron）为 13 mΩ，最高结温为 175 °C。与 TO-263 相比，TOLL 封装可将电路板占用面积缩减约 26%，支持功率板上的高密度安装。该系列共有六款型号，覆盖 13～65 mΩ 导通电阻及 26～120 A 电流范围，不仅适用于人工智能服务器，还可广泛应用于工业 UPS、光伏逆变器等多种场景。

设计工程师关注要点

与 650 V 级器件相比，750 V 额定电压可提供更大的电压裕量，但 Rds(on) × Qgd 的权衡取舍值得重点关注。ROHM 提供评估板（150 A，支持双脉冲测试，频率高达 500 kHz），可在实际应用条件下进行早期开关特性表征。