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Infineon CoolSiC：耐圧拡充とパッケージ刷新の狙い
SiC MOSFET市場のリーダーであるInfineonが、CoolSiCファミリーのラインアップ更新を進めている。単なる製品追加ではなく、耐圧帯の拡充とゲート構造の改良を組み合わせた動きとして捉えると、この更新が業界全体に対して何を問いかけているかが見えてくる。
Infineon：SK SiltronとSiCウェハ供給契約で調達リスクを分散
2025年、InfineonはSK Siltronと複数年にわたるSiCウェハ供給契約を締結した。金額は公表されていないが、Infineonがウェハ調達を単一の長期契約で固定するという動きは、SiCサプライチェーンの構造変化を象徴している。「誰がウェハを確保するか」が、パワー半導体の競争力を左右する
水電解パワー半導体実務ガイド：グリーン水素とSiC/IGBT
グリーン水素製造向け水電解システムのパワーエレクトロニクスを整理。MW級SiC採用・グリッドコード対応・onsemi/InfineonのPFC/DC-DCソリューション・CAPEX/OPEX示唆を解説。
IGBTとSiC MOSFETの違い：選び方の基準
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
ローム：SCT4013DLL 750V SiC MOSFET、BBUでIGBT代替
ロームが2025年9月に量産開始したTOLLパッケージ750V耐圧SiC MOSFET「SCT4013DLL」。AIサーバーのBBU（バッテリーバックアップユニット）向けに採用が広がる背景と仕様を解説する。
IGBTからSiC MOSFETへの切替判断とTCO
IGBTからSiC MOSFETへの切り替えをいつ判断するか。判断軸はデバイス単価比較ではなく、SiCによる冷却系・受動部品の小型化がシステム全体のBOMと製品仕様をどう変えるか。用途別の判断フローと中間解のハイブリッドSiCも解説する。
Infineon：FY2026 Q2 AI・GaN・SiCで上方修正
通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には
SiCウェハ地政学：SK Siltron買収が変える供給構造
韓国ドゥサンがSK Siltronの株式100%を取得し、約5兆ウォンの買収を発表。 SiC事業の4,140億ウォン減損と1.2兆ウォンのコベナンツ問題を抱えながら進む垂直統合戦略と、日韓サプライチェーン協力の文脈を読む。
富士電機：シリコン限界を突破する新世代IGBT発表でSiCに対抗
シリコン（Si）のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は時代遅れになった——そう語られる機会が増えた2020年代半ば、富士電機が新世代IGBTを発表した。同社が「第8世代」と位置づけるこのデバイスは、スイッチング損失とオン電圧の両立を従来比で大幅に改善したと公表されており、EV向けインバー
IGBTの将来性：SiC・GaN台頭後もシリコンデバイスが重要な理由
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト