Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
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通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には
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SiCとGaNが産業用・車載用パワー半導体の主流になりつつある中、Ga₂O₃（酸化ガリウム）・GaN on GaN（ネイティブ基板）・ダイヤモンド半導体の3系統が次世代候補として研究開発の最前線にある。各材料の技術成熟度・量産見通し・ビジネスインパクトの時系列を整理し、設計者と調達担当者が今から取るべき準備を示す。
2026年5月、タタ・エレクトロニクスとASMLが覚書を締結し、インド初の先端半導体ファブ実現に向けた動きが具体化。 110億ドルのドレラファブとロームを含む日本企業の参画まで、インドのサプライチェーン構築が「構想」から「実行段階」へ移行しつつある。
Cyientは、AI、通信、急速充電、e-モビリティ向けに650V GaNパワーICを発表しました。これらのICは、電力効率の向上をもたらし、次世代アプリケーションの性能向上に貢献します。
Navitas Semiconductorは、2026年第1四半期決算で収益が予想を上回り、株価が急騰しました。これは、同社のGaN技術の市場での成功を示唆しています。
GaN-on-Siは650V以下の低・中電圧アプリケーションでシリコンを置き換えつつある。EVオンボードチャージャーで先行採用されたこの技術が、産業用モーター制御・通信電源・産業用UPSへと応用範囲を広げている。用途別の採用実態と調達上の論点を整理する。
longtail
太陽光発電のパワーコンディショナ（PCS）は用途・出力規模によってSi IGBT・SiC MOSFET・GaN-on-Siが使い分けられている。デバイス選定の判断軸と主要サプライヤーの立ち位置、調達上の確認点を整理する。
SiCウェハの8インチ化とGaN-on-Siのエピ成長改善が、ワイドバンドギャップ半導体のコスト構造を変えている。Si比の価格差が縮小する時期の見通しと、コスト低下を促す製造技術の要点を整理する。
AIサーバーの電源設計でGaNを採用するかどうかは、「次世代技術だから」という理由だけでは決まらない。求められるのは、スイッチング周波数・電力密度・熱設計という三つの軸でGaNがSiCやSiより明確に有利かどうかを確認することだ。
800Vバッテリーシステムの普及が加速している。ポルシェ タイカン、現代 IONIQ 6、Kia EV6——これらに共通するのは、充電時間の短縮と走行効率の向上を両立するために、従来の400Vアーキテクチャから倍の電圧帯へ移行したという事実だ。この流れがパワーデバイスの選択に直接影響している。「Si
インバータ設計で電力変換効率を1ポイント改善しようと格闘した経験があるなら、GaN（窒化ガリウム）が何を変えたかは数字を見るだけで伝わる。シリコン製MOSFETのスイッチング周波数が数十kHzで頭打ちになるのに対し、GaNは数MHzまで扱える。周波数が上がれば受動部品（インダクタ・コンデンサ）のサイ
2025年、SiCパワー半導体の世界市場は約30億ドル規模とされ、2030年までに100億ドルを超えるという予測が複数のリサーチ機関から出ている。だが今、業界関係者の話題の中心にあるのは「成長」よりも「再配置」だ。誰が市場を取るか、よりも、誰が生き残るかという問いに変わりつつある。
2025年、ルネサス エレクトロニクスが米Transphorm社のGaN（窒化ガリウム）パワー半導体事業を買収することで合意した。Transphormは縦型GaN-on-SiC構造に強みを持つパイオニア企業であり、この買収はルネサスのパワー半導体ポートフォリオに根本的な変化をもたらす可能性がある。単
EV向けインバータの主役交代、産業機器の高効率化圧力、データセンターの電力密度急騰——複数の需要波が同時に押し寄せる今、主要半導体メーカーはSiC・GaN・IGBTの三つの技術に対して、どこに資本を投じ、どこを守り、どこを諦めるかという選択を迫られている。
「次世代パワー半導体はSiCかGaNか」という問いが業界で繰り返されてきた。だがこの問いは、実は少し雑だ。SiCとGaNは同じワイドバンドギャップ半導体でも、得意な電圧帯・スイッチング領域・コスト構造が異なる。「どちらが大きいか」ではなく「どの用途・どの電圧帯・どの時間軸で見るか」によって答えが変わ
