Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
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三菱電機がCoherentと8インチSiC基板の共同開発パートナーシップを強化した。熊本の新工場向けに高品質基板を確保する動きは、200mmへの移行競争が加速していることを示す。
ルネサスエレクトロニクスがGaNパワー半導体のTransphormを買収した。SiCに次ぐ次世代材料としてGaNをポートフォリオに加え、パワー半導体事業の幅を広げる。
STマイクロエレクトロニクスがAmpereの電動パワートレイン向けインバータにSiCパワーモジュールを供給する。2026年開始の契約は、EV向けSiC採用の具体化が加速していることを示す事例だ。
東芝デバイス＆ストレージが2021年に発表したトリプルゲートIGBTは損失を最大40.5%削減した。SiCへの置き換えが議論される今も、シリコン技術の進化がコスト優位の根拠になっている。
InfineonがSK SiltronとSiCウェハ供給契約を締結し、150mmの安定供給と将来の200mm移行支援を確保した。SiC材料のマルチサプライヤー戦略を読み解く事例として整理する。
ルネサスエレクトロニクスはWolfspeedと10年間のSiCウェハ供給契約を締結し、2025年からのSiCパワー半導体量産に必要な材料基盤を固めた。長期契約がSiC製品の継続性にどう関わるかを整理する。
