Power Semiconductors
SiC / GaN / IGBT vendor dynamics, supply chain, and procurement risk
Navitas与Magnachip：3300V SiC授权
Navitas于2026年7月23日宣布，向Magnachip授权GeneSiC Gen4/Gen5技术，覆盖1200V、2300V及3300V以上。Magnachip将把技术转移至韩国自有晶圆厂实现内制化。目标是电网基础设施、工业电气化和储能等高压市场，而非仅限EV，显示SiC竞争正从汽车扩展至电力与工业领域。
GaN专利战：Infineon的ITC胜诉与Wolfspeed起诉
Infineon在美国ITC最终确认针对Innoscience GaN产品的进口和销售禁令，成为欧洲IP将亚洲产品排除出美国市场的首个大型案例。Wolfspeed也以专利侵权起诉Navitas。GaN霸权之争中的专利战，正直接变成采购风险。
东芝：1200V SiC MOSFET样片大幅提升性能
东芝电子元件及存储装置株式会社于2026年5月20日开始发货1200V沟槽栅SiC MOSFET 'TW007D120E'的测试样品。该器件的品质因数Rds(on)×Qgd较现有产品提升约52%，公司将目标市场定位于AI数据中心电源及可再生能源设备。
GaN市场：Navitas业绩与印度量产启示
Navitas Semiconductor 2026年第一季度业绩超出预期，股价大幅上涨，印证了其GaN技术的市场成功。
IGBT市场格局转变——中国制造商如何重塑采购格局
BYD Semiconductor、斯达半导体、CRRC时代电气等中国IGBT制造商正在快速提升国内自给率并加速进军全球市场。价格竞争加剧和产能过剩隐忧正在重塑与欧日供应商的竞争格局。本文分析采购层面的影响。
SiC需求迎来拐点——EV放缓如何开启工业市场机遇
EV需求增长放缓促使SiC市场预测下调。与此同时，工业设备、太阳能和数据中心的需求扩张超出预期，需求多元化正成为结构性转变。本文探讨这一变化对供应商需求组合评估的影响。
SiC与GaN时代，IGBT是否仍有价值？
功率转换市场的格局正在深刻变化：SiC功率器件全球市场预计在2030年代前后迎来快速扩张，GaN的应用范围也从家电延伸至数据中心电源。在此背景下，硅基IGBT究竟是否已经过时？
Infineon CoolSiC产品系列更新解读
作为SiC MOSFET市场的领导者，Infineon正在持续更新其CoolSiC产品系列。此举不仅仅是产品增补，而是涵盖电压范围扩展和栅极结构改进的战略行动，对整个行业具有深远意义。
onsemi SiC业务业绩展望
进入2025年，普遍观点认为onsemi的SiC业务增长未达市场预期，以EV逆变器为主的SiC业务正面临欧美电气化步伐放缓的逆风，全年预测出现多次下调。然而公司在SiC投资战略上依然坚定不移，这种"坚守阵地"的姿态值得深入分析。
功率半导体市场重组图谱 2026
尽管多家调研机构预测全球SiC功率半导体市场2025年将达到约30亿美元、2030年将突破100亿美元，但行业当前的焦点已从"增长"转向"重组"——问题不再是"谁将占领市场"，而是"谁能存活下去"。
瑞萨：与Wolfspeed签10年SiC晶圆供应协议
Renesas Electronics与Wolfspeed签署了一份为期十年的SiC晶圆长期供应协议，这一前所未有的合作期限本身，已足以说明该协议在半导体行业的重要性，也标志着SiC晶圆采购已超越买方市场的范畴。
SiC 晶圆价格趋势与 2026 年展望
2024 年 SiC 功率半导体市场需求增速低于预期，促使部分厂商调整生产计划。这一"平台期"局面直接影响从器件设计成本核算到采购策略重构的一系列决策，并引发了晶圆价格走势的疑问。要讨论 2026 年的展望，须先理解 SiC 晶圆价格居高不下的结构性原因。