迈向铜直接键合时代——Applied×Besi的集成键合机与SÜSS的全球首个平台

决定芯粒密度的是"键合"

能把芯粒堆叠、连接到多高密度，从物理上由键合技术决定。取代传统焊球，以铜直接相连的混合键合，作为下一代的本命崛起。如果说CoWoS与HBM是封装的"容器"，那么混合键合就是在其中提升芯粒密度与能效的核心工序。

主导这一领域的，出人意料地并非亚洲，而是美国与欧洲：美国Applied Materials与荷兰Besi的联盟，以及德国SÜSS MicroTec。设备在先进封装中易成为单点故障，谁掌握何种精度，便是供给的关键。

何为混合键合

混合键合是通过铜-铜直接键合提升芯粒密度与能效的下一代封装技术。不经焊球而直接连接金属，可大幅提高I/O密度。目标市场涵盖HPC、AI、5G、数据存储、车载五个领域，不仅左右AI，也左右整个高性能计算的性能。

具有象征意义的是设备大厂的姿态。Applied Materials负责先进封装的公司副总裁公开承认摩尔定律的极限，并提出"新剧本"。设备一方明确表态：从单靠前道微缩，转向以封装提升性能的路线。

Applied×Besi——业界首个集成键合机

Applied Materials与Besi自2020年起合作，开发面向裸片的业界首个完整设备方案。双方的联合项目被设计为"前道材料工程×后道先进封装"的技术融合体制，把前道的材料与工艺技术带入后道键合。

合作在资本层面也得到强化。Applied Materials取得共同开发方Besi的已发行股份9%。Besi是半导体组装设备的主要厂商，在裸片贴装、互连与组装领域居领先地位。Applied Materials将混合键合定位为"AI芯片的基础"，强调其战略重要性。

SÜSS MicroTec——W2W/D2W集成的全球首创

欧洲厂商也处于前沿。德国SÜSS MicroTec的XBC300 Gen2是将W2W（晶圆对晶圆）、集合型D2W与逐次D2W（裸片对晶圆）集成于单一集群的全球首个混合键合平台。它把按用途切换键合方式的灵活性，集中于一台设备。

精度也很高。XBC300 Gen2通过SET Corporation SA的NEO HB裸片键合机实现±100 nm精度与最高300 N的键合力，并在W2W键合中通过ISA技术实现低于100 nm的对准精度。它同时支持200〜300 mm晶圆与贴于胶带框架载具上的裸片，覆盖多样的生产形态。在这一由纳米级对准决定良率的工序中，设备精度直接构成竞争力。

如何解读设备之争

对业务的影响与确认要点

从采购与投资角度需把握：①所采用的先进封装是否依赖混合键合，其设备供给（Applied×Besi／SÜSS等）是否得到保障；②W2W/D2W中哪种方式契合自身设计与生产形态；③设备的对准精度与产能，能把良率与量产实现到何种程度。键合设备虽不起眼，但它是从物理上决定芯粒密度与良率的单点故障，值得追踪设备之争的走向。

参考事实卡