Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
特集
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
BYD半導体・斯達半導体（Starpower）・中車時代電気（CRRC）など中国IGBTメーカーが国内自給率を急速に高め、グローバル市場への参入を加速している。価格競争の激化と供給過剰懸念が欧日系サプライヤーとの競合構図を変えつつある。調達への影響を整理する。
