Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
特集
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
GaN-on-Siは650V以下の低・中電圧アプリケーションでシリコンを置き換えつつある。EVオンボードチャージャーで先行採用されたこの技術が、産業用モーター制御・通信電源・産業用UPSへと応用範囲を広げている。用途別の採用実態と調達上の論点を整理する。
