Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
ニュース
理想汽車が2026年7月16日、Allurグループとカザフスタン・コスタナイでの現地組立MOUを締結。同年7月20日にアルマティで新型Li L9を発表し中国国外初の市場デビューを果たした。中国以外での初の生産拠点となる。
中国国務院新聞弁公室によると、GMとSAIC汽車が合弁契約を2047年まで20年延長。2030年までにNEV30車種以上を投入予定で、Buick Electra E7は2026年10月に初の海外輸出を開始する。SAIC汽車は累計生産1億台を達成。
Power Integrationsが2026年8月5日、業界初となる2200V対応のPowiGaN技術を発表。AIデータセンターの1500V配電、EV補機、太陽光インバーター等が用途対象。従来SiCが占めてきた高耐圧領域にGaNが進出する動きとなる。
Nextpowerが2026年7月30日、スペイン・Zigor Corporationのパワーコンバージョン事業とApex Powerの資産買収を完了。米国複数拠点での製造を加速し、2027年初頭に納入開始、12カ月以内に10GW超の容量稼働を目指す。
SSBJ事務局が2026年7月31日、「SSBJ基準のすべての定めに準拠していない場合の開示」ハンドブックをVer.2.0に改訂。5月の注意喚起が契機で、ハンドブックはSSBJ基準そのものではなく法的拘束力を持たない点に注意が必要。
インド・EU自由貿易協定が2026年1月に妥結、合計市場規模24兆ドル・輸出の99.5%が優遇関税対象に。報道によるとCBAM専用の独立附属書も設置され、検証機関のEU承認・中小企業向け能力構築での協力が規定されている。
IEA公式レポートによると2026年Q2の世界EV販売は前四半期比35%増・前年同期比4%増。上半期は90カ国超で前年超え。米国は税額控除終了で前年比25%減、中国は輸出EV100万台超が未計上のまま滞留している。
1969年創業のRIR Power Electronicsが2025年9月にブランド刷新、インド初の垂直統合型SiC半導体メーカーとして始動。総投資額618クローレでオディシャ州にSiCパワーキャンパスを建設し、2026年7月にNSE上場、エピタキシー生産はFY2027量産開始を目指す。
DOEが2026年版「国家送電ニーズ調査」草案を公表。データセンター・製造業拡大が送電逼迫の主因と明記した。米DCの電力消費は2023年176TWh（総電力4.4%）から2028年に325〜580TWh・最大12%へ。系統制約が半導体に次ぐボトルネックになる構図を整理する。
Navitasは2026年7月23日、MagnachipへGeneSiC Gen4/Gen5（1200/2300/3300V超）をライセンス供与すると発表。Magnachipは韓国の自社ファブで内製化する。狙いはEVでなくグリッド・産業電動化・蓄電の高耐圧市場だ。
STマイクロの2026年Q2売上は前年比26%増の34.9億ドル、粗利率34.8%。SiC売上は6→8インチ移行を支えに2026年通期で二桁成長を見込み、AIデータセンター向けは2026年10億ドル超・2027年20億ドル超へ上方修正。Q3は37.0億ドル・Q4は40億ドル超を見通す。
EFRAGが2026年7月、中小企業向けサステナ開示基準の公開協議を開始。CSRD対象外向けの任意基準VSMEと上場SME向けLSME（2026年1月施行・2年猶予）が柱。大企業のScope 3要求（トリクルダウン）で開示を迫られる中堅・中小の負担を標準様式で軽減する狙いを整理する。
Infineonは米ITCでInnoscienceのGaN製品に対する輸入・販売禁止を最終確定させ、欧州系IPがアジア製品を米市場から排除する初の大型事例となった。WolfspeedもNavitasを特許侵害で提訴。GaN覇権を巡る特許戦が調達リスクに直結する構図を一次情報で整理する。
先端パッケージングが国家戦略の焦点に。米商務省はCHIPS NAPMPで後工程向けに総額14億ドルを確定、Amkorはアリゾナに約20億ドル投資（補助金最大4億ドル）。EUは欧州チップス法で2030年シェア20%を掲げChips Act 2.0を提案。米欧の政策競争を一次情報で整理する。
SiC固体変圧器（SST）が商用段階に入った。為光能源はSST出荷累計100台を突破し両拠点で40GW超の産能を確保。台達は1m²でMW級給電・50%超省スペースのSSTを発表、EatonもMV SST 2.0（2.5MW）を展開する。中圧から800VDCへの直接変換の現在地を一次情報で整理する。
AIスパコンの競争軸が性能（FLOPS）から電力と効率へ移る。TOP500首位のLineShineは2.198EFを42.2MW・CPU専用で達成（52.07GF/W）、MicrosoftのFairwaterは分散型AI superfactoryへ。TOP500・各社公式の一次データで整理する。
欧州委員会は2026年7月14日、独半導体4施設への国家補助€6.59億を承認。SiCエピウェハのElement 3-5に€3.53億、VishayのパワーMOSFET工場に€2.14億が入る。中国では芯聚能・芯粤能のD輪7億元超調達が報じられた。SiC供給網への公的・民間資本は欧中で加速している。
CATLと蘭AlfenがナトリウムイオンBESS「Tener Sodium」5GWhの欧州展開でMOUを締結。30MWh超・自家消費率1%・RTEはLFP比約2%改善。中国はリチウム電池に消費税2%を課す一方、Na・全固体は2028年末まで免除。商用化と政策の両輪を整理する。
チップレット密度を決めるのは接合技術だ。Applied MaterialsはBesiと業界初の統合ダイボンダーを開発、Besi株9%取得で連携強化。SÜSS MicroTecはW2W/D2Wを1クラスターに統合する世界初機を投入。米欧主導の銅直接接合の最前線を一次情報で整理する。
CG Semiは2026年7月4日、グジャラート州サナンドのG1 OSAT施設で商業生産を開始した。年産能力は最大3億個、G1・G2に5年で₹7,600億超を投資。着工から27カ月で量産に到達したインド後工程（組立・検査）の本格稼働を、政府と企業開示の一次情報で整理する。
ニューヨーク州は2026年7月14日、50MW超の新規ハイパースケールDCに全米初の一時停止令（最長1年）を発令。NYISOの接続待ちにはDC由来約12GWが滞留する。前日にはMetaがHyperionを5GW・500億ドル超へ拡張発表。規制と拡張が同時進行する米国の現在地を整理する。
Infineonは2026年7月2日にドレスデンで世界最大級のパワー半導体工場（投資50億ユーロ・約1,000人雇用）を開所。一方onsemiはFab Right戦略で2工場を売却する。拡張と身軽化が同時に進むパワー半導体の設備戦略の二極化を、一次情報で整理する。
AI需要で逼迫するABF/IC基板が大増産へ。AT&SはAMD等と合意しKulim工場を転用、投資を€4億から€10〜12億へ倍増、売上見通しも45〜55%へ上方修正。IBIDENは3年で約5,000億円を投じる。先端パッケージの基板供給を一次情報で整理する。
中国製EVの存在感が世界で増している。IEAは2025年に先進国販売EVの15%・90万台超が中国製で、2035年には4台に1台超に達すると予測。欧州でも2026年1月にBEVシェアが20%へ到達した。数字で見る中国EVの拡大と欧州市場の実像を整理する。
TSMCのCoWoS（2.5D）はAIアクセラレータの性能を支え、車載認定・System-on-Wafer 2027・COUPE(CPO)2026へ広がる。IntelはFab 9でFoveros量産・EMIB・ASATを一貫化。AI半導体の主戦場が後工程へ移る構図を一次情報で整理する。
有機基板は今十年代末に微細化の限界へ。次の一手がガラス基板だ。Intelは10年研究で2030年代へ、多チップレット集積を高める。SKC（Absolics）は米ジョージア州で世界初の量産施設を完成、速度40%向上・補助金7,500万ドル。AI後工程の次世代基板を一次情報で整理する。
SK hynixは2025年9月にHBM4開発を完了、帯域2倍・電力効率40%改善・2048 I/Oを実現。JEDEC規格JESD270-4は2TB/s・32チャネルを規定。Micronは2.8TB/s・36GBを2026年量産。AIメモリの主役HBM4の供給網と規格を一次情報で整理する。
減損局面を経たSiC/GaNは需要と技術で局面が動く。オンセミはNIOの900V化やGeelyのSEPシステムにEliteSiCを供給し、InnoscienceとGaNで協業。東芝は新型ゲートドライバ、ROHMはTSC3PAKを投入した。2026年の動向を一次情報で整理する。
欧州委員会が2026年7月、改訂版ESRS（欧州サステナビリティ報告基準）を採択した。必須データポイントを60%超削減し、企業1社あたりの報告コストは30%超の削減見込み。CSRD対象外の中小企業向けには任意報告基準を新設。EFRAGの技術助言を反映した簡素化の内容と発効までの手続きを整理する。
BYDの公式開示によると2026年6月のNEV販売は403,472台で前年同月比約5.5%増。うち輸出は175,349台に達した。一方、上半期累計は1,808,511台で前年比15.72%減と国内の失速が続く。PHEVとBEVが拮抗し、商用車は+24.7%。輸出と車種構成の変化を整理する。
米FERCは2025年10月に大口負荷接続のANOPRを発出し、3,500ページ超の意見を踏まえ2026年6月までに対応する方針。PJMの夏季ピークは15年で70GW増の見通し。データセンター接続の迅速化と家庭料金保護を一次情報で整理する。
Cell Reports Physical Science(2026年6月・OA)がHinaの量産ナトリウムイオン電池を分解解析。120セルのインピーダンスばらつき5.3%、−20℃でも放電エネルギー80%超で、最先端Li-ionに匹敵する製造品質を実証した。市販18650は110Wh/kg。
SBTiは2026年6月11日、企業向けネットゼロ基準の改訂版「Corporate Net-Zero Standard V2.0」を公開した。一律アプローチを廃して複数の目標設定オプションと実装ヒエラルキーを導入し、大企業には進行中排出への段階的責任を課す。実装と継続的改善に重心を移した改訂となる。
欧州理事会は2026年6月12日、炭素国境調整メカニズム（CBAM）を特定の川下製品に拡大し迂回防止措置を強化する案で合意した。2025年12月の欧州委員会提案を受けたもので、欧州議会の本会議採択は2026年9月が見込まれ、最終法制化は2026年末から2027年となる見通し。
onsemiはPCIM 2026でGaN基盤「GaNEXUS」を打ち出し、GlobalFoundriesと650V、Innoscienceと40〜200VのGaNで協業すると公表。いずれも2026年上期サンプル予定で、用途にAIデータセンター電源を含む。全電圧帯を狙うGaN戦略を整理する。
Wolfspeedが2026年6月9日に第5世代SiC技術を発表。競合の1200Vソリューション比で特定オン抵抗（RSP）を最大27%低減し、1200V/750V対応・200mm量産プラットフォームで車載トラクションインバーターと産業用電源、EV充電インフラ向けに展開する。
運用資産2兆ドルのノルウェー政府系ファンドNBIMが、ESRSとISSB（IFRS S1/S2）を単一の報告書で満たせる仕組みをEUに要請。ISSBは42管轄・世界GDP約60%で採用済み。改訂ESRSは必須データポイントを61%削減、CSRD対象企業は約90%絞り込まれた。
Tataがアッサム州ジャギロードに投資₹2万7,000クローレ（約30億ドル超）でインド初の半導体組立・テスト施設TSATを建設。稼働後は日産最大4,800万チップ・雇用2万7,000人超を見込む。前工程ファブに続き、後工程OSATと設計（DLIで24プロジェクト進行）の内製化が進む。
CDPが2026年6月15日の週から、気候・森林・水・生物多様性・プラスチックに続く6番目の開示テーマとして海洋を初めて追加する。世界貿易の約90%が海上輸送に依存する中、目標設定やサプライヤー関与まで問う設問が新設される。
米商務省BISのコネクテッドカー最終規則は2025年3月17日発効。ソフトウェアはモデルイヤー2027、ハードウェアは2030から中露関連の供給を禁止する。完全排除ではなく段階発効である点を踏まえ、サプライチェーンへの影響と確認すべき論点を整理する。
CAAMによれば中国の2025年NEV販売は1,649万台で前年比28.2%増。NEV輸出は262万台と倍増した。一方で値引きモデル数は147→106に減り価格競争は沈静化。BYDの台頭やEUの確定相殺関税を含め、輸出主導へ転換する中国NEV市場を整理する。
インドのESG開示制度BRSR（事業責任・サステナビリティ報告書）のFY26報告シーズンが進行。SEBIが2021年5月10日付回状で導入し、NGRBC 9原則に基づく開示を時価総額上位1000社に義務付ける。銀行を含む上場企業が報告書の提出を進めている。
ASEが2026年5月26日、業界初の自動310mm角パネルレベルパッケージング（PLP）ラインを開発したと発表。有効面積は最大96,100mm²で、FOCoSは2/2µm、FOCoS-Bridgeは8/8µmのライン・スペースに対応。2027年前半の生産開始を予定する。
EntegrisとJSR傘下のInpriaが、EUVリソグラフィ向け金属酸化物レジスト（MOR）特許で非独占クロスライセンス契約を締結。処方・前駆体合成・超高純度ろ過の3領域をカバーし、係争中だった特許無効審判IPR2025-00267も合意の一環で終結する。
米証券取引委員会（SEC）が2026年5月29日、2024年3月制定の気候開示規則の全面撤回を正式提案した。GHG排出量・気候リスク管理・異常気象の財務影響の3項目を対象とした規則で、SECは法定権限を超えるとして全廃を提案。施行は2024年4月から停止していた。
TDKが2026年5月19日にAIエッジ向け超小型マイクロPOL DC-DCモジュール「FS3303」を量産開始。2.5×2.5mm・高さ1.2mmで3Aを出力し、ピーク効率約95%、入力2.7〜6V・出力0.4〜3.3Vで低電圧レールに対応する。
カリフォルニア州SB 253は、年収10億ドル超で州内事業を行う企業にScope 1〜3排出量の年次開示を義務付ける。CARBは2026年2月に規制を正式承認し、初年度のScope 1・2報告期限を2026年8月10日に設定。州外・米国外の企業も対象となる。
Microchipが2026年5月26日に3.3kV SiCパワーモジュール「HV-D3 mSiC」を発表。6kV絶縁により13.8kV・34.5kVグリッド接続時の直列デバイス数を低耐圧SiC比で約半減し、AIデータセンターの固体変圧器(SST)向けに100〜300Aをカバーする。
AIXTRONが2026年Q1速報を発表。受注高が約1億7,100万ユーロ（前年比+30%）に達し、データセンター向け光通信需要の急増を受けてFY2026通期売上高ガイダンスを約5億2,000万ユーロから約5億6,000万ユーロへ上方修正した。
世界取引所連合（WFE）が2026年5月26日に「Draft WFE Transition Equity Principles」を公表。まだグリーンではないが気候目標への移行経路上にある企業を取引所が分類できる枠組みを定義し、移行ファイナンスへの資金フローを促進することを目指す。
東芝デバイス＆ストレージが2026年5月20日に1200Vトレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」のテストサンプル出荷を開始。フィギュアオブメリットRds(on)×Qgdを現行品比約52%改善し、AIデータセンター電源と再生可能エネルギー機器への採用を目指す。
ベトナム政府がDecree No. 180/2026/ND-CPを公布し、森林炭素クレジット取引にフロア価格・農業環境省の検証義務・二重計上防止ロックを義務化。2026年7月施行で、1,487万haの森林を持つ東南アジア有数の炭素市場が制度基盤を整える。
三菱電機が2026年5月に第8世代NXタイプ1200V IGBTモジュールのサンプル出荷を開始。前世代比で電力損失を最大19%低減し、産業用インバータ・UPS・太陽光発電システムへの採用を想定する。
不平等・社会関連財務情報開示タスクフォース（TISFD）が2026年5月26日にベータ版0.1を公開。影響・依存・リスク・機会の4軸で人的資本・人権・不平等を開示する枠組みを設計し、TCFDおよびTNFDとの整合を図る。
ロームが2025年9月に量産開始したTOLLパッケージ750V耐圧SiC MOSFET「SCT4013DLL」。AIサーバーのBBU（バッテリーバックアップユニット）向けに採用が広がる背景と仕様を解説する。
ニュージーランドXRBが策定したAotearoa New Zealand Climate Standardsの義務対象と、NZ CS 1が定める3シナリオ分析要件を解説。欧州CSRDやIFRS S2との比較で制度設計の特徴を整理する。
金融庁は2026年5月19日にSSBJ告示の基準日をISSA 5000採択日（3月13日）に合わせて改正し、5月25日には保証部会が初会合を開催。日本のサステナビリティ開示における独立保証の制度整備が具体的な段階に入った。
インドのSEBIが設立したNISMと、インド企業省傘下のIICAが2026年5月19日にMOUを締結。ESG・BRSR開示の能力開発とMSMEの資本市場アクセス支援を三機関が連携して推進する。
世界銀行が2026年5月19日に公表した年次報告書によれば、炭素税・ETSなど87本の炭素価格付け政策が世界のGHG排出量の29%をカバーし、2025年の政府収入は1,070億ドルを超えた。日本のGX-ETSも含む新市場が相次いで始動している。
onsemi Q1 2026とInfineon Q2 FY2026の決算に共通するトレンド。AIデータセンター向け電力需要が急拡大するなか、車載向けは回復途上。設計・調達部門が読むべき2軸の構造変化を整理する。
欧州委員会は2026年5月14日、CSRDの中核基準ESRS 2.0の改訂草案を公表した。開示項目の簡素化がEUサプライチェーンに入る製造業へ与える影響を整理する。
欧州委員会は2026年春、ドイツの産業脱炭素化プログラム「Klimaschutzverträge（気候保護契約）」に対する総額50億ユーロの国家補助を正式に承認した。鉄鋼・化学・セメントという、欧州の炭素コストが最も重くのしかかる三業種を対象とするこの制度。その核心は、企業が脱炭素投資に踏み切れない
通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には
世界銀行の2026年報告書によると、炭素税・ETSなどの炭素価格メカニズムが世界の排出量の約3分の1をカバーするに至った。EU CBAM本格適用と重なる2026年、炭素コストが調達・設備投資の現場に生じる質的変化を解説する。
EU CBAM本格施行の2026年1月以降、インドのEU向け非合金アルミニウム輸出が1年で41.7%急減（18,654→10,875トン）。炭素コストが貿易量に初めて定量化されたこのデータから、製造業が直面する調達・競合構造の変化を読む。
韓国ドゥサンがSK Siltronの株式100%を取得し、約5兆ウォンの買収を発表。 SiC事業の4,140億ウォン減損と1.2兆ウォンのコベナンツ問題を抱えながら進む垂直統合戦略と、日韓サプライチェーン協力の文脈を読む。
2026年2月の内閣府令改正でSSBJ開示が義務化の根拠となり、同年1月にはCBAMが本格施行。 サプライチェーン排出量データという共通基盤を軸に、2つの規制への対応を一体で設計できるかが企業の競争力を左右する。
2026年5月、タタ・エレクトロニクスとASMLが覚書を締結し、インド初の先端半導体ファブ実現に向けた動きが具体化。 110億ドルのドレラファブとロームを含む日本企業の参画まで、インドのサプライチェーン構築が「構想」から「実行段階」へ移行しつつある。
インドのCyientが2026年5月、AI・急速充電・e-モビリティ向け650V GaNパワーICをインド初として発表した。日米欧台に限られてきたGaN供給源の多様化が意味すること、車載認証サイクルとの関係を解説する。
2026年Q1のNavitas収益は860万ドル（前年比39%減）。それでも株価は発表後27.66%急騰。AI・グリッド・産業向け高出力セグメントが前年比35%増となり、市場が「どこから稼ぐか」の構造変化を先んじて評価した。
ロームは2025年度通期決算でパワー半導体事業に1,936億円の減損損失を計上し、最終純損失は1,584億円。SiC固定資産の過剰投資が主因で、InfineonやSTMicroも計画縮小を発表した同時期。調達・投資判断への示唆を整理する。
2027年3月期から時価総額3兆円以上の東証プライム上場企業へのSSBJ開示義務が始まる。完成品メーカーのScope 3開示義務はサプライヤーへのデータ提出要求を意味し、上場・非上場を問わずサプライチェーン全体に波及する。
EU炭素国境調整メカニズム（CBAM）の本格適用が2026年1月に始まった。鉄鋼・アルミ・肥料・セメント・水素・電力の6セクターが対象で、日本からの輸出企業には埋め込み排出量の算定と申告が求められる。対応の現状と実務上の論点を整理する。
CSRDとCSDDDは直接適用対象外の製造業にも、欧州顧客の調査票・契約条項・開示要請として波及する。EUサプライチェーン対応の主要経路と優先アクションを整理する。
生成AI投資を背景にデータセンターの電力消費量が急増している。電源効率の向上要求が厳しくなる中、SiCやGaN採用のUPS・PSUが主流化しつつある。電力インフラ関連のパワーデバイス需要と調達上の変化を整理する。
グリーン水素の製造コストは再エネコスト低下と電解槽規模拡大で低下トレンドにあるが、2026年時点でもグレー水素比3〜4倍のコスト差が残る。製造・輸送・需要の各段階での課題と、日本製造業が接点を持つシナリオを整理する。
2026年4月施行のGX-ETS第2フェーズは、直接対象となる約300〜400社だけの話ではない。大手企業が排出量削減コストを負担する構造は、必ずサプライチェーン下流への要請という形で中堅・中小製造業に届く。何が、どのルートで降りてくるのかを整理する。
ICP（内部炭素価格）は炭素税・ETS等の外部規制に先行して、企業が独自に排出量にコストを設定し投資判断に反映する仕組みだ。設備更新・調達先評価・製品設計にICP概念を適用することで、炭素リスクを経営判断の中に構造的に組み込める。導入方法と実務上の選択肢を整理する。
EVの需要鈍化でSiC市場の成長見通しが修正されている。一方で産業機器・太陽光・データセンター向け需要が想定以上のペースで拡大しており、需要の多角化が構造変化として定着しつつある。調達先の需要ポートフォリオ評価に影響する論点を整理する。
TNFD（自然関連財務情報開示タスクフォース）は2023年に最終提言を公表し、生物多様性・水・土地・海洋に関わる自然関連リスクの開示フレームワークを確立した。TCFDの自然版とも言えるこの枠組みが製造業のサプライチェーン評価にどう関わるかを整理する。
SiCウェハの8インチ化とGaN-on-Siのエピ成長改善が、ワイドバンドギャップ半導体のコスト構造を変えている。Si比の価格差が縮小する時期の見通しと、コスト低下を促す製造技術の要点を整理する。
2024年、BYDの半導体子会社・比亜迪半導体は1200V耐圧のSiC MOSFETの量産ラインを拡張し、EV向けインバータへの自社搭載比率を高める方針を明確にした。単なる内製化の話ではない。世界最大のEVメーカーが、パワー半導体という部品の上流まで自ら握ろうとしている動きだ。
シリコン（Si）のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は時代遅れになった——そう語られる機会が増えた2020年代半ば、富士電機が新世代IGBTを発表した。同社が「第8世代」と位置づけるこのデバイスは、スイッチング損失とオン電圧の両立を従来比で大幅に改善したと公表されており、EV向けインバー
SiC MOSFET市場のリーダーであるInfineonが、CoolSiCファミリーのラインアップ更新を進めている。単なる製品追加ではなく、耐圧帯の拡充とゲート構造の改良を組み合わせた動きとして捉えると、この更新が業界全体に対して何を問いかけているかが見えてくる。
2025年、InfineonはSK Siltronと複数年にわたるSiCウェハ供給契約を締結した。金額は公表されていないが、Infineonがウェハ調達を単一の長期契約で固定するという動きは、SiCサプライチェーンの構造変化を象徴している。「誰がウェハを確保するか」が、パワー半導体の競争力を左右する
2025年から繰り返し報じられてきた「日系パワー半導体3社統合」構想。経済産業省の後押しを受けた国策的な再編として注目を集めてきたが、当事者各社の動きを追うと、統合の輪郭はまだ曖昧なままだ。何が決まり、何が決まっていないのか。足元の状況を整理しておきたい。
三菱電機と光学部品・半導体材料大手のCoherentが、8インチ（200mm）SiCウェハの共同開発に合意した。現在の主流である6インチ（150mm）から8インチへの移行は、単なる口径の拡大ではない。ウェハ1枚から取れるチップ数が増え、製造コスト構造が根本から変わる転換点だ。
2025年に入り、onsemiのSiC事業が市場の期待ほど伸びていないという見方が広がっている。EVインバータ向けを中心に積み上げてきたSiCビジネスは、欧米の電動化ペース鈍化という逆風にさらされ、通期見通しの下方修正が相次いだ。だが同社はSiC投資の方向性を変えていない。この「踏みとどまる」という
2025年、ルネサス エレクトロニクスが米Transphorm社のGaN（窒化ガリウム）パワー半導体事業を買収することで合意した。Transphormは縦型GaN-on-SiC構造に強みを持つパイオニア企業であり、この買収はルネサスのパワー半導体ポートフォリオに根本的な変化をもたらす可能性がある。単
ルネサスエレクトロニクスとWolfspeedが、10年間にわたるSiCウェハの長期供給契約を締結した。金額の詳細は非公開だが、「10年」という期間の長さそのものがこのニュースの核心を語っている。半導体業界でこれほど長期の調達契約が結ばれるのは異例であり、SiCウェハ市場が単なる「買い手優位の部材調達
STマイクロエレクトロニクスとAmpere（旧Oracle傘下のArmベースサーバー設計で知られる企業とは別の、EV向けパワートレイン設計会社）が、次世代EVのトラクションインバーター向けにSiCパワーモジュールを共同開発し、2026年の商用化を目指していると報じられた。発表の骨子はシンプルだが、そ
STマイクロエレクトロニクスがイタリア・カターニアのSiCパワー半導体工場を段階的に拡張しながら、EV・産業向け需要を取り込もうとしている。設備投資の規模と時期、そして同社が直面しているSiC事業の収益化圧力を合わせて見ると、この動きが単なる生産能力増強ではないことが見えてくる。
東芝が「トリプルゲートIGBT」と呼ぶ新構造のIGBTを発表し、従来比で損失を最大40%削減できると公表した。40%という数字は、単なる世代交代のスペックアップではない。IGBTが主戦場としてきた産業機器・鉄道・大型インバータの領域では、損失1%の改善がシステム冷却コストや年間電力費に直結する。それ
