Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
特集
2025年に中国はNEVが新車の51.6%を突破し輸出も前年比90.4%増。一方EUはBEVシェアが2026年に19.7%へ上昇しつつ、対中BEVには最大35.3%の関税。世界EV市場の二極化を一次情報で整理する。
系統だけに頼れないAIデータセンターは、オンサイト発電・定置用蓄電(BESS)・需要応答へ動いている。Bloom Energy・Google・EIA・EPRIの一次情報をもとに、各打ち手の実用段階を「方向性」と「普及度」に分けて整理し、設計・調達・立地の判断軸を示します。
高密度AIラックで液冷が前提になる中、冷却方式の変化が電源・パワーデバイス設計をどう変えるかを一次ソースで整理。NVIDIA NVL72の液冷ラック、直接液冷CDU、コールドプレートのホットスポット低減、Tj低下が損失・信頼性余裕に効く設計論を、過度な断定を避けて読み解きます。
AIサーバーの1ラックが1MWへ向かう中、NVIDIAはラック内48/54V直流から800V直流（HVDC）への移行を主導している。変換段数の削減でエンドツーエンド効率を最大5%改善する一方、絶縁・直流遮断・保護設計の難度が上がる。この転換点を一次ソースで読み解く。
AIデータセンターの制約は半導体でなく電力インフラに移った。EPRIは米データセンターが2030年に全米電力の9〜17%を占め、系統依存だと受電まで一部地域で最長10年と指摘。変圧器・遮断器の長納期がさらに通電を遅らせる構造を一次ソースで整理する。
CBAM・SSBJ・TCFD・TNFD・ESRSなど、サステナビリティの略語55個を開示・評価・国際枠組・炭素価格・目標設定・人権・製品・自然の8分野に整理。正式名称、任意か法的義務か、施行時期、製造業での重要度を一次情報で解説する。
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
2024年の世界電気自動車販売は1,700万台超・前年比25%増で新車シェア20%を超えた。だが伸びは一様ではない。中国は11百万台超、新興国は約40%増の一方で欧州は横ばい。減損や目標下方修正の裏で進む市場の二極化を一次データで整理する。
2026年1月に本格施行されたCBAM（炭素国境調整措置）は鉄鋼・アルミ・肥料・セメント・水素・電力の6業種が対象。証書の仕組み・Omnibus簡素化の変更点・輸入事業者の申告義務、日系製造業への直接・間接影響を体系的に整理する。
企業サステナビリティ報告指令（CSRD）と企業サステナビリティデューデリジェンス指令（CSDDD）が2025〜2026年にかけて日本企業にも直接影響を与え始めている。Omnibus I改正後の適用範囲、サプライチェーンを通じた義務の連鎖、実務対応ステップ、SSBJとの接続を体系的に整理する。
SiCとGaNが産業用・車載用パワー半導体の主流になりつつある中、Ga₂O₃（酸化ガリウム）・GaN on GaN（ネイティブ基板）・ダイヤモンド半導体の3系統が次世代候補として研究開発の最前線にある。各材料の技術成熟度・量産見通し・ビジネスインパクトの時系列を整理し、設計者と調達担当者が今から取るべき準備を示す。
BRSRコアの段階適用が FY26-27 に上位1,000社へ拡大する。調達担当者が知っておくべきは、インドの Listed mid-cap がどのような開示を求められ、実際に何を準備しているかだ。制度の構造と代表的な企業の対応実態を整理する。
GaN-on-Siは650V以下の低・中電圧アプリケーションでシリコンを置き換えつつある。EVオンボードチャージャーで先行採用されたこの技術が、産業用モーター制御・通信電源・産業用UPSへと応用範囲を広げている。用途別の採用実態と調達上の論点を整理する。
日本政府の「ビジネスと人権」行動計画（2021〜2025）と欧州CSDDDの圧力を背景に、サプライチェーン全体での人権DDが日本製造業の実務課題になっている。何を特定し、どう対処し、何を開示するかの基本構造と対応の優先順位を整理する。
BYD半導体・斯達半導体（Starpower）・中車時代電気（CRRC）など中国IGBTメーカーが国内自給率を急速に高め、グローバル市場への参入を加速している。価格競争の激化と供給過剰懸念が欧日系サプライヤーとの競合構図を変えつつある。調達への影響を整理する。
取引先からPCF（製品カーボンフットプリント）の提出を求められるケースが増えている。ISO 14067・GHGプロトコル製品基準に基づく算定の構造と、実務上の優先順位の付け方、よくある躓きポイントを整理する。
製造業がスコープ3（Scope 3）を開示する際、GHGプロトコルの15カテゴリのどれを優先把握すべきか。排出量の重みと把握難易度を軸に、業種・サプライチェーン構造に応じた優先順位のつけ方を整理する。
SSBJ基準は2025年3月に確定し、2026年2月の内閣府令改正で時価総額3兆円以上のプライム企業から2027年3月期義務化が確定した。段階スケジュール・保証制度・ISSBとの差異・開示体制の構築を調達/IR/ESG担当の観点で一次情報に基づき整理する。
TCFDフレームワークに基づく気候関連リスクの開示では、移行リスクと物理リスクが財務諸表に与える影響の試算が求められる。SSBJ・ISSB基準への対応でも必須の作業になるこの試算の考え方と製造業における具体的な影響経路を整理する。
GPT-4を動かすためのサーバー1ラックの消費電力は、2020年時点で平均10〜15kW程度だったが、最新のAIアクセラレーターを搭載したラックでは100kWを超えるケースが報告されている。NVIDIA H100を密集配置したラックは単体で70kWに迫り、次世代のBlackwellアーキテクチャでは
インバータ1台に搭載されるSiCパワーモジュールのコストは、従来のSiベースに比べて2〜3倍高い。それでもEVメーカーがSiCへの切り替えを加速させているのは、システム全体の効率とサイズで回収できるからだ。だが「SiCを使えばよい」という話でもない。EVの電力変換系は複数の用途に分かれており、それぞ
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト
2025年、SiCパワー半導体の世界市場は約30億ドル規模とされ、2030年までに100億ドルを超えるという予測が複数のリサーチ機関から出ている。だが今、業界関係者の話題の中心にあるのは「成長」よりも「再配置」だ。誰が市場を取るか、よりも、誰が生き残るかという問いに変わりつつある。
EV向けインバータの量産立ち上げを控えたある設計チームが、SiC MOSFETのサプライヤー選定を始めようとしたとき、最初に突き当たった壁は「どのデータシートを見比べればいいのか分からない」という問題だった。スペック表を横に並べても、測定条件が違えば数字の意味が変わる。信頼性データは各社の様式が異な
EV向けインバータの主役交代、産業機器の高効率化圧力、データセンターの電力密度急騰——複数の需要波が同時に押し寄せる今、主要半導体メーカーはSiC・GaN・IGBTの三つの技術に対して、どこに資本を投じ、どこを守り、どこを諦めるかという選択を迫られている。
「次世代パワー半導体はSiCかGaNか」という問いが業界で繰り返されてきた。だがこの問いは、実は少し雑だ。SiCとGaNは同じワイドバンドギャップ半導体でも、得意な電圧帯・スイッチング領域・コスト構造が異なる。「どちらが大きいか」ではなく「どの用途・どの電圧帯・どの時間軸で見るか」によって答えが変わ
